La guerre pour HBM4 vide de ses ingénieurs la conception de puces en Corée du Sud

Micron augmente la mise avec GDDR7 de 24 Gbit et 36 Gb/s : plus de VRAM et plus de bande passante pour la prochaine vague de GPU

La competencia entre Samsung Electronics y SK hynix por dominar la memoria HBM4 para inteligencia artificial tiene una consecuencia menos visible que la construcción de nuevas fábricas: los ingenieros especializados se han convertido en uno de los recursos más escasos del sector surcoreano. La contratación ya no se limita únicamente a expertos en memoria. La […]

AMD recourt à Samsung pour sécuriser la mémoire HBM4 de Helios face à NVIDIA

HPE accélère la carrière de l'IA avec le premier rack « Helios » d'AMD basé sur Ethernet standard

320 milliards de transistors, 432 Go de mémoire par puce, et un contrat qui n’est toujours pas signé. AMD s’apprête à finaliser un accord majeur avec Samsung pour approvisionner en HBM4 ses accélérateurs Instinct MI455X et sa plateforme Helios, pièce centrale de sa riposte face à NVIDIA. Lisa Su l’a confirmé aux médias sud-coréens : […]

Rapidus : IA agentique, puces 2 nm, HBM4 et packaging avancé

Salle blanche de fabrication de semi-conducteurs pour les puces 2 nm de Rapidus

Rapidus franchit une nouvelle étape dans sa course pour devenir une alternative crédible sur le marché mondial de la fabrication avancée de semi-conducteurs. Le fondeur japonais va intégrer l’agent d’intelligence artificielle InnoStack de Cadence dans sa plateforme de conception RAADS, avec un objectif affiché : réduire jusqu’à 50 % le temps nécessaire entre les premières […]

Samsung bascule la moitié de sa capacité HBM vers HBM4

Samsung dépasse 80 % de rendement en 4 nm et décroche des commandes d'IA

Samsung Electronics a basculé la moitié de sa capacité de production HBM vers la génération HBM4. D’après des sources du secteur citées dans la presse coréenne, la société alloue environ 75 000 wafers par mois sur une capacité totale estimée à 150 000 wafers HBM DRAM. L’autre moitié reste consacrée à HBM3E de 12 couches, […]

FuriosaAI et Broadcom préparent une puce IA à 2 nm pour l’ère de l’inférence

FuriosaAI et Broadcom préparent une puce IA à 2 nm pour l'ère de l'inférence

FuriosaAI a annoncé un partenariat avec Broadcom pour développer sa troisième génération d’accélérateurs d’IA. Objectif : une plateforme conçue exclusivement pour l’inférence à grande échelle et les charges agentives. La société sud-coréenne n’emprunte pas la voie des GPU généralistes. Elle mise sur une architecture chiplet avec un die de calcul à 2 nanomètres, de la […]

Micron : la pénurie mémoire IA n’en est qu’au début

Micron augmente la mise avec GDDR7 de 24 Gbit et 36 Gb/s : plus de VRAM et plus de bande passante pour la prochaine vague de GPU

Au sommet de la chaîne IA, on parle volontiers de GPU, de centres de données et de mégawatts. La pièce que peu de gens regardaient jusqu’ici, la mémoire, vient pourtant de prendre la première place dans les résultats trimestriels de Micron. Et ce que le fabricant américain annonce ne ressemble pas à un pic conjoncturel […]

HB3DM : Intel et SoftBank défient HBM avec une mémoire 3D plus dense

Intel se positionne comme la seule alternative réelle à TSMC et leader émergent dans l'emballage avancé, selon un analyste de Wall Street

Intel et SoftBank ont levé le voile sur HB3DM, leur projet commun de mémoire 3D conçu pour disputer le terrain à la HBM dans les charges d’intelligence artificielle. Derrière l’acronyme se cache une architecture baptisée Z-Angle Memory (ZAM), portée par SAIMEMORY, la filiale mémoire de SoftBank, et appuyée sur le savoir-faire d’Intel en empaquetage avancé. […]

Samsung 4 nm : 80 % de yield et nouvelles commandes d’IA

Samsung dépasse 80 % de rendement en 4 nm et décroche des commandes d'IA

Samsung Foundry tiendrait peut-être enfin un argument commercial solide face à TSMC. D’après Seoul Economic Daily, la division fonderie sous contrat de Samsung Electronics aurait franchi la barre des 80 % de rendement sur son procédé 4 nanomètres, un seuil que le quotidien sud-coréen qualifie de « processus mature ». L’entreprise n’a rien officialisé, mais […]

Nanya entre dans la chaîne LPDDR5X de NVIDIA Vera Rubin

NVIDIA va plus loin dans sa stratégie des « usines d'IA » avec Vera Rubin DSX et un jumeau numérique prêt à les concevoir avant de les construire

Le fabricant taïwanais Nanya Technology aurait été retenu pour fournir de la mémoire LPDDR5X à la prochaine plateforme d’intelligence artificielle de NVIDIA, Vera Rubin. L’information, rapportée par plusieurs médias asiatiques de la filière semi-conducteurs, n’a été confirmée ni par NVIDIA ni par Nanya, mais elle a déjà fait bouger les valorisations boursières des fabricants taïwanais […]

Samsung HBM5E D1d : la feuille de route mémoire IA vacille

ai close up of a samsung hbm memory stack next to a dram silico m6d4XR

Samsung Electronics aurait pris une décision lourde de conséquences pour l’industrie des semi-conducteurs : revoir, et reporter sans date précise, la mise en fabrication de la D1d DRAM, septième génération de mémoire DRAM de classe 10 nm. Selon un rapport publié par IT Chosun, les performances internes n’auraient pas atteint les objectifs fixés, et la […]