Samsung prépare la zHBM : mémoire 3D sur le GPU pour dépasser les limites de la HBM
Samsung travaille sur une évolution en profondeur de la mémoire HBM pour les accélérateurs d’intelligence artificielle. Son ambition culmine avec zHBM, une architecture visant à placer la mémoire verticalement au-dessus du processeur, à réduire la distance que parcourent les données et à éliminer certains éléments de l’emballage 2.5D actuel. Le fabricant prévoit jusqu’à 230 % […]
SK hynix prépare la prochaine HBM : plus de couches, refroidissement et empaquetage 3D
SK hynix travaille déjà sur des technologies visant à dépasser les configurations actuelles de mémoire HBM (High Bandwidth Memory). Lors du Hot Chips 2026, l’entreprise a présenté des solutions de hybrid bonding, de nouvelles méthodes de dissipation thermique, davantage de connexions TSV et des architectures 3D où la mémoire pourrait être placée directement sur les […]
La HBM commence à voyager en Malaisie : Intel gagne du terrain dans l’emballage pour l’IA
L’augmentation spectaculaire des exportations sud-coréennes de mémoire HBM vers la Malaisie envoie un signal inhabituel dans la chaîne d’approvisionnement des semi-conducteurs. Les données du SemiAnalysis Chipbook indiquent que ces envois atteignent désormais environ 1 300 millions de dollars, tandis que celles destinées à Taïwan ont diminué de plus de 3 000 millions, après avoir dépassé […]
SanDisk veut associer la NAND aux GPU d’IA, mais HBF ne remplacera pas le HBM
SanDisk s’efforce d’ouvrir une nouvelle catégorie de mémoire pour l’intelligence artificielle avec la High Bandwidth Flash (HBF), une technologie qui vise à rapprocher de grandes quantités de NAND des accélérateurs, sans supporter le coût et les limitations de capacité de la mémoire HBM. Sa proposition a gagné en visibilité lors de l’Investor Day organisé le […]
NVIDIA Feynman prévoit pour 2028 avec A16, chiplets 3D, HBM personnalisé et optique CPO
NVIDIA continue à commercialiser Vera Rubin, mais sa prochaine grande plateforme dédiée à l’intelligence artificielle commence déjà à prendre forme. Feynman est officiellement prévue pour 2028, tandis que de nouvelles informations provenant de la chaîne d’approvisionnement taiwanaise indiquent une combinaison particulièrement ambitieuse : processus TSMC A16, intégration tridimensionnelle SoIC, mémoire HBM personnalisée et connexions optiques […]
SK hynix mène la bataille de la HBM au Nasdaq avec 26,5 milliards
SK hynix a fait ses débuts en bourse aux États-Unis avec une opération qui bouleverse l’échelle financière du marché de la mémoire. Le fabricant sud-coréen a levé 26,5 milliards de dollars grâce à une émission de certificats de dépôt américains (ADR) sur le Nasdaq, une somme qu’il compte investir dans l’agrandissement de la production de […]
Samsung et SK hynix repoussent le hybrid bonding dans la HBM
La mémoire HBM est devenue l’un des composants les plus disputés de l’infrastructure IA : NVIDIA, AMD, les fournisseurs cloud et les fabricants d’accélérateurs réclament des piles de mémoire toujours plus rapides, denses et efficaces pour alimenter leurs GPU et ASIC. Cette course ne se joue pas seulement sur la capacité en gigaoctets à côté […]
DRAM +13-18 %, NAND +10-15 % au T3 : la demande IA maintient la mémoire sous pression
La mémoire continue de grimper en 2026. Selon les dernières prévisions de TrendForce, les prix contractuels de la DRAM conventionnelle augmenteront de 13 à 18 % d’un trimestre à l’autre au T3, et ceux de la NAND Flash de 10 à 15 %. Ces hausses sont inférieures à celles du T2 (+53 à +63 % […]
TSMC + Winbond : l’intégration mémoire 3D WoW entre dans la course IA
Selon des médias économiques taïwanais, TSMC aurait intégré Winbond dans sa chaîne d’approvisionnement pour la fabrication de futures puces d’intelligence artificielle utilisant la technologie Wafer-on-Wafer (WoW). Cette technique d’intégration 3D empile des wafers de mémoire sur des wafers logiques via une liaison hybride. Aucune confirmation officielle n’a été donnée, mais la tendance qu’illustre cette information […]
Exynos 2600 : Heat Path Block et LPDDR5X miniaturisée
Avec l’Exynos 2600, Samsung ne joue pas uniquement sur le nœud de fabrication en 2 nm. La vraie nouveauté est dans l’empaquetage. L’entreprise réorganise la position de la mémoire LPDDR5X à l’intérieur du package pour libérer des chemins thermiques jusqu’ici obstracts. Et, selon des fuites corriennes relevées par le blog yeux1122 et reprises par Wccftech, le […]