Samsung HBM5E D1d : la feuille de route mémoire IA vacille

ai close up of a samsung hbm memory stack next to a dram silico m6d4XR

Samsung Electronics aurait pris une décision lourde de conséquences pour l’industrie des semi-conducteurs : revoir, et reporter sans date précise, la mise en fabrication de la D1d DRAM, septième génération de mémoire DRAM de classe 10 nm. Selon un rapport publié par IT Chosun, les performances internes n’auraient pas atteint les objectifs fixés, et la […]

Pénurie DRAM IA : tension extrême jusqu’en 2027 chez Samsung, SK Hynix et Micron

Pénurie DRAM IA modules mémoire datacenter

La pénurie DRAM IA n’est plus un simple accident de parcours sur le marché des semi-conducteurs : c’est désormais une contrainte structurelle qui va peser sur toute l’industrie technologique jusqu’en 2027 au minimum. Selon Nikkei Asia et Counterpoint Research, les trois géants de la mémoire — Samsung, SK Hynix et Micron — ne couvriront qu’environ […]

Pénurie de mémoire DRAM : Apple, Samsung et la guerre des puces en 2026

Pénurie de mémoire DRAM 2026 : puces semi-conducteurs Apple Samsung SK hynix

Une hausse de 125 % des prix annuels de la DRAM et de 234 % pour la NAND flash d’ici fin 2026 selon Gartner — voilà les chiffres qui structurent la nouvelle bataille industrielle la plus intense depuis la crise des semi-conducteurs de 2021. Et au cœur de cette tempête, un acteur inattendu s’impose : […]

ASML relève ses prévisions 2026 : l’IA efface le recul chinois

Machine de lithographie EUV ASML dans une salle blanche — prévisions 2026 semi-conducteurs IA

Dans un environnement géopolitique toujours aussi tendu autour des semi-conducteurs, ASML vient de livrer un message sans ambiguïté au marché : la demande mondiale en puces pour l’intelligence artificielle est assez puissante pour compenser, et au-delà, le recul des ventes en Chine. Le fabricant néerlandais d’équipements de lithographie a publié ses résultats du premier trimestre […]

Phison alerte : la pénurie de mémoire NAND liée à l’IA pourrait durer dix ans

Pénurie de mémoire NAND Flash causée par la demande en intelligence artificielle en 2026

Trente pour cent. C’est la part approximative de la demande mondiale de mémoire NAND Flash qui, selon plusieurs estimations sectorielles, est désormais absorbée par l’infrastructure d’intelligence artificielle. Ce chiffre, en progression rapide, est au cœur de l’alerte lancée par K.S. Pua, fondateur et directeur général de Phison Electronics : le déséquilibre structurel entre l’offre de […]

Rubin retardé : SK hynix pourrait réduire ses livraisons de HBM4

SK hynix marque une étape avec la première NAND QLC de 321 couches : l'avenir du stockage pour l'ère de l'IA

La montée en puissance de Vera Rubin, la prochaine plateforme NVIDIA pour les centres de données IA, rencontrerait plus de difficultés que prévu. Conséquence directe : SK hynix envisagerait une réduction de 20 à 30 % de ses expéditions de HBM4 prévues pour NVIDIA en 2026, selon des sources industrielles asiatiques. Ni NVIDIA ni SK […]

Samsung et SK hynix relancent le NAND avec des SSD taillés pour l’IA

Samsung lance la production de masse de la V-NAND V9 QLC, révolutionnant l'industrie des SSD

La mémoire NAND revient au cœur des préoccupations. Après des trimestres dominés par la HBM et la DRAM, Samsung et SK hynix constatent un regain d’intérêt porté par les SSD professionnels, la hausse des prix et la demande IA. TrendForce anticipe +70-75 % sur les prix NAND au T2 2026. Marges de 40-50 % pour […]

Samsung déplace le capteur thermique vers le câblage en 2 nm

Samsung redouble son pari sur le « DTCO » : ainsi, elle souhaite exploiter chaque nanomètre en combinant conception et procédé pour améliorer les performances, la surface et la consommation

Samsung Foundry intègre le capteur thermique dans le câblage des puces 2 nm pour gagner espace et efficacité. Présenté à l’ISSCC 2026. En libérant de la surface pour les transistors actifs, Samsung améliore la précision thermique pour une meilleure gestion de fréquence. Cette innovation complète le chiplet GaN d’Intel pour les data centers et la […]

Samsung : l’inspection du hybrid bonding, clé du HBM nouvelle génération

Samsung accélère l'inspection du bonding hybride pour le futur HBM

Samsung Electronics déploie une étape clé pour la prochaine génération de mémoires avancées : l’inspection non destructive du hybrid bonding. Selon le média sud-coréen TheElec, le groupe valide de nouveaux équipements capables de détecter des microdéfauts sur les interfaces de liaison, avec Onto Innovation comme fournisseur le plus avancé à ce stade. Cette démarche s’inscrit […]