YMTC prépare une grande introduction en bourse pour renforcer la mémoire NAND chinoise
La Chine prépare une nouvelle opération boursière majeure dans son secteur des semi-conducteurs. CCSH Corporation, la société mère de Yangtze Memory Technologies Corporation (YMTC), a lancé le processus pour s’inscrire sur le STAR Market de Shanghai, avec un plan d’investissement associé de 33 milliards de yuans, soit environ 4 milliards d’euros, destiné principalement à augmenter […]
SanDisk veut associer la NAND aux GPU d’IA, mais HBF ne remplacera pas le HBM
SanDisk s’efforce d’ouvrir une nouvelle catégorie de mémoire pour l’intelligence artificielle avec la High Bandwidth Flash (HBF), une technologie qui vise à rapprocher de grandes quantités de NAND des accélérateurs, sans supporter le coût et les limitations de capacité de la mémoire HBM. Sa proposition a gagné en visibilité lors de l’Investor Day organisé le […]
YMTC est déjà le troisième plus grand fabricant de NAND et exerce une pression sur ses rivaux
Yangtze Memory Technologies (YMTC) a franchi une étape importante pour l’industrie chinoise des semi-conducteurs. Le fabricant s’est hissé, au second trimestre 2026, au rang de troisième fournisseur mondial de mémoire NAND Flash par volume de bits envoyés, avec environ 14 % du marché, selon Counterpoint Research. Cette donnée prend une importance particulière car elle coïncide […]
SK hynix prépare une capacité NAND 50 % supérieure en Chine en raison de la forte demande pour les SSD
SK hynix se prépare à une expansion majeure de sa capacité de production de mémoire NAND Flash en Chine pour répondre à la croissance du stockage d’entreprise et des centres de données axés sur l’intelligence artificielle. La société sud-coréenne, via Solidigm, relance la deuxième phase de son usine de Dalian, qui pourrait apporter entre 30 […]
SK hynix investira 54 billions de wons dans de nouvelles usines de DRAM et NAND pour l’ère de l’IA
SK hynix a donné son approbation à un investissement d’environ 54 billions de won sud-coréens pour la construction de deux nouvelles usines de mémoire en Corée du Sud : l’une dédiée principalement à la DRAM et à l’HBM, et l’autre axée sur le NAND Flash. La société consacrera 35,2 milliards de won à l’usine Y2 […]
SanDisk: la NAND pour datacenters fait exploser ses revenus
SanDisk clôture son exercice fiscal 2026 avec des revenus de 20 250 millions de dollars, en hausse de 175 % sur un an, et un bénéfice net de 11 430 millions de dollars. Le fabricant de mémoire NAND attribue cette performance à la hausse des prix, à des volumes plus importants et, surtout, à l’expansion […]
Samsung présente la zHBM et une NAND de plus de 400 couches pour la prochaine génération d’infrastructure IA
Samsung a profité du Future of Memory and Storage (FMS) 2026 pour présenter l’une des feuilles de route les plus ambitieuses du secteur de la mémoire. La société a dévoilé zHBM, un nouveau concept de mémoire haut débit conçu pour s’intégrer directement sur les accélérateurs d’intelligence artificielle, ainsi que V10 BV-NAND, la toute première architecture […]
L’IA stimule la mémoire : CXMT croît de 716 % tandis que Sandisk enregistre des records avec la NAND
Le marché mondial de la mémoire connaît l’une de ses plus importantes transformations ces dernières années. Alors que le fabricant chinois CXMT a multiplié par plus de sept ses revenus en DRAM au cours du deuxième trimestre 2026, Sandisk a récemment clôturé son exercice le meilleur de son histoire, enregistrant une augmentation de 175 % […]
NAND : TrendForce prévoit un mieux pour la pénurie fin 2027
La pénurie mondiale de mémoire NAND Flash pourrait commencer à se résorber au second semestre 2027. Selon TrendForce, l’offre en bits dépasserait alors la demande, grâce à des améliorations de procédé en Corée du Sud, aux États-Unis et au Japon, à une production chinoise en hausse, et à la faiblesse persistante des marchés du smartphone […]
DRAM +13-18 %, NAND +10-15 % au T3 : la demande IA maintient la mémoire sous pression
La mémoire continue de grimper en 2026. Selon les dernières prévisions de TrendForce, les prix contractuels de la DRAM conventionnelle augmenteront de 13 à 18 % d’un trimestre à l’autre au T3, et ceux de la NAND Flash de 10 à 15 %. Ces hausses sont inférieures à celles du T2 (+53 à +63 % […]