Samsung a profité du Future of Memory and Storage (FMS) 2026 pour présenter l’une des feuilles de route les plus ambitieuses du secteur de la mémoire. La société a dévoilé zHBM, un nouveau concept de mémoire haut débit conçu pour s’intégrer directement sur les accélérateurs d’intelligence artificielle, ainsi que V10 BV-NAND, la toute première architecture NAND du marché basée sur l’union de wafers avec plus de 400 couches, et zNAND-O, une nouvelle solution orientée vers les charges de travail IA en edge.

Les clés de la nouvelle mémoire Samsung en 30 secondes

• Samsung présente zHBM, une architecture qui place la mémoire HBM directement sur l’accélérateur IA.
• La société affirme que cela pourrait offrir jusqu’à huit fois la performance de HBM5 et multiplier par dix sa densité.
• Elle annonce aussi V10 BV-NAND, la première NAND comptant plus de 400 couches, basée sur la technologie d’union de wafers.
• Cette nouvelle génération augmente la densité de 58 % par rapport à la V9 et améliore les performances de lecture, d’écriture et d’entrée/sortie.
• Samsung complète sa feuille de route avec zNAND-O, visant des applications IA en temps réel.

Ces innovations arrivent à un moment où l’industrie cherche de nouvelles manières d’éliminer les goulets d’étranglement entre processeurs et mémoire, un des principaux défis pour entraîner et exécuter des modèles d’intelligence artificielle de plus en plus volumineux.

zHBM révolutionne l’architecture traditionnelle de la mémoire HBM

La grande nouveauté présentée par Samsung est zHBM, une architecture conceptuelle qui rompt avec le design habituel de la mémoire à haut débit.

Dans les plateformes actuelles, les puces HBM sont placées à côté du processeur ou de l’accélérateur via des interposers avancés. Avec zHBM, Samsung propose un empilement vertical de la mémoire directement sur l’accélérateur IA, réduisant ainsi la distance physique que parcourent les données.

Selon la société, cette approche permettrait d’augmenter considérablement à la fois le débit et l’efficacité énergétique des systèmes dédiés à l’entraînement et à l’inférence de modèles IA.

Samsung avance qu’une interface future basée sur cette architecture pourrait atteindre :

• Jusqu’à huit fois la performance de HBM5.
• Plus de dix fois la densité de mémoire par rapport à HBM5.
• Une amélioration de trois fois de l’efficacité énergétique.
• Plus de 50 % de réduction de la résistance thermique, favorisant la stabilité des systèmes à haute capacité.

L’entreprise envisage aussi que l’espace intermédiaire entre l’accélérateur et la mémoire puisse accueillir des blocs IP personnalisés, permettant ainsi d’adapter chaque solution aux besoins spécifiques de ses clients.

Cependant, il faut noter que zHBM demeure, pour l’instant, un concept, présenté comme partie intégrante de la feuille de route technologique de Samsung, sans date de lancement commerciale annoncée.

V10 BV-NAND dépasse les 400 couches

La seconde grande innovation concerne V10 BV-NAND, une nouvelle génération de mémoire flash introduisant pour la première fois une architecture nommée Bonding V-NAND (BV-NAND).

La principale différence par rapport aux générations précédentes réside dans l’utilisation d’une nouvelle technologie de bonding de wafers, par laquelle différentes plaquettes sont assemblées physiquement pour construire des structures NAND de très haute empilement.

Grâce à cette conception, Samsung dépasse la barre des 400 couches, un nouveau jalon pour l’industrie.

D’après les données communiquées par la société, V10 BV-NAND permet de :

• Augmenter la densité d’environ 58 % par rapport à la V9.
• Améliorer les performances de lecture et d’écriture.
• Augmenter les vitesses d’entrée/sortie (I/O).
• Réduire la consommation énergétique.

Ces améliorations sont principalement destinées à de futurs systèmes de stockage pour centres de données et applications IA.

zNAND-O mise sur l’IA en edge

Samsung a également présenté zNAND-O, une architecture encore en développement.

Il s’agit d’une mémoire basée sur V-NAND conçue spécifiquement pour des applications où la latence est critique, comme l’IA exécutée près du lieu où les données sont générées.

La société travaille actuellement sur des versions à quatre et huit couches, et affirme qu’elle combinera une meilleure efficacité spatiale, de meilleures performances d’entrée/sortie, et des temps de réponse plus courts que les NAND traditionnels.

Une stratégie complète pour les centres de données IA

En plus de ces développements expérimentaux, Samsung a profité de FMS 2026 pour actualiser sa feuille de route commerciale.

Parmi les solutions présentées figurent :

• HBM4E.
• HBM5.
• LPDDR5X-PIM, mémoire avec capacité de traitement intégrée.
• Les unités SSD d’entreprise PM1763 et BM1773.

L’entreprise insiste également sur sa stratégie en tant que fabricant intégré, combinant mémoire, fonderie de puces et technologies avancées d’encapsulation pour offrir des solutions complètes destinées aux centres de données et infrastructures IA.

Cette présentation confirme que le marché de la mémoire traverse une nouvelle étape, où il ne suffit plus d’augmenter le nombre de couches ou la vitesse des puces. Les fabricants cherchent à repenser l’architecture même de la mémoire pour répondre aux exigences croissantes de bande passante, de consommation d’énergie et de capacité que requièrent les accélérateurs IA.

Questions fréquentes

Qu’est-ce que zHBM ?

Il s’agit d’un nouveau concept de mémoire présenté par Samsung, qui propose d’empiler la mémoire HBM directement sur les accélérateurs IA afin de réduire la distance que parcourent les données et d’augmenter la performance.

Est-ce disponible commercialement ?

Non. Samsung a présenté zHBM comme un modèle conceptuel dans le cadre de sa vision pour les architectures futures de mémoire.

Que apporte V10 BV-NAND ?

Il introduit une nouvelle architecture basée sur l’union de wafers dépassant les 400 couches et permet, selon Samsung, d’augmenter la densité d’environ 58 % par rapport à la génération précédente.

Qu’est-ce que zNAND-O ?

C’est une architecture NAND en cours de développement, orientée vers des applications IA en edge où la faible latence est essentielle.