SK hynix a donné son approbation à un investissement d’environ 54 billions de won sud-coréens pour la construction de deux nouvelles usines de mémoire en Corée du Sud : l’une dédiée principalement à la DRAM et à l’HBM, et l’autre axée sur le NAND Flash. La société consacrera 35,2 milliards de won à l’usine Y2 du cluster de Yongin, et 19,1 milliards de won à la future M17 de Cheongju, marquant ainsi l’un de ses plus grands mouvements industriels pour répondre à la croissance de la demande en mémoire liée à l’intelligence artificielle.

Les essentiels de l’investissement de SK hynix en 20 secondes

• SK hynix investira environ 54 milliards de won dans deux nouvelles usines.
• Y2, à Yongin, produira de la HBM et de la DRAM de nouvelle génération.
• M17, à Cheongju, étendra la capacité de NAND Flash, notamment pour les SSD destinés aux entreprises.
• Les premières salles blanches ouvriront en décembre 2028 et en juin 2029.
• La société prévoit une croissance annuelle composée de la demande en DRAM et NAND de 19 % jusqu’en 2030.

Cette décision intervient à un moment où la mémoire ne joue plus un rôle secondaire dans la course à l’intelligence artificielle. Les accélérateurs ont besoin de HBM pour alimenter les GPU avec de grands volumes de données, les serveurs intègrent des quantités croissantes de DRAM, et l’inférence augmente également la demande en stockage NAND haute performance.

Pour SK hynix, ce changement ne représente pas un cycle temporaire. La société considère que la mémoire devient une composante essentielle de l’infrastructure déterminant directement la performance des systèmes d’IA.

Yongin Y2 : plus de capacité pour la HBM et la DRAM

La majeure partie de l’investissement sera consacrée à Yongin Y2, la deuxième des quatre usines prévues au sein du cluster de semi-conducteurs de Yongin.

SK hynix allouera 35,2 milliards de won à cette installation, qui couvrira environ 1,13 million de mètres carrés de superficie construite. Les travaux débuteront en juillet 2027, et la première salle blanche devrait être opérationnelle en juin 2029.

Elle aura pour mission de produire :

• de la HBM de nouvelle génération ;
• de la DRAM avancée ;
• d’autres produits mémoire principalement destinés aux systèmes haute performance.

Déjà en construction, Y1, dont la première salle blanche est prévue pour février 2027, précède cette étape. Y2 s’inscrit dans un projet beaucoup plus vaste.

SK hynix a aussi décidé d’accélérer tout le calendrier de Yongin. Le plan initial, qui visait la complétion des quatre usines d’ici 2045, est maintenant repoussé à 2033, soit douze ans plus tôt que prévu.

Le cluster complet occupe environ 4,16 millions de mètres carrés et sa structure de base pour l’électricité et l’eau pour les premières phases était déjà à 99 % achevée lorsque l’entreprise a annoncé cet investissement.

Cheongju M17 : l’IA stimule aussi la demande en NAND

La seconde usine sera M17, située à Cheongju.

SK hynix investira environ 19,1 milliards de won dans ce complexe, qui couvrira environ 680 000 mètres carrés.

Les travaux débuteront en février 2027, avec une première salle blanche prévue pour décembre 2028.

M17 sera principalement orientée vers l’augmentation de la production de NAND Flash.

Cette partie de l’investissement est particulièrement intéressante car elle démontre que l’impact de l’intelligence artificielle ne se limite pas à la HBM.

La croissance des services d’IA accélère également la demande en SSD pour entreprises, utilisés pour alimenter d’énormes ensembles de données et stocker les informations durant les processus d’entraînement et d’inférence.

TrendForce indique également que la proportion de SSD dans le secteur du NAND de SK hynix a fortement augmenté : passant d’environ 50 % des revenus NAND au second trimestre 2025 à près de 70 % au second trimestre 2026.

Le cache KV commence aussi à transformer le marché du stockage

SK hynix mentionne explicitement un autre phénomène qui augmente la nécessité en NAND : le KV Cache.

Lors de l’inférence d’un vaste modèle de langage, des vecteurs de clés et de valeurs sont générés, pouvant être réutilisés pour éviter de recalculer certains processus. Plus la conversation est longue ou que la fenêtre de contexte est grande, plus cette mémoire cache doit être importante.

Traditionnellement, une grande partie du KV Cache réside dans la mémoire à haute vitesse, mais les architectures IA commencent à utiliser un stockage rapide comme niveau supplémentaire lorsque les volumes augmentent.

Cela crée de nouvelles opportunités pour les SSD destinés aux entreprises.

L’émergence d’agents d’IA, de modèles avec des contextes beaucoup plus étendus, et de systèmes d’IA physique pourrait encore augmenter cette demande dans les années à venir. SK hynix cite précisément le KV Cache comme l’une des raisons pour étendre sa production de NAND.

Un investissement de 54 milliards dans un plan beaucoup plus vaste

Les deux projets récemment approuvés ne représentent qu’une partie d’une stratégie industrielle de grande envergure.

SK hynix maintient un plan d’investissement pouvant atteindre :

Yongin deviendra l’un des plus grands pôles mondiaux de production mémoire avancée, tandis que Cheongju étendra sa capacité NAND en utilisant déjà ses usines M11, M12 et M15, ainsi que l’infrastructure électrique et hydraulique existante.

Cette infrastructure préalable a notamment influencé le choix de Cheongju pour la M17, permettant une mise en service plus rapide.

La demande en mémoire devrait croître de 19 % par an jusqu’en 2030

Le chiffre qui explique l’importance de ces investissements provient des prévisions de SK hynix.

Selon Omdia, cité par la société, la demande en DRAM et NAND croîtrait à un taux annuel composé de 19 % entre 2025 et 2030.

Ce rythme est exceptionnel pour une industrie aussi mature que celle de la mémoire.

L’intelligence artificielle transforme aussi la composition de cette demande.

Pour la DRAM, les priorités se déplacent vers :

• la HBM ;
• la mémoire DDR5 pour serveurs ;
• des solutions spécialisées pour les accélérateurs.

Pour le NAND, la croissance provient principalement de :

• SSD pour entreprises ;
• stockage pour centres de données ;
• caches d’inférence ;
• nouvelles architectures pour l’IA.

TrendForce signale également que l’augmentation de la consommation de HBM pourrait exercer une pression sur l’offre de DRAM classique, car les fabricants doivent choisir comment répartir leur capacité limitée entre différents produits.

L’expansion des usines ne signifie pas une augmentation immédiate de la mémoire

Cet investissement ne réglera pas immédiatement la tension actuelle du marché.

Une usine de semi-conducteurs met plusieurs années à passer de la phase de construction à la production commerciale.

Même après l’ouverture de la première salle blanche, il faut encore installer les machines, qualifier les processus, améliorer les rendements et augmenter progressivement la production.

SK hynix explique que les usines seront construites selon le calendrier prévu, mais l’installation des équipements et l’extension effective des salles blanches se feront progressivement en fonction de la demande des clients.

Ainsi, Y2 et M17 sont principalement une réponse pour la fin de cette décennie.

À court terme, le marché dépendra surtout de la capacité existante et des améliorations apportées aux lignes de production actuelles.

La mémoire devient une infrastructure stratégique pour l’IA

Durant les premières années de la bulle actuelle de l’intelligence artificielle, une large part de la discussion concernait les GPU.

Il devient maintenant clair que l’accélérateur n’est qu’une pièce du système.

Un serveur d’IA nécessite :

GPU + HBM + DRAM + stockage + réseau + énergie

Si l’un de ces éléments devient un goulot d’étranglement, la performance de l’ensemble du système en pâtit.

SK hynix occupe une position particulièrement stratégique en intervenant dans plusieurs de ces domaines via la HBM, la mémoire conventionnelle et le NAND d’entreprise.

La société estime que dans ce marché, il ne suffit plus d’avoir la technologie la plus avancée. Il faut aussi être capable de fournir la capacité nécessaire exactement au moment où le client doit la déployer.

L’approbation simultanée de Y2 et M17 illustre parfaitement cette évolution.

Il ne s’agit pas uniquement de produire plus de RAM ou de puces pour SSD. SK hynix prépare une capacité industrielle pour un scénario où les centres de données en IA consommeront des quantités de mémoire bien supérieures à celles d’aujourd’hui.

Et même si ces nouvelles usines ne commenceront pas à soulager le marché avant 2028-2029, leur construction montre que les fabricants planifient déjà l’infrastructure mémoire nécessaire à l’IA à la fin de la décennie.

Questions fréquemment posées

Combien SK hynix investira-t-elle dans ses nouvelles usines ?

La société a approuvé environ 54 milliards de won, répartis entre 35,2 milliards pour Yongin Y2 et 19,1 milliards pour Cheongju M17.

Que fabriquera l’usine Y2 ?

Y2 sera axée sur la production de HBM et de DRAM de nouvelle génération. La première salle blanche est prévue pour juin 2029.

Que produira M17 ?

L’usine M17 augmentera principalement la capacité en NAND Flash, en particulier face à la croissance des SSD pour entreprises utilisés dans l’infrastructure IA.

Ces nouvelles usines feront-elles baisser rapidement le prix de la RAM et des SSD ?

pas nécessairement. Les premières salles blanches n’ouvriront pas avant fin 2028 ou mi-2029, et la capacité sera déployée progressivement. Leur impact sera donc principalement à moyen et long terme.

Sources :