La mémoire continue de grimper en 2026. Selon les dernières prévisions de TrendForce, les prix contractuels de la DRAM conventionnelle augmenteront de 13 à 18 % d’un trimestre à l’autre au T3, et ceux de la NAND Flash de 10 à 15 %. Ces hausses sont inférieures à celles du T2 (+53 à +63 % pour la DRAM), mais elles confirment que le marché ne revient pas encore à un cycle normal.

Le moteur est connu : les centres de données IA continuent d’absorber de la mémoire RDIMM, HBM et des SSD d’entreprise à un rythme soutenu, pendant que la demande consommateur sur les PC, mobiles et électronique grand public recule. Quand deux vitesses aussi différentes coexistent, ce sont les segments à plus forte marge qui remportent les capacités de production.

Le tableau T3 : modération des hausses, pas inversion

La lecture correcte : le rythme d’augmentation ralentit parce que la base de comparaison T2 était déjà très haute et parce que la demande consommateur atteint ses limites de tolérance. Mais le plancher des prix reste bien au-dessus des niveaux de 2024-2025. Ce n’est pas un retournement, c’est une décélération dans une tendance haussière.

Pourquoi l’IA prime sur le consommateur

Les grands fournisseurs cloud et les hyperscalers qui déploient de l’infrastructure IA achètent des modules RDIMM, de la HBM (le composant mémoire intégré dans les accélérateurs comme H100 et B200) et des SSD NVMe haute performance. Ces produits se vendent avec des marges bien supérieures aux modules grand public. Un fabricant qui doit choisir entre allouer sa capacité à de la SODIMM pour portable ou à de la HBM pour GPU IA choisit sans hésiter la deuxième option.

TrendForce confirme que le marché de la DRAM reste très tendu au T3, les fournisseurs privilégiant les applications IA et serveurs plutôt que les segments à marges plus faibles. La poussée des centres de données IA en Europe illustre cette dynamique : chaque nouveau datacenter commandé représente des dizaines de milliers de modules mémoire haut de gamme à installer et maintenir.

Impact sur les portables, mobiles et SSD grand public

Pour les fabricants de PC, la pression est visible dans les chaînes d’approvisionnement. Les stocks de mémoire achetés à des coûts plus élevés se retrouveront dans les portables d’ici un ou deux trimestres. TrendForce met en garde contre une hausse des prix de détail sur les notebooks, à un moment où la demande reste plate.

Sur les smartphones, les marques doivent absorber des coûts plus élevés pour la LPDRAM. Augmenter les prix de vente en contexte de demande faible, c’est risquer de contracter les volumes. La réponse habituelle : réduire les plans de production et ajuster l’approvisionnement à la baisse, ce qui ne résout pas le problème de coût mais le décale.

En NAND Flash, la situation est binaire. Les SSD grand public, clés USB et cartes mémoire restent en territoire mou, mais les SSD d’entreprise sont sous tension constante. Un datacenter comme BCN1, le nouveau hub cloud de Digital Realty à Barcelone, nécessite des dizaines de milliers de SSD NVMe haute densité pour le stockage chaud des charges IA. Ce type de déploiement se chiffre en petawatts de storage, pas en téraoctets individuels.

Un marché structurellement modifié par l’IA

Le cycle DRAM/NAND était historiquement prévisible : phases de surplus, forte chute des prix, puis reprise à mesure que la demande absorbait les stocks. L’IA a modifié cette mécanique. Elle crée une demande nouvelle, massive et durable pour des produits à haute valeur ajoutée (HBM, RDIMM haute densité, SSD NVMe PCIe Gen5), et elle le fait via des acheteurs énormes — AWS, Azure, Google, Meta — qui signent des accords d’approvisionnement à long terme.

Cela offre une visibilité accrue aux fabricants (Samsung, SK Hynix, Micron), mais réduit leur intérêt à servir les segments à faible marge. Augmenter la capacité de production prend 24 à 36 mois (investissement dans de nouvelles lignes de fab). En attendant, même si la demande consommateur recule, le marché reste tendu parce que la capacité est aliénée vers l’IA.

Le T3 2026 ne sera pas le soulagement espéré. La hausse sera moins forte qu’au T2, mais les prix continueront de grimper pour les serveurs, portables, SSD et appareils mobiles. L’IA ne tire pas seulement sur les GPU : elle tire aussi sur la mémoire, les SSD, l’énergie et le foncier. Toute l’infrastructure tech monte avec elle.

Questions fréquentes

De combien la DRAM augmentera-t-elle au T3 2026 selon TrendForce ?

TrendForce prévoit une hausse de 13 à 18 % d’un trimestre à l’autre pour la DRAM conventionnelle au T3 2026. C’est moins que les +58 à +63 % du T2, mais les prix restent bien au-dessus des niveaux de 2024-2025.

Pourquoi la mémoire reste-t-elle chère alors que la demande consommateur baisse ?

Les centres de données IA achètent de gros volumes de DRAM haute densité (RDIMM, HBM) et de SSD d’entreprise avec des marges bien supérieures aux produits grand public. Les fabricants allouent leurs capacités vers ces segments, réduisant l’offre disponible pour les portables, mobiles et SSD consommateurs.

Qu’est-ce que la HBM et pourquoi est-elle en forte demande ?

La HBM (High Bandwidth Memory) est un type de mémoire intégré directement dans les accélérateurs IA comme les GPU Nvidia H100 et B200. Sa bande passante élevée est indispensable pour les opérations de calcul IA. La demande provient principalement des hyperscalers (AWS, Azure, Google, Meta).

Quand peut-on espérer une baisse des prix de la mémoire ?

Augmenter les capacités de production de semi-conducteurs prend 24 à 36 mois. Sauf ralentissement brutal de l’investissement IA, le marché devrait rester tendu au moins jusqu’en 2027. Une correction n’est possible qu’en cas de surstockage chez les hyperscalers ou de baisse structurelle de la demande IA.

Quels produits grand public seront les plus affectés ?

Les portables (SODIMM/LPDRAM), les smartphones (LPDRAM) et les SSD grand public (NAND Flash) subiront les hausses de coûts les plus directes. Les fabricants de PC et de mobiles devront choisir entre absorber les surcoûts sur leurs marges ou les répercuter sur les prix de détail.