LPDDR : Apple resserre l’étau sur les Android Ultra

La mémoire LPDDR devient plus chère et Apple fait pression sur Android Ultra

Les contrats DRAM grimpent de 58 à 63 % et la NAND Flash de 70 à 75 % au deuxième trimestre 2026, d’après les prévisions de TrendForce. Cette flambée touche tout le secteur mobile, mais elle ne pèse pas de la même manière sur tous les fabricants. Apple a reconnu que la mémoire affectera ses […]

DDR6 : 17 600 MT/s, nouveaux modules et arrivée fin 2028

La DDR6 commence à prendre forme : plus de bande passante, de nouveaux modules et arrivée prévue pour 2028

Samsung, SK hynix et Micron ont commencé à briefer leurs fournisseurs de substrats sur la prochaine norme de mémoire vive. Objectif affiché : avoir des modules DDR6 prêts pour 2028-2029, avec des vitesses qui démarreraient autour de 8 800 MT/s pour grimper jusqu’à 17 600 MT/s. La spécification finale reste entre les mains du JEDEC, […]

Micron : la pénurie mémoire IA n’en est qu’au début

Micron augmente la mise avec GDDR7 de 24 Gbit et 36 Gb/s : plus de VRAM et plus de bande passante pour la prochaine vague de GPU

Au sommet de la chaîne IA, on parle volontiers de GPU, de centres de données et de mégawatts. La pièce que peu de gens regardaient jusqu’ici, la mémoire, vient pourtant de prendre la première place dans les résultats trimestriels de Micron. Et ce que le fabricant américain annonce ne ressemble pas à un pic conjoncturel […]

Corée : l’IA pousse les exports à 85,9 G$, mémoire tendue

L'IA met à l'épreuve la chaîne PCB taïwanaise et concentre l'attention sur CCL et ABF

La Corée du Sud vient d’enchaîner un deuxième mois consécutif au-dessus des 80 milliards de dollars d’exportations, du jamais vu dans son histoire commerciale. En avril, le pays a vendu pour 85,89 milliards de dollars à l’étranger, en hausse de 48 % sur un an, portée par une demande qui ne cesse de surprendre : […]

HB3DM : Intel et SoftBank défient HBM avec une mémoire 3D plus dense

Intel se positionne comme la seule alternative réelle à TSMC et leader émergent dans l'emballage avancé, selon un analyste de Wall Street

Intel et SoftBank ont levé le voile sur HB3DM, leur projet commun de mémoire 3D conçu pour disputer le terrain à la HBM dans les charges d’intelligence artificielle. Derrière l’acronyme se cache une architecture baptisée Z-Angle Memory (ZAM), portée par SAIMEMORY, la filiale mémoire de SoftBank, et appuyée sur le savoir-faire d’Intel en empaquetage avancé. […]

Nanya entre dans la chaîne LPDDR5X de NVIDIA Vera Rubin

NVIDIA va plus loin dans sa stratégie des « usines d'IA » avec Vera Rubin DSX et un jumeau numérique prêt à les concevoir avant de les construire

Le fabricant taïwanais Nanya Technology aurait été retenu pour fournir de la mémoire LPDDR5X à la prochaine plateforme d’intelligence artificielle de NVIDIA, Vera Rubin. L’information, rapportée par plusieurs médias asiatiques de la filière semi-conducteurs, n’a été confirmée ni par NVIDIA ni par Nanya, mais elle a déjà fait bouger les valorisations boursières des fabricants taïwanais […]

Omdia relève à +62,7 % la prévision puces 2026, dopée par l’IA

Le marché du back-end des puces croît avec le conditionnement avancé

Omdia vient de muscler sa prévision pour le marché mondial des semi-conducteurs : +62,7 % de croissance des revenus en 2026, contre une trajectoire déjà ambitieuse en début d’année. Trois moteurs s’additionnent, la demande d’infrastructure d’intelligence artificielle, la pression sur la mémoire DRAM et NAND, et une pénurie de composants que le cabinet ne voit […]

Everpure : prix +70 % sous la pression IA sur les puces

Pure Storage présente FlashBlade//EXA™, la plateforme de stockage la plus puissante pour l'IA et le calcul haute performance.

Everpure, anciennement Pure Storage, a publié une lettre ouverte à ses clients pour justifier une hausse moyenne de 70 % sur ses prix depuis le début de 2026. Charles Giancarlo, président et PDG, l’explique par l’envolée des coûts des CPU, de la mémoire DRAM, des puces Flash et des autres semi-conducteurs essentiels, eux-mêmes tirés par […]

Samsung HBM5E D1d : la feuille de route mémoire IA vacille

ai close up of a samsung hbm memory stack next to a dram silico m6d4XR

Samsung Electronics aurait pris une décision lourde de conséquences pour l’industrie des semi-conducteurs : revoir, et reporter sans date précise, la mise en fabrication de la D1d DRAM, septième génération de mémoire DRAM de classe 10 nm. Selon un rapport publié par IT Chosun, les performances internes n’auraient pas atteint les objectifs fixés, et la […]

Pénurie de mémoire DRAM : Apple, Samsung et la guerre des puces en 2026

Pénurie de mémoire DRAM 2026 : puces semi-conducteurs Apple Samsung SK hynix

Une hausse de 125 % des prix annuels de la DRAM et de 234 % pour la NAND flash d’ici fin 2026 selon Gartner — voilà les chiffres qui structurent la nouvelle bataille industrielle la plus intense depuis la crise des semi-conducteurs de 2021. Et au cœur de cette tempête, un acteur inattendu s’impose : […]