Pénurie de mémoire HBM : comment NVIDIA a pris l’avance
La pénurie de mémoire est devenue l’un des principaux points de tension dans l’industrie technologique. Elle ne concerne plus uniquement le prix des modules DRAM de consommation ou des serveurs traditionnels. La demande croissante en intelligence artificielle a poussé la pression jusqu’à la mémoire HBM, LPDDR et autres composants essentiels à la construction d’accélérateurs, de […]
Micron fabrique la DRAM la plus avancée produite aux États-Unis en Virginie
Micron Technology a lancé la fabrication de mémoire DRAM 1-alpha dans son usine de Manassas, en Virginie, une étape que l’entreprise présente comme la technologie de mémoire la plus avancée produite à ce jour aux États-Unis. Cette démarche s’inscrit dans une stratégie plus large visant à renforcer la chaîne d’approvisionnement en mémoire en Amérique, à […]
Prix DDR5 : la Chine pourrait briser la bulle en 2027
Les prix de la mémoire DDR5 ont bondi de 414 % en Allemagne depuis juillet 2025, selon les données de 3DCenter relayées par Wccftech. Ce n’est pas un indicateur global de l’industrie, mais il illustre le choc pour les assembleurs de PC et les utilisateurs finaux. Derrière cette envoluté, c’est la demande IA qui a […]
Apple perd son rôle de client dominant en mémoire DRAM
Depuis des années, Apple était l’un des acheteurs les plus redoutés de la chaîne mondiale des composants. Son volume d’iPhones, d’iPads et de Mac lui permettait d’exiger des prix et de faire pression sur les fournisseurs. Cet avantage s’érode. Non pas parce qu’Apple recule, mais parce qu’un acheteur encore plus vorace a pris place à […]
Taïwan saisit les niches mémoire délaissées par la HBM
La course à la mémoire HBM produit un effet secondaire que les analystes commencent à chiffrer : en concentrant leurs ressources sur la mémoire à large bande passante pour accélérateurs IA, Samsung, SK Hynix et Micron laissent des pans entiers de la chaîne de valeur en sous-approvisionnement. DRAM conventionnelle, mémoire legacy, packaging avancé, tests — […]
CXMT lance la DDR5 8000 Mbps et réduit son retard
La Chine a son propre producteur de DDR5. ChangXin Memory Technologies (CXMT), principal fabricant chinois de DRAM, commercialise depuis novembre 2025 une gamme DDR5 pouvant atteindre 8 000 Mbps, disponible en densités de 16 Gb et 24 Gb, sous formats UDIMM, SODIMM, RDIMM et MRDIMM pour PC, stations de travail et serveurs. L’annonce avait une […]
Intel peut sortir gagnant avec la DDR5-SC1, mais pas tous les utilisateurs
Intel a un avantage que beaucoup n’ont pas anticipé avec la DDR5-SC1 : ses contrôleurs mémoire gèrent les modules à sous-canal unique, là où AMD AM5 décroche. Un document signé par Chih-Hua Ke, du département Product Performance Research de GIGABYTE, analyse en détail cette architecture et chiffre les impacts réels sur les différents types de […]
La mémoire s’emballe : Adata prévoit une hausse de 40 % pour la DRAM et NAND
La hausse des prix de la mémoire ne semble plus un simple pic ponctuel dans le cycle traditionnel des semiconducteurs. Adata, l’un des principaux fabricants taïwanais de modules DRAM et NAND, prévoit que les prix contractuels des deux types de mémoire augmenteront d’au moins 40 % au deuxième trimestre 2026. La principale raison demeure la […]
La HBM devient rare : SK hynix reçoit des offres sans précédent
SK hynix reçoit des offres inhabituelles de la part de grandes entreprises technologiques : des propositions pour financer ses lignes de production, voire ses équipements lithographiques. Selon Reuters, certains acteurs tech ont proposé d’investir dans des lignes dédiées et même d’aider à financer des scanners EUV d’ASML. Un interlocuteur résumait la situation sans détour : […]
Samsung et SK Hynix cherchent une autre voie face à la limite physique de la DRAM
La mémoire DRAM atteint une frontière technique délicate. Depuis des décennies, les fabricants ont réussi à augmenter la densité et à réduire le coût par bit en miniaturisant les cellules, en affinant la lithographie et en améliorant les matériaux. Cependant, avec la génération 1d, associée à la septième vague de DRAM en technologie 10 nm […]