NVIDIA aurait demandé à Samsung, SK hynix et Micron de produire la couche de base (base die) de sa mémoire HBM personnalisée, baptisée NVHBM, en utilisant le procédé de fabrication en 3 nanomètres de TSMC, selon le journal sud-coréen Seoul Economic Daily relayé par Wccftech. L’objectif serait d’unifier la production entre les trois fournisseurs pour réduire les étapes de validation. Aucune de ces entreprises n’a confirmé cette démarche.

Les points clés de la HBM sur mesure de NVIDIA en 20 secondes

• Selon la presse coréenne, NVIDIA souhaite que le base die de NVHBM soit fabriqué dans le process de 3 nm de TSMC.
• Samsung, qui réalise ses base dies en interne, aurait accepté.
• NVIDIA a annoncé NVHBM le 26 août dernier, promettant jusqu’à 30 % de bande passante supplémentaire par rapport à la HBM4E.

Le base die est la puce logique située en dessous des couches de mémoire DRAM empilées dans chaque module HBM, et qui gère la communication avec le processeur. Dans les premières générations, cette puce était fabriquée avec des processus mémoire, mais à partir de HBM4, elle s’effectue avec des processus logiques de fonderie, plus rapides et plus efficaces. Chaque fabricant de mémoire a choisi sa propre approche, et c’est précisément là où NVIDIA souhaite mettre de l’ordre, d’après le rapport.

Qu’est-ce que NVHBM et quelles annonces NVIDIA a-t-elle faites ?

Ce qui est confirmé, c’est la technologie. NVIDIA a présenté NVHBM le 26 août, dans le cadre de l’expansion de son programme NVLink Fusion, qui permet de connecter des accélérateurs tiers à sa plateforme en rack. L’objectif est de déplacer le contrôleur mémoire, qui réside jusqu’à présent sur la puce de l’accélérateur, vers le base die de la HBM, et de remplacer le bus parallèle large du standard JEDEC par un lien série plus étroit, conçu par NVIDIA. Nous avions expliqué cela en détail lors de notre article sur NVIDIA déplaçant le contrôleur mémoire dans la HBM.

Selon les données recueillies par TechRadar, NVHBM offrirait jusqu’à 30 % de bande passante supplémentaire par pile, avec une réduction de consommation allant jusqu’à 15 %, et jusqu’à 25 % de surface utile en plus sur la puce de l’accélérateur, toujours comparé à des échantillons de HBM4E standard. Counterpoint Research indique que la seule donnée facilement vérifiable à ce stade est la réduction de 67 % de la surface de l’interface, car la version de référence de la HBM4E n’est pas encore en production en volume.

Le calendrier reste flou. En août, SamMobile évoquait un lancement avec Rubin Ultra prévu pour l’année prochaine, tandis que NVIDIA, lors de sa conférence GTC en mars, annonçait que la génération Feynman, prévue pour 2028, comporterait une HBM personnalisée, comme le rappelle notre article sur les projets de NVIDIA pour Feynman. Le rapport coréen ne donne pas de dates précises pour les échantillons ou la production.

Pourquoi cela concerne surtout Samsung

SK hynix et Micron sont déjà dépendants de fonderies externes, principalement TSMC, pour produire leurs base dies avancés, ce qui facilite leur participation dans cette démarche. Samsung, en revanche, est une exception : elle conçoit et fabrique ses base dies en interne, en utilisant son processus de 4 nm pour la HBM4, conservant ainsi un système intégré. Selon le Seoul Economic Daily, Samsung aurait accepté de fabriquer le base die de NVHBM chez TSMC, tout en continuant de produire sa HBM standard en interne. La société envisagerait aussi d’utiliser sa propre fonderie si la demande dépassait la capacité de TSMC.

Ce mouvement n’est pas totalement inédit. À la mi-septembre, iNews24, média sud-coréen, rapportait que Samsung gardait la porte ouverte à l’option d’utiliser TSMC pour fabriquer ses base dies HBM sur mesure si un client en faisait la demande, sans contrat formel. Ceci s’inscrit également dans la stratégie de SK hynix, qui valide la HBM5 avec TSMC. Pour NVIDIA, l’intérêt principal serait d’avoir un seul design et un seul processus à valider, plutôt que trois variantes différentes.

L’aspect moins visible de cette démarche est le pouvoir accru de NVIDIA sur la chaîne d’approvisionnement. En concevant le base die et en décidant où il sera fabriqué, NVIDIA influence directement la production des fabricants de mémoire qui devront suivre ses spécifications. TSMC supplémentaire ainsi une pièce dans le module HBM. Wccftech relie le boom de la HBM à la prévision selon laquelle les pertes de la division fonderie de Samsung passeraient de 6,74 billions de wons en 2025 à 3,92 billions en 2026, une estimation non confirmée par l’entreprise elle-même.

Questions fréquentes

Qu’est-ce que NVHBM ?

C’est la mémoire HBM personnalisée présentée par NVIDIA le 26 août. Elle place le contrôleur mémoire sur le base die du module et utilise un lien série conçu par NVIDIA, à la place du bus standard JEDEC.

Est-il confirmé que Samsung fabriquera chez TSMC ?

Pas encore. La presse coréenne, se basant sur des sources du secteur, rapporte cette possibilité, mais ni NVIDIA, ni Samsung, ni TSMC ne l’ont officiellement confirmé.

Quand la HBM sur mesure de NVIDIA sera-t-elle disponible ?

Aucune date officielle n’a été communiquée. Certains médias évoquent Rubin Ultra pour 2027, et NVIDIA a confirmé la présence d’une HBM personnalisée pour Feynman, prévue pour 2028.

Sources :