L’arrivée de nouvelles usines de mémoire ne sera pas rapidement en mesure d’atténuer la pénurie qui affecte les serveurs, les ordinateurs et les appareils électroniques. Une analyse attribuée à Bank of America et relayée par des médias spécialisés indique que SK hynix pourrait n’atteindre qu’un cinquième de la capacité supplémentaire initialement prévue d’ici 2028.

Ce chiffre n’émane pas d’une prévision publique officielle de l’entreprise, mais d’estimations d’analystes. Il doit donc être considéré avec prudence, sans constituer un calendrier confirmé. Toutefois, il rejoint le message de Kwak Noh-jung, directeur général de SK hynix : 2027 pourrait être l’année la plus critique pour l’approvisionnement en mémoire, et la demande continuerait à dépasser l’offre au-delà de 2030, malgré les investissements annoncés.

Les clés de la capacité de SK hynix en 20 secondes

• La prétendue intégration d’à peine un sixième de la capacité prévue jusqu’en 2028 reste une estimation, non une directive officielle.
• SK hynix anticipe une pénurie particulièrement prononcée en 2027.
• La demande de mémoire HBM pour accélérateurs d’IA rivalise avec celle de la DRAM conventionnelle.
• Construire une usine ne signifie pas commencer la production immédiatement.
• Les nouvelles usines requièrent terrain, électricité, eau, salles blanches et équipements spécialisés.
• La Corée du Sud veut doubler sa production de DRAM en cinq ans.
• Samsung et SK hynix ont annoncé quatre nouvelles usines dans le sud-ouest du pays.
• Une grande partie de ces projets ne fournira pas de capacité significative avant la prochaine décennie.
• Samsung, SK hynix et Micron font face à une action collective pour manipulation présumée du marché.
• Les retards industriels peuvent soutenir le récit des plaignants, mais ne démontrent pas en soi une collusion sur les prix.

Fin juin, la Corée du Sud a présenté un programme d’investissement de 800 000 milliards de won, soit environ 518 milliards de dollars, comprenant deux nouvelles usines Samsung et deux autres SK hynix dans le sud-ouest du pays. Samsung a désigné Gwangju comme site potentiel pour son futur complexe, tandis que SK hynix doit encore fixer l’emplacement exact et sécuriser l’infrastructure nécessaire.

L’objectif politique est de doubler la production nationale de DRAM en cinq ans, mais les délais liés aux nouvelles installations ne s’accordent pas facilement avec cette ambition. Chey Tae-won, président de SK Group, rappelle que le développement du complexe de Yongin a nécessité neuf années, et que toute nouvelle usine demande beaucoup de terrain, d’électricité, d’eau et de main-d’œuvre qualifiée. Les projets annoncés dans le sud-ouest sont envisagés comme des investissements à long terme, avec une capacité significative prévue pour la décennie 2030.

Pourquoi une nouvelle usine met des années à produire de la mémoire

Les annonces massives d’investissement s’expriment souvent par des chiffres cumulés sur une ou plusieurs décennies. Toutefois, cet argent ne se traduit pas immédiatement en wafers disponibles.

Avant même d’installer une machine, le fabricant doit acheter le terrain, obtenir les permis, préparer les connexions électriques et assurer un approvisionnement en eau suffisant. La construction comprend des salles blanches avec des contrôles stricts de particules, température, humidité et vibrations.

Vient ensuite l’installation des équipements de lithographie, de dépôt, de gravure, de métrologie et d’inspection. Certains ont des délais de livraison de plusieurs années et nécessitent la présence de personnel spécialisé pour leur mise en service. Une usine moderne ne fonctionne pas comme une seule ligne : les wafers passent par des centaines d’étapes et reviennent régulièrement sur différents équipements.

La production commerciale démarre de façon progressive. Les premiers lots servent à ajuster les processus et à optimiser le rendement, c’est-à-dire le pourcentage de chips utilisables par wafer. Atteindre une cadence stable peut prendre plusieurs trimestres.

Il est donc essentiel de distinguer trois concepts souvent confondus :

Une entreprise peut réduire sa capacité mensuelle de wafers tout en produisant plus de mémoire si elle utilise un procédé permettant d’intégrer davantage de bits par wafer. Elle peut également fermer une ligne ancienne et en ouvrir une nouvelle plus avancée, ce qui limite la croissance nette de la capacité par rapport à la taille de la nouvelle usine.

Ce dernier point est également pris en compte dans l’analyse attribuée à Bank of America. Les expansions doivent tenir compte de la fermeture ou de la modernisation des anciennes unités, des périodes de transition et du temps nécessaire pour améliorer le rendement des processus.

Cela explique pourquoi les fabricants peuvent annoncer d’énormes investissements tout en anticipant la persistance de la pénurie. Le marché aura besoin de mémoire en 2026 et 2027, mais une part importante des nouvelles usines ne sera opérationnelle que plusieurs années plus tard.

SK hynix explore aussi des emplacements hors de la Corée du Sud pour ses futures usines de wafers, notamment aux États-Unis, au Japon et dans le sud-est asiatique. Ces options restent en phase d’évaluation, répondant à des besoins dépassant le seul cycle actuel des prix.

La mémoire HBM modifie la répartition géographique des usines de DRAM

La croissance de l’intelligence artificielle a non seulement amplifié la demande en mémoire, mais aussi changé le type de mémoire à produire.

La HBM, utilisée avec les GPU et autres accélérateurs, est construite en empilant plusieurs chips de DRAM reliés par des liens verticaux. Un seul module peut comporter de nombreuses couches, avec des processus avancés d’assemblage, de test et d’encapsulation.

Ce format offre un débit beaucoup plus élevé qu’une mémoire conventionnelle, mais nécessite plus de silicium et une chaîne de fabrication plus complexe. Les fabricants affectent leurs lignes les plus avancées aux produits nécessaires à Nvidia, AMD, aux fournisseurs cloud, et aux grands centres de données.

Ce choix a des implications pour la mémoire destinée aux serveurs classiques, aux ordinateurs et aux appareils grand public. Bien que HBM et DDR ne soient pas interchangeables, ils partagent une partie de la capacité industrielle, des outils et des savoir-faire.

La plainte déposée en Californie avance que Samsung, SK hynix et Micron auraient utilisé la transition vers HBM comme couverture pour réduire de manière concertée la production de DDR3 et DDR4. Selon les plaignants, cette stratégie aurait contribué à faire augmenter d’environ 700 % le prix de la DRAM conventionnelle depuis 2022. Ces allégations restent à prouver devant la justice.

L’adoption de HBM répond aussi à une logique commerciale claire. Un produit destiné aux accélérateurs d’IA offre des marges supérieures et est vendu via des contrats à de grands clients. En concentrant la capacité sur ces mémoires avancées, il devient moins attrayant de maintenir une capacité pour des modules plus anciens lorsque de nombreux ordres sont en attente pour des produits plus sophistiqués.

Cela ne signifie pas que la pénurie de DDR résulte uniquement de la montée en puissance de HBM. La fermeture de lignes anciennes, les changements de processus, la croissance pour les serveurs, et la prudence des fabricants après des cycles précédents d’excès d’offre jouent également un rôle.

Historiquement, le secteur de la mémoire a connu des phases alternant pénurie, hausses de prix et expansions qui conduisent à des excédents. Le problème actuel est que la capacité construite met plus de temps à se déployer que la croissance de la demande liée à l’IA.

Certains investisseurs craignent que les usines prévu es pour 2027 et 2028 ne génèrent une offre excédentaire. SK hynix reste persuadée du contraire, estimant que ces extensions ne suffiront pas à couvrir les besoins du marché dans les années à venir.

Pour les acheteurs d’infrastructures, cette incertitude complique la planification. Un opérateur de centres de données doit désormais estimer ses besoins en mémoire sur plusieurs années, sans savoir si les prix resteront élevés ou si une extension massive entraînera une correction du marché.

Les fabricants d’ordinateurs et de mobiles rencontrent une difficulté analogue. Ils peuvent réduire la quantité de RAM, augmenter les prix ou accepter des marges plus faibles. Dans le domaine des serveurs d’IA, la mémoire n’est plus un composant secondaire : elle détermine le nombre de modèles pouvant être chargés, la taille des contextes, et la capacité à gérer plusieurs inférences simultanément.

Les retards n’impliquent pas une manipulation des prix

La nouvelle action collective déposée le 25 juin 2026 devant le tribunal du district du Nord de la Californie accuse Samsung, SK hynix et Micron de coordonner depuis 2022 l’offre et les prix de la DRAM conventionnelle. Seize plaignants demandent la qualification du dossier en action de groupe, ainsi que des indemnités et des mesures pour faire cesser ces pratiques présumées.

Les informations sur la lenteur de l’augmentation de capacité peuvent renforcer leur argumentation : il existe d’immenses barrières pour l’entrée de nouveaux concurrents, et ces trois fabricants détiennent une part très dominante du marché mondial.

Cependant, une usine mettant dix ans à se construire ne prouve pas en soi une entente illicite. Ce délai peut également refléter les vraies restrictions d’une industrie très capitalistique, énergivore, nécessitant beaucoup d’eau, de machines et de personnel spécialisé.

Cela a déjà été déterminant dans une procédure précédente. En 2018, une plainte contre ces mêmes entreprises accusait une coordination de réduction de la production. L’affaire avait été rejetée, la décision confirmée en 2022, car la conduite décrite pouvait s’expliquer par des choix indépendants, sans preuve suffisante d’un accord illicite entre concurrents.

La nouvelle plainte tente de surmonter cet obstacle en évoquant également la migration vers la HBM comme élément supplémentaire. Le tribunal devra alors analyser si ces décisions parallèles résultent d’un partage d’incitations économiques ou d’une véritable coordination illicite.

Les retards chez SK hynix peuvent être interprétés dans les deux sens. Les plaignants pourraient s’en servir pour soutenir que l’offre restera limitée, tandis que la défense pourrait arguer que l’augmentation rapide de capacité était techniquement impossible, sans pacte explicite.

La mention d’une capacité estimée à un sixième est frappante, mais ne modifie pas en soi cette polémique. Il faut d’abord connaître la capacité initiale envisagée dans l’estimation, quels usines elle englobe, la part liée à la fermeture de sites anciens, et comment est calculée la production finale de bits.

La conclusion la plus claire pour le secteur n’est pas juridique, mais industrielle : la mémoire supplémentaire arrivera plus tard que ne le nécessitent les clients. Tant que l’investissement dans l’IA se maintiendra, SK hynix, Samsung et Micron conserveront une influence importante dans leurs choix de produits et de clients.

Questions fréquentes

SK hynix a-t-elle confirmé qu’elle n’ajoutera qu’un sixième de la capacité prévue ?
Non. Ce chiffre provient d’une analyse attribuée à Bank of America et relayée par des médias spécialisés. La société ne l’a pas intégrée dans une prévision officielle publique.

Pourquoi la fabrication de HBM impacte-t-elle la mémoire DDR ?
Les deux produits utilisent des chips de DRAM et partagent une partie de l’infrastructure industrielle. Prioriser HBM peut réduire les ressources disponibles pour les mémoires classiques.

Quand les prix de la mémoire pourraient-ils baisser ?
Aucune échéance précise n’est connue. Certains analystes anticipent plus de capacité d’ici 2027 ou 2028, tandis que SK hynix pense que la demande restera supérieure à l’offre après 2030.

La demande indique-t-elle que les fabricants manipulent les prix ?
Pas nécessairement. La plainte contient des accusations qui devront être prouvées. La hausse des prix et des décisions de production parallèles ne suffisent pas en soi à établir une collusion illicite.