Samsung Electronics redobla sus esfuerzos en la carrera por la memoria para inteligencia artificial. Después de comenzar a mediados de año la producción comercial de HBM4, la compañía surcoreana habría logrado que el rendimiento de fiabilidad de HBM4E, su próxima generación, supere ya el 70 %, según datos del sector difundidos en Corea. Aunque esta cifra no indica que el producto esté completamente maduro, sí sugiere que el desarrollo ha entrado en una fase más estable de lo habitual para una tecnología aún en proceso de validación.

En memoria HBM, la tasa de rendimiento (yield) es tan importante como la velocidad. Un chip puede ofrecer mayor ancho de banda, más capas o mejor eficiencia, pero si el porcentaje de unidades funcionales es bajo, los costes se disparan y la capacidad de suministro real se limita. La industria suele considerar que un proceso se acerca a la madurez cuando el yield ronda el 80 % o más. Por ello, superar el 70 % en pruebas de fiabilidad para HBM4E posiciona a Samsung de manera más sólida para las evaluaciones de clientes y para una futura escalada de producción.

Esta noticia llega en un momento delicado. La demanda de HBM continúa creciendo por el despliegue de aceleradores de IA, servidores de alto rendimiento y nuevas generaciones de GPUs. SK hynix ha liderado en gran medida el mercado reciente, Micron ha fortalecido su presencia, y Samsung busca recuperar terreno, apoyándose en una ventaja estructural: controla memoria, foundry y empaquetado avanzado dentro del mismo grupo empresarial.

HBM4E: velocidad incrementada y una etapa crucial para Samsung

A finales de mayo, Samsung anunció el envío de muestras de HBM4E de 12 capas a clientes globales. Según la compañía, este producto alcanza velocidades de hasta 16 Gbps por pin y está diseñado para cargas de trabajo de IA de próxima generación. Además, Samsung afirmó que HBM4E supera en más del 20 % el rendimiento en velocidad respecto a HBM4, con mejoras en eficiencia energética y comportamiento térmico.

Este avance técnico es especialmente relevante porque HBM4E servirá como puente entre la primera ola de HBM4 y generaciones futuras como HBM5. La memoria de alto ancho de banda se ha convertido en uno de los componentes más escasos en la infraestructura de IA. Ya no basta con fabricar GPUs potentes: el rendimiento real depende de la cantidad de memoria, su ancho de banda, consumo y fiabilidad térmica.

Samsung inició en febrero la producción comercial de HBM4, que la propia empresa presentó como la primera en la industria, con un rendimiento consistente de 11,7 Gbps y capacidades de hasta 13 Gbps. Esta generación utiliza DRAM de 10 nm de sexta generación y un dado lógico base fabricado en 4 nm, estrategia con la que Samsung busca diferenciarse frente a sus competidores.

La mejora en HBM4E es decisiva porque la próxima gran competencia en suministro se dará con aceleradores de IA posteriores a los actuales. Se espera que NVIDIA, AMD y otros grandes diseñadores de ASIC cloud continúen empujando configuraciones con más memoria, paquetes mayores y requisitos térmicos más exigentes. En ese contexto, llegar primero no basta; es imprescindible tener un yield suficiente para asegurar suministro y rendimiento confiable.

D1d DRAM: la clave que mira hacia HBM5

Otro dato importante es el proceso D1d, la séptima generación de DRAM de 10 nm. Song Jai Hyuk, CTO de Samsung Electronics y responsable del Semiconductor Research Center, habría comunicado internamente que la competitividad técnica de D1d está por delante de sus competidores y que el desarrollo avanza con la meta de obtener la aprobación para producción, conocida como PRA, en noviembre.

La PRA es una fase interna crítica antes de la emisión y producción masiva. Evalúa si el proceso ofrece el rendimiento, la productividad, la estabilidad y la calidad necesarias para pasar a una etapa industrial. En productos como HBM, este paso es aún más delicado, ya que los fallos no se limitan a un solo dado. La memoria se apila, se interconecta y se integra en paquetes complejos que combinan lógica y otros componentes.

D1d es clave porque Samsung planea usarlo como base para HBM5. Si este proceso madura a tiempo, la compañía podrá mejorar la densidad, la eficiencia y el coste en la próxima generación de memoria para IA. En caso de retraso, las ventajas logradas con HBM4E podrían verse comprometidas frente a SK hynix y Micron.

Samsung ya enfrentó dificultades en etapas anteriores de HBM. Entre 2024 y 2025, diversos informes señalaron problemas en yield y homologación frente a la competencia. De hecho, TrendForce reportó que, el año pasado, los yields de la DRAM 1c de Samsung se situaban entre el 50 % y 70 %, mejorando respecto a fases previas donde estaban por debajo del 30 %.

La perspectiva actual es distinta. Si HBM4E supera el 70 % en pruebas de fiabilidad y D1d avanza hacia PRA, Samsung empieza a despejar dos de sus principales incógnitas: su capacidad de ejecución en HBM actual y su preparación para la próxima generación.

La fortaleza de Samsung: memoria, foundry y packaging en una misma estructura

Uno de los argumentos que Samsung repite en esta nueva etapa es su integración vertical. A diferencia de otros actores, la compañía combina en un mismo grupo la producción de memoria, foundry y empaquetado avanzado. Song Jai Hyuk afirmó en febrero que esta estructura proporciona un entorno favorable para fabricar los productos que requiere la IA, coordinando memoria, lógica y packaging.

Esta ventaja puede ser más valorada en HBM4 y HBM4E que en generaciones anteriores. La memoria de alto ancho de banda ya no es solo DRAM apilada; ahora incluye dice lógicos base, procesos de empaquetado avanzado, gestión térmica, interconexiones más densas y validación conjunta con aceleradores de clientes. Cuanto más compleja es la solución, mayor es la dependencia de una coordinación industrial eficiente.

No obstante, la integración vertical no garantiza liderazgo absoluto. SK hynix ha demostrado una ejecución muy sólida en HBM3E y HBM, y Micron ha ganado relevancia como un tercer gran proveedor. Los clientes de IA no compran promesas, sino suministro, rendimiento, eficiencia, estabilidad y cumplimiento de plazos. Samsung necesita transformar sus avances tecnológicos en volúmenes de producción confiables.

El yield se convierte en una variable estratégica

La competencia en HBM se ha medido muchas veces por velocidad por pin, número de capas y ancho de banda total. Sin embargo, la variable que más determina los márgenes y la disponibilidad es el yield. En generaciones avanzadas, cada punto porcentual puede suponer millones en capacidad útil y rentabilidad.

Un yield superior al 70 % en HBM4E no significa aún una producción totalmente madura, pero sí un cambio en la percepción. Indica que los problemas técnicos empiezan a ser manejables y permite a Samsung negociar con mayores garantías con grandes clientes, acelerar validaciones y prepararse con más credibilidad para la transición hacia HBM5.

Para el mercado de IA, esta noticia también es positiva. Cuantos más proveedores puedan ofrecer HBM avanzada con un yield suficiente, menor será la presión sobre una cadena de suministro todavía muy concentrada. La demanda de memoria para aceleradores seguirá creciendo, y cualquier mejora en capacidad ayuda a aliviar cuellos de botella.

Samsung aún no ha asegurado su liderazgo. SK hynix mantiene una posición fuerte y Micron también está ganando presencia. Pero superar el 70 % en HBM4E, si se confirma en producción y en evaluaciones de clientes, envía una señal clara: Samsung busca volver a liderar en la memoria más crucial de la era de la IA.

Preguntas frecuentes

¿Qué significa que Samsung haya superado el 70 % de yield en HBM4E?
Significa que más del 70 % de las unidades sometidas a pruebas de fiabilidad cumplen con los criterios requeridos. Aunque no implica una madurez total, es un avance importante en estabilidad de proceso.

¿Qué es HBM4E?
HBM4E es la evolución de HBM4, una memoria de alto ancho de banda diseñada para aceleradores de IA y sistemas de computación de alto rendimiento.

¿Por qué es tan importante el yield en HBM?
Porque HBM combina múltiples capas de memoria, dice lógicos, empaquetado avanzado y validación exigente. Si el yield es bajo, el coste por unidad funcional aumenta y la disponibilidad decrece.

¿Qué papel juega D1d DRAM?
D1d es la séptima generación de DRAM de 10 nm, prevista como base para futuras generaciones como HBM5. Su madurez será clave para mantener la competitividad.

¿Samsung lidera ya el mercado HBM?
No necesariamente. SK hynix sigue siendo un competidor muy fuerte y Micron está ganando terreno. Samsung busca recuperar liderazgo con HBM4, HBM4E y su estrategia de integración vertical.

Vía: X Jukan