Catégorie : Cloud

SK hynix avertit : la pénurie de wafers de mémoire pourrait durer jusqu'en 2030

Samsung et SK Hynix cherchent une autre voie face à la limite physique de la DRAM

La mémoire DRAM atteint une frontière technique délicate. Depuis des décennies, les fabricants ont réussi à augmenter la densité et à réduire le coût par bit en miniaturisant les cellules, en affinant la lithographie et en améliorant les matériaux. Cependant, avec la génération 1d, associée à la septième vague de DRAM en technologie 10 nm et à l’avancée vers des géométries de plus en plus proches des limites physiques, cette stratégie montre ses limites. Samsung Electronics et SK Hynix, deux géants sud-coréens de la mémoire, tracent désormais des chemins distincts pour dépasser cette impasse. Samsung explore une DRAM empilée verticalement en 16 couches, tandis que SK Hynix travaille sur une architecture 4F² Vertical Gate qui s’appuie sur une architecture proche

Micron envoie déjà un SSD de 245 To pour les centres de données d'IA

Micron envoie déjà un SSD de 245 To pour les centres de données d’IA

Micron a commencé à distribuer son nouveau SSD Micron 6600 ION de 245 téraoctets, une unité de stockage conçue pour les centres de données, qui répond directement à l’une des pressions les plus visibles dans l’infrastructure d’intelligence artificielle : stocker plus de données, occuper moins d’espace et réduire la consommation d’énergie par téraoctet. La société présente cette unité comme le SSD commercialement disponible de plus grande capacité sur le marché. La précision est essentielle, car d’autres fabricants avaient déjà montré ou annoncé des unités de capacité similaire, mais Micron insiste maintenant sur sa disponibilité commerciale. Ce produit est destiné aux charges de travail en intelligence artificielle, cloud, entreprises et infrastructures hyperéchelles, avec une attention particulière aux Data Lakes de nouvelle

TSMC et Intel se disputent un ingénieur clé : ce qui se cache derrière la possible plainte contre Wei Ren Luo

TSMC renforce Taïwan : 4 nm en Fab 15A et 1,4 nm pour 2028

TSMC prépare une nouvelle réorganisation de ses capacités à Taïwan afin de répondre à la demande croissante de puces avancées liées à l’Intelligence Artificielle, au calcul haute performance (HPC) et aux dispositifs de haute performance. Selon le journal Economic Daily News, relayé par TrendForce, la société taïwanaise modernise sa usine Fab 15A, située dans le parc scientifique de Taïwan central, en passant des processus éprouvés de 28 nm et 22 nm à une production en 4 nm. Ce mouvement revêt une double lecture. D’une part, TSMC augmente sa capacité sur des nœuds avancés sans dépendre uniquement de nouvelles installations. D’autre part, elle libère des équipements pour des processus plus matures qui pourraient être réutilisés dans l’usine européenne de Dresde, une

Kioxia souhaite que les SSD soient une pièce maîtresse des usines d'IA

Kioxia souhaite que les SSD soient une pièce maîtresse des usines d’IA

La course à l’Intelligence Artificielle ne se joue pas uniquement sur les GPU, mais également dans une couche plus discrète, cependant de plus en plus cruciale : le stockage. À mesure que les modèles grandissent, que les agents d’IA gagnent en autonomie, et que les entreprises construisent des infrastructures conçues pour produire et consommer en continu des tokens, les centres de données doivent déplacer, consulter et conserver d’énormes quantités d’informations sans faire exploser la consommation énergétique ni laisser les accélérateurs inactifs. Kioxia cherche à se positionner précisément sur ce terrain. La société japonaise, héritière du secteur mémoires de Toshiba, a présenté ces derniers mois une gamme de technologies combinant SSD de très haute capacité, mémoire flash à faible latence, logiciels

Le marché du back-end des puces croît avec le conditionnement avancé

SEMIFIVE et ICY Tech : premier SoC eMRAM 8 nm pour l’Edge AI

SEMIFIVE et ICY Tech ont finalisé le tape-out d’un SoC Edge AI intégrant de la mémoire eMRAM en 8 nm, fabriqué avec le procédé 8LPU de Samsung Foundry. L’objectif : exécuter localement des modèles d’IA jusqu’à 2 milliards de paramètres, sans connexion Internet permanente. Une étape qui positionne les deux sociétés sur l’un des fronts les plus disputés de la course aux puces IA, entre les acteurs asiatiques qui misent sur la mémoire non volatile intégrée et ceux qui restent sur des architectures SRAM plus conventionnelles. eMRAM : une mémoire non volatile au centre du SoC La mémoire est souvent le facteur limitant dans les puces d’IA embarquées. On peut multiplier les unités de calcul, mais si les données ne

Palo Alto Networks et IBM travaillent sur une solution pour accélérer la préparation quantique sécurisée à l'échelle de l'entreprise

Palo Alto Networks alerte : CVE-2026-0300 dans PAN-OS déjà exploitée sur des pare-feux

Palo Alto Networks a publié une alerte critique sur CVE-2026-0300, une faille de débordement de tampon dans PAN-OS notée 9,3 sur 10 au CVSS. Des attaquants l’exploitent déjà, ciblant des pare-feux PA-Series et VM-Series dont le portail d’authentification User-ID est exposé à Internet ou à des réseaux non sécurisés. Le fabricant lui attribue son niveau d’urgence maximal : « highest ». Un débordement de tampon qui donne les droits root sans authentification La vulnérabilité réside dans le portail d’authentification User-ID de PAN-OS, aussi appelé Captive Portal. Cette fonction identifie les utilisateurs quand le pare-feu ne peut pas associer automatiquement une adresse IP à une identité. Dans les réseaux d’entreprise, c’est un mécanisme courant pour appliquer des politiques par utilisateur ou

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