
ASML et le Hyper-NA EUV : la prochaine étape de la lithographie avancée
ASML continue de déployer la première génération High-NA EUV, mais l’industrie des semi-conducteurs commence déjà à se tourner vers la prochaine étape : Hyper-NA. Cette technologie constitue une évolution possible de la lithographie EUV 13,5 nm, avec une ouverture numérique supérieure aux systèmes actuels. L’objectif est clair : continuer à imprimer des structures plus petites sans multiplier indéfiniment les expositions, masques et étapes de processus. L’idée est simple à expliquer, mais très difficile à réaliser. Les scanners EUV actuels de la famille NXE fonctionnent avec un NA de 0,33. Les nouveaux systèmes EXE de High-NA portent cette valeur à 0,55 NA, réduisant la résolution jusqu’à 8 nm et permettant d’imprimer des caractéristiques 1,7 fois plus petites avec des densités de




