Alliance Memory a annoncé l’expansion de son portefeuille de SDRAM DDR4 CMOS avec le lancement de six nouveaux dispositifs de 8 Gb, 16 Gb et 32 Gb, disponibles dans des packages FBGA de 78 et 96 billes. Cette extension répond à la demande croissante d’options de haute densité pour des applications dans des secteurs tels que l’informatique, le stockage en réseau, les dispositifs IoT et les systèmes de surveillance.
Les nouveaux modèles —AS4C512M16D4B-62BCN, AS4C1G8D4B-62BCN, AS4C1G16D4A-62BCN, AS4C2G8D4A-62BCN, AS4C2G16D4-62BCN et AS4C4G8D4-62BCN— sont construits sur une technologie de processus avancée, atteignant des performances optimisées avec des niveaux de consommation énergétique plus faibles et des vitesses de transfert plus élevées, le tout à un coût plus abordable. De plus, ces dispositifs fonctionnent avec une tension de 1,2 V, ce qui contribue à améliorer la durée de vie de la batterie dans les dispositifs portables comme les smartphones et les tablettes.
Performance améliorée pour de multiples secteurs
Conçus pour répondre aux exigences des applications en 5G, IoT, contrôleurs de signal numérique et systèmes HMI, les nouveaux SDRAM DDR4 de Alliance Memory disposent d’une architecture de prélecture de 8n, ce qui permet d’atteindre des vitesses d’horloge allant jusqu’à 1600 MHz et des taux de transfert de 3200 MT/s. Ces caractéristiques les rendent adaptés pour des marchés aussi variés que l’industrie, les télécommunications, les jeux et la consommation.
Les dispositifs prennent en charge des types de rafales séquentielles et entrelacées, avec des options de rafales de lecture ou d’écriture en longueurs de BC4 et BL8, en plus de la possibilité de réglage en temps réel. En outre, une fonction de préchargement automatique permet un préchargement automatique de ligne, ce qui optimise la séquence de rafales et facilite la gestion des performances dans des processus à forte demande. De plus, ils offrent des options de rafraîchissement automatique et d’auto-raîchissement pour une plus grande facilité d’utilisation et efficacité.
Compatibilité et flexibilité
Conçus avec une réduction minimale de la taille des puces, les nouveaux SDRAM DDR4 sont compatibles avec les solutions pin à pin existantes, éliminant le besoin de restructurations coûteuses et de nouvelles qualifications de composants. Cette caractéristique permet aux clients d’intégrer les dispositifs de Alliance Memory dans leurs conceptions actuelles sans modifications significatives, simplifiant le processus de mise à jour sur diverses plateformes.
Disponibles pour la gamme de températures commerciales de 0 °C à +95 °C, ces modèles offrent une option fiable et économique pour des applications exigeant une haute résistance, comme dans les secteurs industriels et de télécommunications.
Disponibilité
Des échantillons et des quantités de production des modèles AS4C512M16D4B-62BCN, AS4C1G8D4B-62BCN, AS4C1G16D4A-62BCN, AS4C2G8D4A-62BCN, AS4C2G16D4-62BCN et AS4C4G8D4-62BCN sont déjà disponibles, avec des délais de livraison estimés à quatre semaines.
Alliance Memory réaffirme son engagement à offrir des solutions de mémoire critiques et difficiles à trouver pour des marchés clés tels que la communication, l’électronique de consommation, l’automobile et l’industrie.
