
La Corée du Sud alerte sur l’avance de la Chine : un an dans la NAND et deux dans la DRAM
L’industrie chinoise de la mémoire réduit rapidement l’écart technologique par rapport aux fabricants sud-coréens. Selon la Korea Semiconductor Industry Association (KSIA), la différence s’est réduite à environ un an pour le NAND Flash, deux ans pour la DRAM, et trois ans pour la HBM, contre une estimation précédente de plus de cinq ans. Les progrès de YMTC et CXMT interviennent également à un moment de forte demande en mémoire, liée à l’intelligence artificielle. Les clés de la progression de la Chine dans la mémoire en 30 secondes La KSIA situe l’écart technologique avec la Chine à 1 an pour le NAND, 2 pour la DRAM et 3 pour la HBM. YMTC représente déjà 14 % des revenus mondiaux du NAND




