Russie fixe une date pour son EUV « propre » : des puces inférieures à 10 nm en 2037, des lasers à état solide et des miroirs Ru/Be à 11,2 nm
La Russie a présenté une feuille de route qui, si elle est respectée, pourrait transformer sa position dans la course mondiale à la fabrication de puces : développer une lithographie EUV et aux rayons X capable de produire des résolutions allant de 65 nm à moins de 10 nm entre 2026 et 2037. La proposition, […]
ASML et la révolution de la lithographie EUV : des lampes à mercure au saut High-NA
La Chine franchit une étape clé dans les semi-conducteurs : lancement du premier projet national de photo-protecteur EUV MOR
China ha dado un paso decisivo en la carrera por la soberanía tecnológica en el ámbito de los semiconductores. Durante la Conferencia de Innovación y Desarrollo de Circuitos Integrados 2025, celebrada en Wuxi (provincia de Jiangsu), se anunció el lanzamiento del primer proyecto nacional capaz de producir resinas y fotoprotectores avanzados para litografía EUV. Este […]
Intel confirme que le nœud 14A sera plus cher que le 18A en raison de l’utilisation de EUV High-NA : risque ou pari stratégique ?
Intel a officiellement confirmé ce que l’industrie murmure depuis un certain temps : son prochain noeud de fabrication, Intel 14A, sera plus coûteux que l’actuel Intel 18A, principalement en raison de l’adoption de la lithographie EUV High-NA (Haute Ouverture Numérique), développée par ASML. Une technologie de pointe qui promet un bond en termes de performance […]
SK hynix installe le premier système commercial High NA EUV pour révolutionner la mémoire DRAM
SK hynix a annoncé le lancement du premier système de lithographie EUV à haute ouverture numérique (High NA EUV) destiné à la production de masse sur son site M16 à Icheon, en Corée du Sud. L’équipement, le modèle TWINSCAN EXE:5200B d’ASML, représente une avancée majeure dans l’industrie mondiale des semi-conducteurs, ouvrant la voie à des […]
Intel riposte avec force : le nœud 14A avec EUV High-NA marque le début de son assaut définitif contre TSMC
La société américaine accélère sa feuille de route avec de nouvelles technologies comme RibbonFET 2 et PowerDirect, devançant ainsi la concurrence en matière de performance, d’efficacité et de densité. Lors de l’événement Direct Connect 2025, Intel a clairement affirmé sa volonté de reprendre son leadership dans l’industrie des semi-conducteurs. Avec une feuille de route ambitieuse, […]
La Chine défie ASML avec sa propre machine de lithographie EUV pour la fabrication de puces avancées
Un Avancement Inattendu qui Met Fin à la Dépendance Technologique La Chine a accompli une avancée décisive dans la course à la fabrication de semi-conducteurs en développant sa propre machine de lithographie par ultraviolet extrême (EUV), une technologie essentielle pour la production de puces avancées. Ce succès représente un défi direct à ASML, l’entreprise néerlandaise […]
Intel accélère avec EUV High-NA et a déjà produit 30 000 wafers en seulement trois mois
Les nouveaux scanners d’ASML permettent à Intel d’avancer vers son nœud 14A et de regagner du terrain dans l’industrie des semi-conducteurs Intel a franchi une étape cruciale dans son ambitieux projet de retrouver son leadership dans la fabrication de puces. La société a annoncé que ses deux scanners EUV High-NA d’ASML ont traité 30 000 […]
Rusia prévoit de révolutionner le marché des scanners EUV avec une technologie plus abordable et efficace
La Russie a annoncé un projet ambitieux pour développer des scanners EUV (lithographie ultraviolette extrême) promettant d’être plus économiques et plus faciles à fabriquer comparés aux équipements avancés d’ASML, leader mondial dans ce domaine. Dirigé par l’Institut de Physique des Microstructures (IPM RAS), cet effort vise à garantir l’indépendance technologique de la Russie et à […]
Les États-Unis investissent 825 millions de dollars pour créer leur propre accélérateur EUV et réduire leur dépendance vis-à-vis de l’Europe
Le Département du Commerce des États-Unis, en collaboration avec Natcast, opérateur du Centre National de Technologie des Semi-conducteurs (NSTC), a annoncé la création d’une installation de recherche et développement (R&D) dans le Albany NanoTech Complex, New York. Cette initiative, qui bénéficie d’un investissement de 825 millions de dollars dans le cadre du programme CHIPS for […]