Rusia prévoit de révolutionner le marché des scanners EUV avec une technologie plus abordable et efficace

Rusia prévoit de révolutionner le marché des scanners EUV avec une technologie plus abordable et efficace

La Russie a annoncé un projet ambitieux pour développer des scanners EUV (lithographie ultraviolette extrême) promettant d’être plus économiques et plus faciles à fabriquer comparés aux équipements avancés d’ASML, leader mondial dans ce domaine. Dirigé par l’Institut de Physique des Microstructures (IPM RAS), cet effort vise à garantir l’indépendance technologique de la Russie et à […]

Les États-Unis investissent 825 millions de dollars pour créer leur propre accélérateur EUV et réduire leur dépendance vis-à-vis de l’Europe

Les États-Unis investissent 825 millions de dollars pour créer leur propre accélérateur EUV et réduire leur dépendance vis-à-vis de l'Europe

Le Département du Commerce des États-Unis, en collaboration avec Natcast, opérateur du Centre National de Technologie des Semi-conducteurs (NSTC), a annoncé la création d’une installation de recherche et développement (R&D) dans le Albany NanoTech Complex, New York. Cette initiative, qui bénéficie d’un investissement de 825 millions de dollars dans le cadre du programme CHIPS for […]

Imec démontre des avancées dans les structures logiques et DRAM utilisant la lithographie EUV à haute NA

Imec démontre des avancées dans les structures logiques et DRAM utilisant la lithographie EUV à haute NA

Le 7 août 2024, Imec, un leader mondial dans la recherche et l’innovation en nanoélectronique et technologies numériques, a présenté des résultats significatifs dans le domaine de la lithographie EUV (Ultraviolet Extrême) à Haut NA (Aperture Numérique). Ces avancées ont été réalisées au laboratoire conjoint ASML-imec de Lithographie EUV à Haut NA à Veldhoven, Pays-Bas. […]