Le 7 août 2024, Imec, un leader mondial dans la recherche et l’innovation en nanoélectronique et technologies numériques, a présenté des résultats significatifs dans le domaine de la lithographie EUV (Ultraviolet Extrême) à Haut NA (Aperture Numérique). Ces avancées ont été réalisées au laboratoire conjoint ASML-imec de Lithographie EUV à Haut NA à Veldhoven, Pays-Bas.

La recherche d’Imec a démontré avec succès des structures logiques et de DRAM imprimées avec une seule exposition en utilisant le scanner EUV à Haut NA (TWINSCAN EXE:5000). Parmi les réalisations, on note des structures logiques avec des lignes métalliques denses de 9.5 nm, équivalentes à un pas de grille de 19 nm, et des voies aléatoires avec une distance centre à centre de 30 nm. De plus, des caractéristiques 2D ont été réalisées avec un pas de grille de 22 nm, et un design spécifique pour DRAM avec un motif P32 nm, le tout en une seule exposition.

Ces résultats confirment la capacité de l’écosystème à activer une lithographie EUV à Haut NA de haute résolution avec une seule exposition. Les progrès dans la technologie de lithographie sont cruciaux pour continuer la miniaturisation des dispositifs logiques et de mémoire, ce qui permet des conceptions plus complexes et réduit les coûts et la complexité des processus de fabrication.

Steven Scheer, vice-président senior des technologies et systèmes informatiques chez Imec, a souligné : « Nous sommes ravis de démontrer la première capacité d’impression de logique et de mémoire activée par le Haut NA dans le laboratoire conjoint d’ASML-imec, comme une validation initiale des applications industrielles. Les résultats montrent le potentiel unique de l’EUV à Haut NA pour permettre l’impression de caractéristiques 2D agressivement échelonnées, améliorant la flexibilité de conception et réduisant le coût et la complexité du motif. »

Quant à lui, Luc Van den hove, président et CEO d’Imec, a commenté : « Les résultats confirment la capacité de résolution de la lithographie EUV à Haut NA, visant des couches métalliques sub-20 nm en une seule exposition. L’EUV à Haut NA sera fondamentale pour continuer l’escalade dimensionnelle des technologies logiques et de mémoire, un des piliers clés pour avancer dans les feuilles de route vers l’ère des ‘ångströms’. Ces démonstrations précoces n’ont été possibles que grâce à l’établissement du laboratoire conjoint ASML-imec, qui permet à nos partenaires d’accélérer l’introduction de la lithographie Haut NA dans la fabrication. »

La collaboration entre Imec et ASML, avec leurs partenaires, a impliqué un travail préparatoire approfondi, incluant la préparation de piles de galettes dédiées, des résines avancées, des couches inférieures et des photomasques, ainsi que le transfert des processus de base de l’EUV à Haut NA au scanner. L’introduction de ces avancées marque un pas significatif vers l’intégration de la lithographie EUV à Haut NA dans la fabrication à grande échelle, propulsant l’avenir de la technologie des semi-conducteurs.

Source : Communiqué de presse d’IMEC