SAIMEMORY, filiale de SoftBank spécialisée dans le développement de la mémoire ZAM, a signé un protocole d’accord avec le fabricant japonais d’encapsulés et de substrats Shinko Electric Industries pour collaborer depuis la recherche jusqu’à la commercialisation de cette technologie. Annoncé le 28/09/2026, cet accord permettra à Shinko d’apporter son expertise dans les substrats d’encapsulage et de packaging à haute densité, l’un des défis majeurs pour faire passer ZAM du laboratoire à la production à grande échelle.

Les clés de l’accord entre SAIMEMORY et Shinko en 30 secondes

• SAIMEMORY et Shinko collaboreront dans la recherche, le développement technologique et la commercialisation de ZAM.
• ZAM est une mémoire 3D à haut débit et faible consommation, conçue pour les centres de données IA.
• Shinko sera responsable du développement de l’encapsulage et des processus de fabrication nécessaires.
• Il s’agit d’un protocole d’accord : les montants et le calendrier précis ne sont pas spécifiés.

Cet accord renforce le profil japonais du projet. ZAM (Z-Angle Memory) a été conçu par SAIMEMORY, une entreprise créée par SoftBank en décembre 2024, dont le développement bénéficie en partie d’un programme de la NEDO, l’agence japonaise pour le développement des nouvelles énergies et technologies industrielles, dédié à l’infrastructure de communications post-5G. Les dirigeants insistent sur ce point : ils présentent ZAM comme une mémoire « d’origine japonaise » et souhaitent valoriser l’expertise accumulée au fil des années dans l’industrie du pays.

Ce que Shinko apporte au projet

Shinko Electric est un fabricant intégré d’encapsulés pour semi-conducteurs, bénéficiant d’une longue expérience dans la conception et la fabrication de substrats, ces composants sur lesquels un chip est monté pour assurer la connexion avec le reste du système. Selon le communiqué, l’entreprise mettra à profit cette expertise et ses technologies de packaging à haute densité pour établir les processus d’encapsulage et de fabrication dont ZAM a besoin, tant en phase de recherche qu’en phase commerciale.

Ce rôle n’est pas marginal. Dans le domaine des mémoires à haut débit, une grande partie de la valeur et de la complexité réside dans la manière dont les puces sont empilées et interconnectées, pas seulement dans les cellules de mémoire. Les technologies HBM actuelles dépendent d’un packaging extrêmement complexe, ce qui a limité leur offre d’accélérateurs IA ces dernières années. Si ZAM souhaite offrir une alternative crédible, elle doit s’appuyer sur des partenaires capables de produire ses encapsulés de manière fiable et à un coût raisonnable.

Hideya Yamaguchi, président et CEO de SAIMEMORY, s’est montré « très enthousiaste à l’idée d’avoir conclu cet accord avec Shinko pour bâtir une alliance allant de la R&D à la commercialisation ». Il a ajouté qu’en combinant les technologies des deux entreprises, ils accéléreront la mise en œuvre concrète de ZAM et œuvreront pour qu’il devienne une mémoire compétitive sur le marché japonais comme à l’international.

Susumu Kurashima, président et CEO de Shinko, décrit la mémoire comme « l’une des technologies fondamentales critiques » pour la transformation numérique et l’essor de l’IA, soulignant que la société souhaite contribuer à la concrétisation de cette nouvelle génération de mémoire.

ZAM, une alternative à la HBM encore en développement

ZAM est une mémoire DRAM 3D empilée, visant à offrir davantage de densité et un débit supérieur tout en consommant moins d’énergie que la HBM, la mémoire actuellement utilisée avec les accélérateurs IA de NVIDIA, AMD et d’autres fabricants. La revue Cloud a déjà expliqué comment Intel et SoftBank se sont alliés en février pour la développer. Lors du symposium VLSI 2026, des chercheurs de SAIMEMORY, d’Intel, de PSMC et d’AP Memory ont présenté un prototype avec huit couches de DRAM superposées sur une couche logique.

Cette recherche décrivait une densité de débit d’environ 0,25 Tbit/s par millimètre carré, avec des couches de silicium d’environ 3 microns d’épaisseur et environ 13 700 vias TSV par puce, ces connexions verticales entre couches. Bien que ces chiffres soient issus du laboratoire, ils ne correspondent pas encore aux spécifications d’un produit commercial, et plusieurs données clés manquent encore, comme la capacité finale, la consommation réelle ou le coût de fabrication.

Le calendrier reste à moyen terme. SoftBank avait évoqué en février la fabrication de prototypes durant l’année fiscale se terminant le 31 mars 2028, avec une commercialisation envisagée pour l’année fiscale 2029. Le protocole avec Shinko ne modifie pas ces échéances et n’ajoute pas de chiffres précis concernant les investissements, mais complète une étape essentielle pour que ZAM puisse atteindre les serveurs.

Le Japon cherche à retrouver un rôle clé dans le domaine de la mémoire

Le marché de la HBM est dominé par trois fabricants : SK hynix, Samsung et Micron, aucun japonais. Pour un pays qui fut la puissance mondiale en DRAM dans les années 80, ZAM représente également une opportunité de revenir dans ce secteur avec une technologie propre, soutenue par des fonds publics et un groupe comme SoftBank, qui investit massivement dans l’IA et ses infrastructures.

L’écosystème de partenaires commence à se dessiner : Intel dans la technologie d’empilement et d’interconnexion, des fabricants de wafers comme PSMC, et désormais Shinko pour l’encapsulage. Reste à voir qui produira en volume et, surtout, quels fabricants d’accélérateurs seront disposés à intégrer cette nouvelle mémoire dans leurs conceptions. Jusqu’à ce que cela se concrétise, ZAM demeure une initiative en développement face à la HBM qui a déjà ses standards, ses fournisseurs et ses clients.

Questions fréquentes

Qu’est-ce que la mémoire ZAM ?

Z-Angle Memory (ZAM) est une mémoire DRAM 3D empilée développée par SAIMEMORY, filiale de SoftBank, offrant une haute densité, un débit élevé et une faible consommation pour les centres de données IA.

Quel rôle jouera Shinko Electric dans ce projet ?

Elle apportera son expertise dans les substrats et le packaging à haute densité pour développer les processus d’encapsulage et de fabrication de ZAM.

Quand ZAM sera-t-elle disponible sur le marché ?

SoftBank prévoit des prototypes pour l’année fiscale se terminant en mars 2028, avec une commercialisation potentielle pour l’année fiscale 2029. L’accord avec Shinko ne modifie pas ce calendrier.

En quoi ZAM diffère-t-elle de la HBM ?

Les deux technologies superposent des couches de DRAM, mais ZAM utilise une architecture différente d’interconnexion verticale pour maximiser le débit par surface avec une consommation moindre. La HBM est désormais standardisée et commerciale, tandis que ZAM est encore en phase de développement.

Sources :