Selon le Seoul Economic Daily, l’écart technologique entre les fabricants coréens et ChangXin Memory Technologies (CXMT), principal producteur chinois de DRAM, serait tombé à environ trois ans. CXMT aurait atteint un niveau proche du HBM3, même si ses rendements de fabrication restent encore insuffisants pour une production en masse. La Corée du Sud n’a pas perdu sa domination. Mais l’écart ne paraît plus aussi confortable qu’auparavant.

La mémoire à large bande passante (HBM) est devenue un enjeu stratégique autant qu’industriel. SK Hynix et Samsung détiennent encore l’essentiel du marché mondial, mais la Chine investit massivement pour réduire sa dépendance. Ce mouvement s’inscrit dans un contexte plus large de restrictions technologiques : les blocages imposés à des systèmes d’IA par les États-Unis illustrent jusqu’où peut aller la pression sur les chaînes d’approvisionnement technologiques.

CXMT et la mobilisation chinoise pour la mémoire IA

La progression de CXMT répond à une pression directe du gouvernement chinois pour renforcer la souveraineté nationale dans les semi-conducteurs. Les restrictions américaines sur les puces avancées, les équipements de fabrication et les composants critiques ont accéléré la volonté de développer des fournisseurs domestiques. Pour le HBM, l’urgence est encore plus forte : il ne suffit pas de concevoir un accélérateur IA, il faut aussi disposer d’une mémoire capable de transférer des données à très grande vitesse.

La HBM est une DRAM empilement vertical, placée près des GPU et autres accélérateurs pour offrir un débit bien supérieur à la mémoire traditionnelle. Elle est indispensable pour les puces de NVIDIA, AMD et d’autres acteurs de l’IA, car les grands modèles nécessitent une lecture et écriture massive et constante de données.

Selon Pulse/Maeil Business Newspaper, CXMT prévoit d’étendre sa capacité mensuelle en tranches de 12 pouces à environ 300 000 unités cette année, dont près de 20 % destinés au HBM3, soit environ 60 000 tranches mensuelles. Les estimations plus conservatrices situent la capacité initiale autour de 30 000 tranches par mois. La différence entre capacité théorique et production réelle sera décisive : si le rendement reste faible, CXMT peut démontrer des progrès technologiques sans encore rivaliser en volume ou en coût. Si le rendement s’améliore, la Chine disposera d’une source domestique suffisante pour alimenter une partie de son industrie IA.

CXMT prépare par ailleurs une introduction en bourse à Shanghai avec une valorisation estimée à 42 milliards de dollars et projette la construction d’une usine de packaging HBM dans la même ville. Ces investissements visent à financer et accélérer une chaîne d’approvisionnement moins dépendante de l’étranger.

La Corée maintient son avance, mais surveille

SK Hynix détient 58 % du marché mondial du HBM au premier trimestre 2026 selon Counterpoint Research (cité par Reuters), suivi de Samsung et Micron, chacun à 21 %. SK Hynix est aussi un fournisseur clé de NVIDIA et compte maintenir ce rôle pour les architectures futures comme Vera Rubin.

Samsung envoie déjà des échantillons de HBM4E à ses clients et travaille sur des solutions de gestion thermique pour ses prochaines générations. SK Hynix prévoit de doubler sa capacité de fabrication de wafers dans les cinq prochaines années. Le président du groupe SK, Chey Tae-won, a averti que les tensions sur la mémoire pourraient durer jusqu’en 2030.

La Corée conserve une avance technologique réelle : expertise en emballage, performance de fabrication, relation privilégiée avec NVIDIA, et des générations HBM4/HBM4E en cours de développement pendant que CXMT cherche à stabiliser le HBM3. Mais l’histoire des semi-conducteurs montre qu’un écart de trois ans peut se réduire rapidement quand un pays combine investissements massifs, demande intérieure forte et soutien étatique continu. La Chine n’a pas besoin de surpasser SK Hynix pour changer le marché. Il lui suffit de couvrir une partie de ses besoins en HBM3 pour réduire sa vulnérabilité aux restrictions d’exportation.

NVIDIA RTX Spark et la demande en mémoire qui dépasse les data centers

La présentation de NVIDIA RTX Spark ajoute une dimension supplémentaire. Cette plateforme pour PC, développée avec Microsoft pour des agents personnels, intègre un GPU Blackwell RTX, un CPU Grace à 20 cœurs, jusqu’à 128 Go de mémoire unifiée et une puissance de 1 pétaflops. Selon NVIDIA, elle peut exécuter des modèles jusqu’à 120 milliards de paramètres avec un contexte d’un million de tokens en local.

RTX Spark concerne le marché PC, pas les clusters de data centers. Mais il illustre une tendance : la demande en mémoire pour l’IA ne se limite plus aux serveurs. Elle s’étend aux stations de travail, ordinateurs portables, mini-PC et appareils edge. Au-delà du HBM pour l’entraînement de grands modèles, la LPDDR5X et la mémoire unifiée deviennent essentielles pour exécuter des agents et modèles en local.

Tout cela intensifie la compétition pour les capacités de fabrication. La demande en HBM pour data centers, en DRAM pour serveurs, en LPDDR pour appareils IA et en NAND pour le stockage d’entreprise se fait concurrence pour les mêmes ressources industrielles. Les nouvelles capacités de stockage amovible comme les cartes SDUC illustrent aussi cette montée en puissance des besoins en mémoire à toutes les couches. La mémoire est devenue l’un des principaux goulots d’étranglement du cycle actuel de l’IA.

Une course devenue géopolitique

La mémoire fait désormais partie intégrante des stratégies de souveraineté technologique. Les États-Unis cherchent à limiter l’accès chinois aux puces avancées. La Chine développe ses propres accélérateurs et pousse CXMT, YMTC et d’autres acteurs nationaux. La Corée du Sud maintient une avance stratégique avec ses technologies HBM. Taïwan reste clé dans la fabrication avancée et l’emballage. Le Japon et les États-Unis renforcent leurs alliances pour les matériaux et les équipements.

Les défis techniques pour CXMT restent énormes. La HBM exige des DRAM avancées, un empilement précis, des TSV (Through Silicon Vias), une maîtrise thermique, un emballage haute performance et une validation avec des accélérateurs spécifiques. Pendant que CXMT poursuit le HBM3, les leaders négocient déjà le HBM4 et préparent le HBM4E.

La direction est claire. La Chine ne considère plus la HBM comme une technologie hors de portée — elle en fait une priorité nationale. Quand un pays combine demande intérieure, financement public, pression géopolitique et base industrielle en développement, les échéances peuvent se raccourcir. La Corée reste en tête. Mais l’écart ne justifie plus une tranquillité absolue.

Questions fréquentes

Qu’est-ce que la mémoire HBM ?

La HBM (High Bandwidth Memory) est une DRAM empilement vertical placée près des GPU et accélérateurs IA pour fournir un débit de données très élevé, indispensable pour les grands modèles d’intelligence artificielle.

Qu’a réalisé CXMT en matière de HBM ?

Selon des sources sud-coréennes, CXMT aurait atteint un niveau technologique proche du HBM3. Ses rendements de fabrication restent faibles et il n’a pas encore démontré une production en masse stable comparable aux leaders coréens.

La Chine a-t-elle rattrapé la Corée dans le HBM ?

Non. SK Hynix (58 % du marché) et Samsung dominent encore avec HBM3E, HBM4 et HBM4E. Ce qui est nouveau, c’est que l’écart serait réduit à environ trois ans, contre une distance bien plus grande par le passé.

Pourquoi NVIDIA RTX Spark est-il pertinent dans ce contexte ?

Parce qu’il montre que la demande en mémoire pour l’IA dépasse les data centers. Les PC, appareils personnels et systèmes edge consomment aussi de la mémoire haute performance pour faire tourner des agents et modèles localement, ajoutant de la pression sur toute la chaîne de production.