
Micron accélère la mémoire pour l’IA avec HBM4E et conceptions personnalisées
Micron place la mémoire au cœur de sa stratégie pour l’intelligence artificielle. La société prépare le saut vers la HBM4E en 2027, progresse dans la DRAM 1-gamma, accélère son nœud NAND G9 et commence à parler plus clairement de conceptions de mémoire personnalisées pour les plateformes d’IA. Le message est clair : dans la prochaine génération de centres de données, la mémoire ne sera plus un composant secondaire autour du GPU mais une pièce stratégique pour la performance, le coût et la disponibilité. La pression provient de plusieurs fronts simultanément. Les modèles de langage les plus grands nécessitent plus de bande passante. L’inférence agissante demande du contexte, du cache et des accès mémoire constants. Les systèmes à l’échelle des racks


