Xiaomi lance le XRING O3 : 3 nm, 24 milliards de transistors et LPDDR6
Xiaomi a présenté le XRING O3, sa nouvelle génération de processeurs mobiles conçus en interne. Ce chipset, fabriqué par TSMC selon la technologie de 3 nanomètres, intègre 24 milliards de transistors et comporte une architecture CPU à dix cœurs sans les traditionnels cœurs à faible consommation. Cependant, l’une des innovations majeures réside dans la mémoire […]
TSMC progresse vers des transistors sous-atomiques avec une nouvelle conception basée sur le MoS₂
TSMC et une équipe de chercheurs de l’Université nationale Yang Ming Chiao Tung (NYCU) à Taïwan ont mis au point une nouvelle technique pour fabriquer des transistors à base de disulfure de molybdène (MoS₂) monocouche. Ce matériau, parmi ceux étudiés par l’industrie pour continuer à réduire la taille des transistors alors que le silicium conventionnel […]
IBM 0,7 nm : quand les nanomètres ne mesurent plus rien
IBM vient d’annoncer une technologie de puce à 0,7 nanomètre — soit 7 angstroms — et la présente comme la première percée sub-nanomètre du secteur. Elon Musk a réagi presque aussitôt : ces 0,7 nm ne correspondent pas à la taille physique des composants de la puce. Il a raison. Et IBM ne le nie […]
IBM nanostack 0,7 nm : la première puce à l’échelle atomique
IBM a annoncé une avancée concrète dans l’industrie des semi-conducteurs : les premières puces fabriquées avec un nœud de 0,7 nanomètre (7 angstroms), soit en dessous du seuil du nanomètre. L’entreprise a développé une nouvelle architecture de transistors baptisée nanostack, qui s’appuie sur un empilement tridimensionnel pour augmenter la densité sans se limiter à la […]
Intel et ASML progressent en EUV High NA : l’EXE:5200B dépasse des tests clés et l’industrie envisage déjà des transistors avec des matériaux 2D
La course à la réduction de la taille des transistors — et, par conséquent, à l’amélioration des performances et de l’efficacité des puces destinées aux centres de données, à l’informatique haute performance et aux charges de travail en intelligence artificielle — se joue désormais sur deux fronts simultanément : laminage plus précis et nouvelles architectures/matériaux […]
La fin de la loi de Moore… ou le début du « silicium sans silicium » ? L’enjeu chinois pour des transistors en bismuth et en 3D monolithique
Depuis près de 60 ans, la Loi de Moore demeure la boussole de l’industrie : tous les 18 à 24 mois, davantage de transistors par puce, offrant ainsi plus de puissance pour chaque euro dépensé et pour chaque watt consommé. Cependant, ce cycle vertueux rencontre aujourd’hui un mur physique. À l’échelle de quelques nanomètres, les […]