TSMC progresse vers des transistors sous-atomiques avec une nouvelle conception basée sur le MoS₂

TSMC et une équipe de chercheurs de l’Université nationale Yang Ming Chiao Tung (NYCU) à Taïwan ont mis au point une nouvelle technique pour fabriquer des transistors à base de disulfure de molybdène (MoS₂) monocouche. Ce matériau, parmi ceux étudiés par l’industrie pour continuer à réduire la taille des transistors alors que le silicium conventionnel […]