
La Chine développe des transistors GAA avec DUV qui ouvrent la voie vers 3 nm
L’Institut de Microélectronique de l’Académie chinoise des sciences (CAS) a mis en œuvre une architecture de transistors à porte entièrement entourée, connue sous le nom de GAA (Gate-All-Around), fabriquée par un procédé basé sur la lithographie DUV (ultraviolet profond). Selon l’institut, cette intégration atteint un rapport entre courant de mise en marche et de mise à l’arrêt supérieur à 5 × 10⁵, ouvrant la voie à des performances associées à des nœuds de 3 nm, sans recourir à la lithographie EUV en tant que technologie centrale. Les clés du transistor GAA avec DUV en Chine en 30 secondes L’Académie chinoise des sciences a réalisé une intégration préliminaire d’un GAA avec canaux en nanolaminés empilés, fabriqué via DUV. Le transistor atteint



