DRAM+ révolutionne la mémoire : vitesse de DRAM avec persistance Flash pour des applications critiques

DRAM+ révolutionne la mémoire : vitesse de DRAM avec persistance Flash pour des applications critiques

Annonce d’une alliance stratégique entre Ferroelectric Memory Company et Neumonda pour le lancement de DRAM+ La Ferroelectric Memory Company (FMC) et Neumonda ont annoncé une collaboration novatrice pour commercialiser DRAM+, une architecture de mémoire révolutionnaire qui fusionne la rapidité fulgurante de la DRAM traditionnelle avec la persistance de la mémoire Flash. Cette technologie promet de […]

Samsung s’ajoute à la hausse mondiale des prix des mémoires DRAM et NAND Flash

Samsung présente la première DRAM GDDR7 de 24 Gb pour la prochaine génération de calcul IA

Samsung Augmente les Prix de ses Mémoire DRAM et NAND Flash de 3 à 5 % Le géant sud-coréen Samsung Electronics a annoncé qu’il augmentera les prix de ses mémoires DRAM et NAND Flash de 3 à 5 %, selon des sources de l’industrie sud-coréenne. Cette décision fait écho à l’augmentation des prix précédemment annoncée […]

CXMT se confirme comme leader émergent sur le marché de la mémoire DRAM pour mobiles

SK hynix révolutionne la validation de la DRAM pour serveurs dans un marché diversifié de CPU

CXMT dépasse SK Hynix en expéditions de DRAM mobile, marquant une percée significative dans l’industrie La domination traditionnelle de l’industrie des mémoires DRAM par trois géants – Samsung, SK Hynix et Micron – est actuellement mise à l’épreuve. En effet, la société chinoise ChangXin Memory Technologies (CXMT) a connu une croissance impressionnante ces dernières années, […]

Micron Leader de l’Industrie avec le Lancement de la Mémoire DRAM 1-gamma

Micron Leader de l'Industrie avec le Lancement de la Mémoire DRAM 1-gamma

Micron Technology Lance des Échantillons de Sa Nouvelle Génération de Mémoire DRAM 1γ Micron Technology a annoncé qu’elle devient la première entreprise de l’industrie à expédier des échantillons de sa nouvelle génération de mémoire DRAM basée sur le noeud 1γ (1-gamma), marquant une avancée significative dans la technologie de mémoire adaptée aux besoins informatiques de […]

Imec démontre des avancées dans les structures logiques et DRAM utilisant la lithographie EUV à haute NA

Imec démontre des avancées dans les structures logiques et DRAM utilisant la lithographie EUV à haute NA

Le 7 août 2024, Imec, un leader mondial dans la recherche et l’innovation en nanoélectronique et technologies numériques, a présenté des résultats significatifs dans le domaine de la lithographie EUV (Ultraviolet Extrême) à Haut NA (Aperture Numérique). Ces avancées ont été réalisées au laboratoire conjoint ASML-imec de Lithographie EUV à Haut NA à Veldhoven, Pays-Bas. […]