Micron Technology Lance des Échantillons de Sa Nouvelle Génération de Mémoire DRAM 1γ

Micron Technology a annoncé qu’elle devient la première entreprise de l’industrie à expédier des échantillons de sa nouvelle génération de mémoire DRAM basée sur le noeud 1γ (1-gamma), marquant une avancée significative dans la technologie de mémoire adaptée aux besoins informatiques de demain.

Cette étape majeure dans le développement de la mémoire DRAM de sixième génération (classe 10nm) s’appuie sur le leadership antérieur de Micron avec ses noeuds 1α (1-alpha) et 1β (1-beta), offrant des innovations qui favoriseront les futures plateformes de calcul, allant des services cloud aux applications industrielles et grand public, ainsi que des dispositifs d’intelligence artificielle en périphérie tels que les PC avec IA, les smartphones et les véhicules.

Le nouveau noeud DRAM 1γ sera d’abord mis en œuvre dans la mémoire DDR5 de 16 Go, puis intégré dans l’ensemble du portefeuille de mémoire de Micron pour répondre à la demande croissante de solutions de mémoire hautes performances et économes en énergie pour l’IA. Conçue pour offrir des vitesses allant jusqu’à 9200 MT/s, le produit DDR5 de 16 Go permet un gain de vitesse allant jusqu’à 15 % et une réduction de consommation d’énergie de plus de 20 % par rapport à son prédécesseur.

Avantages Clés de la Nouvelle Technologie

La transition de Micron vers le noeud DRAM 1γ répond à des défis fondamentaux auxquels sont confrontés ses clients :

• Amélioration des performances : La DRAM basée sur 1γ offre des performances supérieures, soutenant la montée en charge des offres de mémoire, du centre de données aux dispositifs périphériques, pour répondre aux exigences futures des charges de travail en IA.
• Économie d’énergie : Le noeud 1γ de Micron, qui utilise une technologie CMOS de porte métallique de haute-K de prochaine génération combinée à des optimisations de design, permet une réduction de la consommation d’énergie de plus de 20 %, entraînant des profils thermiques améliorés.
• Densité accrue de bits : Grâce à la lithographie EUV et aux innovations de procédé, le noeud 1γ de Micron permet d’obtenir plus de 30 % de bits supplémentaires par sortie de wafer, améliorant ainsi la capacité d’approvisionnement en mémoire de manière efficace.

« L’expertise de Micron dans le développement de technologies DRAM de pointe, alliée à notre utilisation stratégique de la lithographie EUV, a abouti à un solide portefeuille de produits de mémoire basés sur 1γ, prêts à propulser l’écosystème de l’IA », a déclaré Scott DeBoer, vice-président exécutif et directeur de la technologie et des produits chez Micron.

Transformation des Produits de la Cloud au Périphérie

Agissant comme fondement pour de futurs produits, le noeud 1γ sera intégré à l’ensemble du portefeuille de mémoire de Micron :

• Centre de données : Les solutions de mémoire DDR5 basées sur 1γ permettent un rendement jusqu’à 15 % plus rapide et une efficience énergétique accrue.
• IA en périphérie : Les solutions DRAM à faible consommation 1γ offrent des économies d’énergie améliorées et une bande passante supérieure, optimisant l’expérience utilisateur avec des solutions d’IA en périphérie.
• PC avec IA : Les SODIMMs DDR5 1γ améliorent les performances tout en réduisant la consommation d’énergie de 20 %, prolongeant ainsi la durée de vie de la batterie et améliorant l’expérience des utilisateurs de portables.
• Mobilité : Le LPDDR5X 1γ permettra d’excellentes expériences d’IA en périphérie tout en continuant à renforcer le leadership de Micron en technologie mobile.
• Automobile : La mémoire LPDDR5X basée sur 1γ étend la capacité et la performance, atteignant des vitesses allant jusqu’à 9600 MT/s.

Les avancées du noeud 1γ de Micron ont été bien accueillies par des partenaires clés tels qu’AMD et Intel, qui ont déjà commencé les efforts de validation pour la mémoire DDR5 1γ de Micron, reconnaissant les améliorations substantielles en matière de puissance et de densité qu’elle apportera à leurs produits.

Les clients et partenaires qualifiés peuvent rejoindre le Programme de Habilitation Technologique (TEP) de Micron pour le DDR5, offrant un accès anticipé à des informations techniques et des modèles électriques et thermiques, ainsi qu’un soutien pour faciliter la conception, le développement et l’introduction de plateformes informatiques de prochaine génération.

Source : Micron