L’industrie chinoise des semiconducteurs à large bande interdite a entamé 2026 sur deux rythmes très contrastés. Alors que les entreprises liées au GaN de radiofréquence connaissent une croissance soutenue grâce au déploiement des stations 5G, aux terminaux d’internet satellite et à la demande dans la défense, une majorité de fabricants de SiC traverse un trimestre nettement plus difficile : baisse des prix, marges comprimées, coûts d’amortissement élevés et capacités nouvelles encore en phase de ramp-up.

Ce contraste est significatif car le carbure de silicium (SiC) comme le nitruro de galium (GaN) se présentent depuis plusieurs années comme des matériaux essentiels pour la transition électrique, les télécommunications, l’énergie solaire, les véhicules électriques et l’industrie. Tous deux offrent des avantages par rapport au silicium traditionnel en termes d’efficacité, de températures, de fréquences et de gestion de puissance, mais tous les segments ne mûrissent pas au même rythme ni ne génèrent les mêmes bénéfices.

GaN RF : la 5G, les satellites et la défense tirent la croissance

Selon TrendForce, les entreprises chinoises les plus exposées au GaN RF ont été les grandes gagnantes du premier trimestre 2026. Le cas le plus notable est Sinopack, qui a enregistré une croissance de ses revenus de 79,05 % en glissement annuel, principalement portée par les ventes de dispositifs GaN RF pour sa filiale. La société a réussi à atteindre des volumes importants pour les stations de base macro 5G, les terminaux satellitaires et a bénéficié d’une augmentation des commandes dans le secteur de la défense.

Le GaN RF trouve sa place dans ces applications car il permet de travailler à des fréquences élevées avec une efficacité et une puissance gainées, deux critères cruciaux dans les réseaux mobiles, radars, communications satellitaires et systèmes radio avancés. Contrairement à certains segments de puissance plus sensibles aux cycles de marché liés aux véhicules électriques, le déploiement d’infrastructures de télécommunications et les applications militaires offrent une demande plus stable pour les fournisseurs bien positionnés.

De plus, Sinopack commence à développer une seconde voie de croissance dans le SiC de puissance. Ses dispositifs ont déjà été intégrés en approvisionnement de masse pour les chargeurs embarqués (OBC) de fabricants automobiles importants. Cela montre que la frontière entre GaN et SiC n’est pas toujours strictement délimitée : certaines entreprises tentent de couvrir plusieurs segments pour ne pas dépendre d’une seule application.

Yangjie Technology a également connu un trimestre positif, soutenu par ses progrès dans les dispositifs SiC de grade automobile. Sa première gamme de puces SiC est maintenant en production de masse, couvrant des tensions de 650 V à 1700 V. Par ailleurs, le projet de encapsulage de modules de puissance pour l’automobile a démarré ses opérations et a obtenu des commandes de plusieurs fournisseurs Tier 1. Avec l’expansion des plates-formes électriques à 800 V, la société a vu ses revenus liés au SiC augmenter de plus de 50 % en glissement annuel.

AMEC représente également un cas favorable, même si avec certaines nuances. Son bénéfice net a augmenté de 197,20 % en un an, mais ce chiffre inclut un gain exceptionnel d’environ 397 millions de yuans provenant de la vente de participation dans Piotech. Hors éléments exceptionnels, l’activité a tout de même continué à être solide, avec une progression de 60,09 % du résultat net récurrent. La société reste un acteur majeur dans la fabrication d’équipements MOCVD pour GaN en Chine, profitant des expansions de capacité dans le GaN RF, Mini LED et dispositifs de puissance.

Le SiC paie le prix d’une croissance trop rapide

L’aspect plus négatif du trimestre concerne les substrats et dispositifs SiC. La demande pour le SiC reste solide dans les véhicules électriques 800 V, l’énergie photovoltaïque et l’industrie, mais la rentabilité se détériore sous la pression : compétition sur les prix, de nouvelles lignes encore en phase de ramp-up et dépréciation importante des actifs.

SICC, l’un des principaux fournisseurs chinois de substrats SiC, est passé d’un résultat bénéficiaire à une perte nette de 60,51 millions de yuans dans le premier trimestre, avec un recul de 10,41 % des revenus par rapport à l’année précédente. La principale cause réside dans la pression sur les prix : les substrats de 6 pouces ont chuté de plus de 30 % en un an. Par ailleurs, le déploiement de lignes de 8 pouces a accru les coûts unitaires et maintenu les marges brutes en territoire négatif.

Cela ne signifie pas que l’activité est finie. Les envois combinés de substrats de 6 et 8 pouces ont augmenté de 3,58 % par rapport au trimestre précédent. Si l’utilisation des capacités et les rendements augmentent, la rentabilité pourrait se redresser. Toutefois, ce trimestre envoie un message clair : passer de 6 à 8 pouces ne se limite pas à une évolution technique, cela implique aussi d’assumer des coûts élevés avant que la montée en échelle ne commence à porter ses fruits.

San’an vit une transition particulièrement exigeante. Son activité LED traditionnelle reste fragile face à une demande faible et des prix en baisse, avec une chute des revenus de plus de 40 % en glissement annuel. Parallèlement, ses nouvelles divisions dans les substrats SiC et les filtres RF sont encore en phase d’expansion. La fabrique de SiC en Hunan subit des amortissements importants, et les cycles de validation client, notamment dans l’automobile, retardent l’atteinte de bénéfices.

StarPower Semiconductor subit aussi la pression des coûts d’expansion. La société a vu ses revenus baisser de 6 %, tandis que son bénéfice net a chuté de 74,32 %. La filiale en charge de la fabrication de puces a commencé à opérer, mais reste en phase initiale, avec des coûts de dépréciation en hausse de 75,43 millions de yuans et une amortissement accru des actifs. La demande plus faible dans le secteur des véhicules électriques à court terme et la baisse marginale des prix des modules SiC ont également contribué à la compression des marges.

Une technologie stratégique mais soumise à une sélection naturelle

La divergence entre GaN et SiC ne remet pas en cause l’importance des semiconducteurs à large bande interdite. Au contraire, elle confirme une évolution vers une approche plus sélective du marché. Il ne suffit plus de produire du SiC ou du GaN pour espérer croître : l’application finale, le degré de maturité technologique, la qualité du client, le coût par wafer, la performance en fabrication et la capacité à obtenir des certifications exigeantes deviennent des critères déterminants.

À court terme, les perspectives pour le GaN RF semblent plus favorables, soutenues par la croissance de la 5G, les communications satellites et la défense. Pour le SiC, la demande structurelle demeure forte grâce aux véhicules électriques 800 V, à l’énergie photovoltaïque, aux chargeurs, aux onduleurs et aux systèmes de puissance, mais les entreprises ne maîtrisant pas leurs coûts ou ne réalisant pas de bons rendements pourraient souffrir. La pression sur les prix des substrats est susceptible de privilégier ceux disposant déjà d’échelles, d’avantages technologiques et de clients certifiés.

L’analyse industrielle pour la Chine est évidente : le pays voit dans le GaN et le SiC une voie pour réduire son écart face aux leaders mondiaux dans des domaines où le silicium traditionnel ne détient pas toutes les cartes. La politique industrielle, la demande locale et la pression pour remplacer les importations continueront à stimuler l’investissement. Mais la première phase d’enthousiasme laisse place à un marché plus exigeant, où la capacité installée ne garantit pas toujours la rentabilité.

Pour l’Europe et les États-Unis, le cas chinois sert aussi d’avertissement. L’indépendance dans les semi-conducteurs ne se résume pas à la simple annonce de nouvelles usines ou au financement de lignes pilotes. Il faut maîtriser les matériaux, souches, épitaxie, encapsulage, la certification automobile, les équipements de fabrication et établir des relations solides avec les clients industriels. En SiC, surtout, l’expansion des capacités pourrait faire baisser les prix si la demande ne suit pas le rythme prévu.

Selon le rapport du Yole Group sur le SiC et le GaN de puissance, ces marchés continueront de croître jusqu’en 2031, avec le SiC comme segment de plus grande ampleur et le GaN gagnant du terrain dans les applications de puissance. Cette prévision reflète la tendance du trimestre chinois : la technologie possède encore du potentiel, mais la rentabilité se concentrera sur ceux qui allient échelle, qualité, performance industrielle et accès en avant-première à l’automobile, aux télécoms et à l’industrie.

La Chine ne renonce pas à sa stratégie dans le domaine des semi-conducteurs à large bande interdite. Elle entre dans une phase moins confortable où le GaN RF bénéficie d’une demande plus claire et de marges plus visibles, tandis que le SiC doit encore faire la preuve que ses investissements, capacités et promesses d’électrification peuvent se traduire en rentabilité durable.

Questions fréquentes

Qu’est-ce qu’un semi-conducteur à large bande interdite ?

Ce sont des matériaux comme le carbure de silicium (SiC) et le nitruro de galium (GaN), capables de fonctionner sous de fortes tensions, températures et fréquences avec une efficacité supérieure au silicium dans certaines applications.

Pourquoi le GaN RF connaît-il une croissance en Chine ?

Parce qu’il répond à une demande accrue pour les stations de base 5G, l’internet satellite, la défense et les systèmes de radiofréquence avancés, qui exigent efficacité et performance à haute fréquence.

Pourquoi le SiC subit-il des difficultés malgré la croissance des véhicules électriques ?

Parce que l’expansion des capacités a entraîné une hausse de la dépréciation et des coûts, tandis que la concurrence a fait baisser les prix, notamment pour les substrats de 6 pouces. Les lignes de 8 pouces nécessitent encore d’améliorer l’utilisation et la performance.

Quelles entreprises chinoises se distinguent dans ce marché ?

TrendForce cite Sinopack, Yangjie Technology et AMEC comme ayant eu la meilleure évolution ce trimestre, tandis que SICC, San’an et StarPower font face à une pression accrue sur leurs marges et leur rentabilité.

Source : TrendForce