Intel Foundry a développé le chiplet GaN le plus fin au monde : 19 micromètres d’épaisseur, sur wafers 300 mm en GaN sur silicium. Présenté à l’IEDM 2025, ce jalon marque la diversification d’Intel Foundry au-delà des nœuds logiques vers les matériaux spécialisés pour centres de données, télécoms et systèmes haute efficacité. L’approche s’inscrit dans la stratégie Intel 18A et chiplets pour la défense.

Le GaN fonctionne à densité de puissance plus élevée, commute plus vite et opère plus efficacement que le silicium dans certains régimes. Intel intègre transistors GaN et circuits numériques silicium dans un seul chiplet — régulateurs de tension plus compacts et proches du processeur, réduisant les pertes résistives. Applications : stations de base 5G/6G (potentiel >200 GHz), radars, satellites, photonique.

L’utilisation de wafers 300 mm exploite l’infrastructure existante, limitant les investissements. Dans un marché des semi-conducteurs qui dépassera 1,3 trillion de dollars en 2026 selon Gartner, la compétition ne se jouera pas uniquement sur la puissance de traitement, mais aussi sur la capacité à fournir énergie et connectivité de manière plus intelligente.

Questions fréquentes

Qu’est-ce qu’un chiplet GaN ?
Composant en nitrure de gallium offrant efficacité supérieure au silicium pour l’électronique de puissance et haute fréquence.

Pourquoi pour les data centers ?
Régulateurs plus compacts et efficaces, réduisant les pertes énergétiques près du processeur.

Est-ce commercialisé ?
Pas encore. Démonstration technologique avec résultats de fiabilité prometteurs.

Quelles applications ?
5G/6G, radars, satellites, photonique et électronique de puissance pour data centers.