Innoscience a remporté une victoire importante en Chine dans sa longue bataille de brevets contre Infineon sur la technologie du nitrure de gallium (GaN). La Cour populaire suprême de Chine a confirmé une ordonnance empêchant Infineon de vendre, proposer à la vente ou importer certains produits GaN sur le marché chinois, suite à une décision du Tribunal populaire intermédiaire de Suzhou qui avait conclu à la violation d’un brevet d’Innoscience.
Cette décision ferme définitivement ce front judiciaire en Chine et intervient quelques semaines après que le Tribunal de la propriété intellectuelle de Pékin avait confirmé la validité de deux brevets clés d’Innoscience, tout en rejetant les demandes d’annulation déposées par la société allemande. Mais il ne faut pas l’interpréter comme une victoire totale : la confrontation se déroule sur plusieurs fronts, avec des résultats contrastés selon les juridictions.
La décision de la justice chinoise
La Cour populaire suprême a confirmé la décision antérieure du Tribunal de Suzhou datée du 27 mai 2026 : certains produits GaN d’Infineon violent un brevet d’Innoscience, avec cessation de vente, proposition à la vente et importation en Chine. La décision inclut aussi une indemnisation de 10 millions de yuans (environ 1,38 million de dollars). Au-delà du montant, c’est l’interdiction commerciale qui compte : la Chine est l’un des plus grands marchés mondiaux pour les semi-conducteurs de puissance.
| Élément | Détail |
|---|---|
| Entreprise demandeuse | Innoscience |
| Entreprise concernée | Infineon Technologies |
| Technologie | Nitrure de gallium (GaN) |
| Tribunal initial | Tribunal populaire intermédiaire de Suzhou |
| Date de la décision initiale | 27 mai 2026 |
| Tribunal de recours | Cour populaire suprême de Chine |
| Mesure confirmée | Interdiction de vente, proposition de vente et importation |
| Indemnisation accordée | 10 millions de yuans (~1,38 M$) |
Une défense classique dans les litiges de brevets consiste à faire invalider le brevet avant ou pendant la procédure. Sur ce front, Infineon n’a pas réussi : ni auprès de l’administration chinoise ni devant le tribunal spécialisé de Pékin.
Le GaN : technologie de niche devenue stratégique
Le GaN est un matériau semi-conducteur qui fabrique des dispositifs de puissance plus efficaces, plus rapides et plus compacts que les solutions traditionnelles en silicium. Il est présent dans les chargeurs rapides, l’électronique industrielle, les télécommunications, l’automobile, les énergies renouvelables et, de plus en plus, dans l’alimentation des infrastructures IA et des centres de données.
Son attrait : commutation plus rapide, pertes énergétiques réduites, densité de puissance accrue et designs plus petits. Dans un monde où chaque watt compte, depuis la voiture électrique jusqu’aux racks d’IA, cette efficacité a une valeur économique directe.
| Applications du GaN | Pourquoi c’est important |
|---|---|
| Chargeurs rapides | Dispositifs plus petits et efficaces |
| Véhicules électriques | Conversion d’énergie et réduction des pertes |
| Énergies renouvelables | Électronique de puissance plus performante |
| Télécommunications | Sources d’alimentation et radiofréquences |
| Centres de données | Meilleure conversion énergétique en haute densité |
| Intelligence artificielle | Moins de pertes dans les systèmes d’alimentation exigeants |
TrendForce estimait qu’Innoscience serait le leader mondial des dispositifs GaN de puissance en 2024 avec 29,9 % de part de marché. Infineon occupait la quatrième place avec 10,3 %, mais avec un portefeuille beaucoup plus large dans les semi-conducteurs de puissance. La société allemande a aussi défendu publiquement sa capacité à produire du GaN sur des wafers de 300 mm, ce qui réduit les coûts en fabriquant plus de puces par wafer que la technologie 200 mm utilisée par Innoscience.
La bataille ne se limite pas à la Chine
La victoire d’Innoscience en Chine ne compense pas les décisions favorables à Infineon ailleurs. En mai 2026, la Commission américaine du commerce international (ITC) a confirmé qu’Innoscience avait violé un brevet d’Infineon relatif au GaN et ordonné des interdictions d’importation et de vente pour certains produits d’Innoscience, sous réserve d’une période de révision de 60 jours. En Allemagne, Infineon a également obtenu des décisions favorables à Munich.
Innoscience a soutenu que ses produits redessinés ne violaient pas le brevet en question aux États-Unis et que ses expéditions ne seraient pas interrompues. Cette différence d’interprétation montre à quel point ces litiges sont difficiles à analyser : une victoire peut concerner des produits précis, des générations antérieures, des designs remaniés ou des marchés spécifiques.
| Juridiction | Résultat notable |
|---|---|
| Chine | Innoscience obtient validation de brevets + interdiction contre des produits Infineon |
| États-Unis | L’ITC tranche en faveur d’Infineon dans une affaire contre Innoscience |
| Allemagne | Infineon a obtenu des décisions favorables dans plusieurs litiges à Munich |
La Chine renforce son champion local
La décision du Tribunal suprême chinois a aussi une lecture industrielle. Innoscience est l’une des entreprises chinoises les plus visibles dans les semi-conducteurs composés. Dans un contexte de tensions croissantes entre la Chine, les États-Unis et l’Europe sur les puces et les chaînes d’approvisionnement, une victoire judiciaire face à un leader européen renforce sa position nationale. Les actions d’Innoscience ont bondi après la décision, et d’autres sociétés chinoises actives dans les semi-conducteurs composés ont suivi le mouvement.
Infineon demeure un acteur mondial de premier ordre dans les semi-conducteurs de puissance — silicium, carbure de silicium et GaN. Ce coup porté en Chine pourrait peser sur sa marge commerciale sur un marché crucial, surtout si les produits concernés connaissent une forte demande dans des applications à croissance rapide.
L’IA et les centres de données amplifient la pression
L’intérêt pour le GaN croît sous l’effet de la pression énergétique liée à l’IA et aux centres de données à haute densité. Les nouvelles architectures d’alimentation pour racks d’IA cherchent à réduire les pertes, gérer davantage de puissance et améliorer l’efficacité à chaque étape de conversion. Les technologies comme le GaN et le SiC occupent une place centrale dans cette évolution. Intel lui-même explore l’intégration monolithique du GaN avec la logique silicium dans ses recherches sur les nœuds futurs.
La conséquence pour les clients industriels est claire : la propriété intellectuelle devient une variable d’achat. Comparer prix, efficacité ou disponibilité ne suffit plus — il faut aussi vérifier si un produit peut être vendu sur tous les marchés, s’il fait l’objet de litiges en cours ou si des alternatives compatibles existent.
| Facteur de pression | Impact sur le GaN |
|---|---|
| Croissance de l’IA | Demande accrue d’alimentation efficace |
| Centres de données haute densité | Besoin de pertes réduites et haute densité |
| Véhicules électriques | Électronique de puissance compacte |
| Renouvelables | Conversion énergétique efficace |
| Tensions géopolitiques | Intérêt accru pour les fournisseurs locaux |
| Litiges en brevets | Risque de blocages par marché |
Une guerre de brevets qui signale la maturité du marché
Les conflits de brevets émergent généralement quand une technologie passe de l’expérimentation à des revenus réels. Le GaN a dépassé la phase de niche dans les chargeurs rapides et cherche à s’étendre vers l’automobile, l’infrastructure, l’industrie et les centres de données. Ce litige ne se résoudra probablement pas en un seul jugement, mais par une combinaison de redesigns, d’appels, d’accords, de licences croisées ou de nouvelles actions en justice.
La décision chinoise n’altère pas directement l’équilibre global du marché GaN, mais envoie un message fort : les fournisseurs chinois ne se contenteront pas de concurrencer sur les prix ou la capacité, ils défendront aussi leur portefeuille de brevets devant les tribunaux. Dans une industrie de plus en plus marquée par la souveraineté technologique et les besoins en énergie de l’IA, cette capacité juridique devient un atout stratégique.
FAQ — Innoscience, Infineon et la guerre des brevets GaN
Qu’a décidé la Cour populaire suprême de Chine dans ce litige ?
Elle a confirmé une ordonnance empêchant Infineon de vendre, proposer à la vente ou importer certains produits GaN en Chine pour violation d’un brevet d’Innoscience, assortie d’une indemnisation de 10 millions de yuans.
Innoscience a-t-il gagné toute la bataille mondiale contre Infineon ?
Non. Innoscience a remporté ce front en Chine, mais Infineon a obtenu des décisions favorables aux États-Unis (ITC) et en Allemagne dans d’autres litiges liés au GaN. La guerre se poursuit sur plusieurs fronts.
Pourquoi le GaN est-il si stratégique pour l’IA et les centres de données ?
Le GaN fabrique des dispositifs de puissance plus efficaces et compacts que le silicium traditionnel. Pour les infrastructures IA à haute densité, réduire les pertes énergétiques à chaque étape de conversion représente un gain direct sur les coûts d’exploitation et la capacité thermique.
Quelle est la position de marché d’Innoscience par rapport à Infineon dans le GaN ?
Selon TrendForce, Innoscience était estimé être le leader mondial des dispositifs GaN de puissance en 2024 avec 29,9 % de part de marché. Infineon occupait la quatrième place avec 10,3 %, mais avec un portefeuille beaucoup plus large dans les semi-conducteurs de puissance en général.
Source : innoscience.com
