Innoscience a remporté une victoire significative en Chine dans le cadre de sa longue bataille de brevets contre Infineon concernant la technologie du nitrure de galium, plus connue sous le nom de GaN. La Cour populaire suprême de Chine a maintenu une ordonnance empêchant Infineon de vendre, proposer à la vente ou importer certains produits GaN sur le marché chinois, suite à une décision d’un tribunal de Suzhou estimant que ces produits enfreignaient un brevet d’Innoscience.

Cette décision marque la fermeture définitive de ce front judiciaire en Chine et intervient quelques semaines après un revers pour Infineon dans le pays : le Tribunal de la propriété intellectuelle de Pékin avait confirmé la validité de deux brevets clés d’Innoscience liés au GaN, tout en rejetant les demandes d’annulation déposées par la société allemande.

Il ne faut pas interpréter cette affaire comme une victoire totale d’une entreprise sur l’autre. La confrontation entre Innoscience et Infineon se déroule dans plusieurs pays avec des résultats variés. Par exemple, en mai, Infineon a obtenu une décision favorable de la Commission américaine du commerce international (ITC), qui a ordonné des restrictions d’importation et de vente concernant certains produits d’Innoscience pour violation d’un brevet GaN. La société a également enregistré des avancées en Allemagne. La réalité globale est celle d’une guerre internationale de propriété intellectuelle autour d’une technologie de plus en plus stratégique.

Décision de la justice chinoise

Selon la communication d’Innoscience relayée par des médias spécialisés, la Cour populaire suprême de Chine a confirmé une décision antérieure du Tribunal populaire intermédiaire de Suzhou, datée du 27 mai. Ce tribunal avait conclu que certains produits GaN d’Infineon violaient un brevet d’Innoscience, ordonnant la cessation de leur vente, leur proposition à la vente et leur importation en Chine.

La décision inclut également une indemnisation de 10 millions de yuans, soit environ 1,38 million de dollars, en faveur d’Innoscience. Au-delà du montant, ce qui importe le plus est l’interdiction commerciale, car la Chine représente l’un des plus grands marchés mondiaux pour les semi-conducteurs de puissance, l’électronique grand public, les véhicules électriques, les centres de données et les systèmes industriels.

Cette décision s’ajoute aux résolutions de la Cour de la propriété intellectuelle de Pékin du 24 avril 2026, qui avaient confirmé la validité de deux brevets d’Innocence. La société elle-même indique que ces deux brevets sont ceux qu’elle avait invoqués dans ses litiges nationaux contre Infineon.

Ce détail est important, car une défense classique dans les litiges de brevets consiste à tenter de faire invalider le brevet avant ou pendant la procédure d’accusation. Si le brevet est invalidé, le cas perd de sa force. Sur ce front, Infineon n’a pas réussi à faire annuler ses brevets auprès de l’administration chinoise ni devant le tribunal spécialisé de Pékin.

Une technologie de petite taille, mais de grande importance stratégique

Le GaN est un matériau semi-conducteur permettant la fabrication de dispositifs de puissance plus efficaces, plus rapides et plus compacts que de nombreuses solutions traditionnelles en silice. Il est utilisé dans les chargeurs rapides, l’électronique industrielle, les télécommunications, l’automobile, les énergies renouvelables et, de plus en plus, dans l’alimentation des centres de données et de l’intelligence artificielle.

Son attrait réside dans sa capacité de commutation plus rapide, ses pertes énergétiques réduites, sa densité de puissance accrue et ses designs plus petits. Dans un monde où chaque watt compte, depuis la voiture électrique jusqu’aux racks d’IA, cette efficacité a une valeur économique directe.

La compétition entre Innoscience et Infineon arrive à un moment où le marché du GaN devient plus concurrentiel. TrendForce estime qu’Innoscience sera le leader mondial des dispositifs GaN de puissance en 2024 avec une part de 29,9 %. Infineon occupe la quatrième place, avec 10,3 %, même si l’entreprise allemande dispose d’une position beaucoup plus large dans les semi-conducteurs de puissance et d’un portefeuille de propriété intellectuelle très étendu.

De plus, Infineon a défendu publiquement sa capacité à produire du GaN sur des wafers de 300 mm, une technologie que, selon elle, peut réduire les coûts en permettant de fabriquer plus de puces par wafer par rapport à la technologie de 200 mm. Innoscience, quant à elle, s’est affirmée comme un acteur chinois de référence dans le GaN-sur-silice, avec une production sur des wafers de 8 pouces.

La bataille ne se limite pas à la Chine

La victoire d’Innoscience en Chine n’annule pas les décisions favorables à Infineon dans d’autres marchés. En mai 2026, la Commission américaine du commerce international (ITC) a confirmé une décision selon laquelle Innoscience avait violé un brevet d’Infineon relatif au GaN. L’ITC a ordonné des interdictions d’importation et de vente pour certains produits d’Innoscience, sous réserve d’une période de révision de 60 jours par la Présidence.

Infineon a présenté cette décision comme une confirmation de la valeur de son portefeuille de propriété intellectuelle. La société affirme détenir environ 450 familles de brevets liées au GaN et a indiqué qu’elle protègera activement ses technologies.

De son côté, Innoscience a soutenu que ses produits redessinés ne violaient pas le brevet en question aux États-Unis et que ses expéditions vers le marché américain ne seraient pas interrompues. Cette différence d’interprétation montre à quel point ces litiges sont difficiles à analyser de l’extérieur : une victoire peut concerner des produits précis, des générations antérieures, des designs remaniés ou des marchés spécifiques.

En Allemagne, Infineon a également revendiqué des avancées en justice à Munich dans des litiges liés à plusieurs brevets et modèles d’utilité, soulignant qu’il ne s’agit pas d’un cas isolé, mais d’une confrontation mondiale sur une technologie à fort potentiel de croissance.

La Chine renforce son champion local

La décision du Tribunal suprême chinois a aussi une lecture industrielle. Innoscience est l’une des entreprises chinoises les plus visibles dans le domaine des semi-conducteurs composés et est devenue un acteur clé de la stratégie technologique du pays. Dans un contexte de tensions croissantes entre la Chine, les États-Unis et l’Europe concernant les chips, les matériaux et les chaînes d’approvisionnement, une victoire judiciaire face à un leader européen comme Infineon renforce sa position nationale.

Selon des médias asiatiques, les actions d’Innoscience ont bondi après la décision, et d’autres sociétés chinoises actives dans les semi-conducteurs composés ont connu également des progrès. Le marché a interprété ce verdict comme un signal favorable à l’autonomie technologique chinoise dans le domaine de la puissance.

Il ne faut pas exagérer. Infineon demeure un acteur mondial de premier ordre dans les semi-conducteurs de puissance, avec une position très solide en silicium, carbure de silicium et GaN. Cependant, ce coup porté en Chine pourrait impacter sa marge commerciale sur un marché crucial, surtout si les produits concernés connaissent une forte demande dans des applications à croissance rapide.

La configuration du marché explique aussi cette tension. Le GaN n’est pas encore une technologie totalement mature ou close. Il reste de nombreuses possibilités de contestation autour des processus, architectures, brevets, emballages, coûts ou applications. Dans cette phase, la protection de la propriété intellectuelle peut autant compter que la conquête de nouveaux clients.

L’IA, les centres de données et l’électronique de puissance accentuent la pression

L’intérêt pour le GaN croît sous l’effet de la pression énergétique liée à l’intelligence artificielle et aux centres de données à haute densité. Les nouvelles architectures d’alimentation pour racks d’IA cherchent à réduire les pertes, gérer davantage de puissance et améliorer l’efficacité à chaque étape de conversion. Des technologies comme le GaN et le SiC occupent une place centrale dans cette évolution.

NVIDIA a évoqué l’évolution vers des architectures d’alimentation à plus haute tension pour les futurs racks d’IA, et plusieurs fournisseurs de semi-conducteurs de puissance rivalisent pour se positionner dans cette transition. Infineon, Innoscience, Texas Instruments, Navitas, onsemi et d’autres acteurs participent à la discussion sur les nouvelles solutions d’alimentation pour l’infrastructure IA.

Ce contexte fait des brevets un outil de concurrence directe. Si un fournisseur se voit limité sur un marché par une décision judiciaire, ses clients peuvent devoir redessiner, chercher des alternatives ou séparer des chaînes d’approvisionnement selon les régions. Inversement, si une entreprise parvient à bloquer un concurrent dans une autre juridiction, elle gagne du temps et des leviers de négociation.

La conséquence pour les clients industriels est claire : la propriété intellectuelle devient une variable d’achat. Comparer prix, efficacité ou disponibilité ne suffit plus. Il faut aussi vérifier si un produit peut être vendu sur tous les marchés, s’il fait l’objet de litiges en cours ou si des alternatives compatibles existent.

Une guerre de brevets qui annonce la maturité du marché

Les conflits de brevets apparaissent généralement lorsque la technologie sort de l’expérimentation pour générer des revenus réels. Le GaN a dépassé la phase de niche dans les chargeurs rapides et cherche à s’étendre vers l’automobile, l’infrastructure, l’industrie et les centres de données. Avec l’augmentation du volume, les litiges deviennent plus probables.

Innoscience a obtenu une victoire importante sur le marché local. Infineon a aussi remporté d’autres victoires en États-Unis et en Allemagne. Chacune des parties peut présenter des arguments solides à ses clients et investisseurs. Ainsi, cette confrontation ne se résoudra probablement pas en un seul jugement, mais par une combinaison de redesigns, d’appels, d’accords, de licences croisées ou de nouvelles actions en justice.

Pour l’Europe, cette affaire recèle une lecture stratégique. Infineon est l’un de ses grands acteurs dans le secteur des semi-conducteurs de puissance et joue un rôle clé dans l’électrification, l’automobile et l’industrie. Pour la Chine, Innoscience incarne la capacité à concurrencer dans une technologie pouvant réduire la dépendance extérieure. Ce choc entre les deux n’est pas uniquement juridique ; il reflète la compétition industrielle pour le contrôle des pôles énergétiques du monde numérique.

La décision chinoise n’altère pas directement l’équilibre global du marché du GaN, mais elle envoie un message fort : les fournisseurs chinois ne se contenteront pas de rivaliser sur les prix ou la capacité, mais défendreont aussi leur portefeuille de brevets devant les tribunaux. Dans une industrie de plus en plus empreinte de souveraineté technologique, d’efficacité énergétique et d’intelligence artificielle, cette capacité juridique devient un atout stratégique.

Questions fréquentes

Que a décidé la Cour populaire suprême de Chine ?

Elle a confirmé une ordonnance empêchant Infineon de vendre, proposer à la vente ou importer certains produits GaN en Chine pour violation d’un brevet d’Innoscience.

Combien devra-t-elle payer à Innoscience ?

La décision précédente du tribunal de Suzhou accordait à Innoscience une indemnisation de 10 millions de yuans. La Cour suprême chinoise a maintenu l’ordonnance de blocage.

Cela signifie-t-il qu’Innoscience a gagné toute la bataille mondiale ?

Non. Innoscience a gagné un front clé en Chine, mais Infineon a obtenu des décisions favorables aux États-Unis et en Allemagne dans d’autres litiges liés au GaN.

Pourquoi le GaN est-il si important ?

Parce qu’il permet des dispositifs de puissance plus efficaces, compacts et rapides. Il est crucial pour les chargeurs, véhicules électriques, énergies renouvelables, télécoms, centres de données et infrastructures d’Intelligence Artificielle.

Source : innoscience