
La fin de la loi de Moore… ou le début du « silicium sans silicium » ? L’enjeu chinois pour des transistors en bismuth et en 3D monolithique
Depuis près de 60 ans, la Loi de Moore demeure la boussole de l’industrie : tous les 18 à 24 mois, davantage de transistors par puce, offrant ainsi plus de puissance pour chaque euro dépensé et pour chaque watt consommé. Cependant, ce cycle vertueux rencontre aujourd’hui un mur physique. À l’échelle de quelques nanomètres, les effets quantiques, les courants de fuite et la densité thermique transforment la processus de miniaturisation du silicium en un jeu à rendements décroissants. Le résultat est évident : frequences plafonnant autour de 5 GHz, gains de performance de plus en plus modestes par nœud, et une escalade des coûts et complexités qui ne peut être soutenue que par quelques usines de pointe. Parallèlement, alors que




