
YMTC entre en la DRAM avec une LPDDR de 9 600 MT/s et cellule 4F²
Yangtze Memory Technologies (YMTC), le seul fabricant chinois de mémoire NAND à l’échelle commerciale, développe sa première DRAM basse consommation avec un objectif de 9 600 MT/s et une cellule 4F² utilisant un transistor à canal vertical. Selon DIGITIMES et le cabinet de conseil Counterpoint Research, cette puce est encore en phase de développement et ne passerait en production de masse dans la Fab 3 de Wuhan qu’après avoir validé ses performances et ses critères de fiabilité. Les points clés de la DRAM de YMTC en 20 secondes YMTC prépare une mémoire LPDDR à 9 600 MT/s avec cellule 4F² et transistor vertical. Depuis octobre 2025, des tests sont effectués dans la Fab 2 sur une version LPDDR5 de 16




