
Samsung accélère avec HBM4E : dépasser 70 % de rendement, son contre-attaque dans la mémoire pour l’IA
Samsung Electronics redobla sus esfuerzos en la carrera por la memoria para inteligencia artificial. Después de comenzar a mediados de año la producción comercial de HBM4, la compañía surcoreana habría logrado que el rendimiento de fiabilidad de HBM4E, su próxima generación, supere ya el 70 %, según datos del sector difundidos en Corea. Aunque esta cifra no indica que el producto esté completamente maduro, sí sugiere que el desarrollo ha entrado en una fase más estable de lo habitual para una tecnología aún en proceso de validación. En memoria HBM, la tasa de rendimiento (yield) es tan importante como la velocidad. Un chip puede ofrecer mayor ancho de banda, más capas o mejor eficiencia, pero si el porcentaje de unidades




