Le président d’ADATA, Chen Li-bai, prévoit que la demande mondiale de mémoire continuera de dépasser l’offre pendant la prochaine décennie, même si Samsung Electronics, SK hynix, Micron et les fabricants chinois augmentent leur capacité. C’est l’une des prévisions les plus tranchées de l’industrie, à ne pas confondre avec une estimation consensuelle valable pour tous les types de DRAM et de NAND Flash.

L’essentiel en 30 secondes : selon ADATA, la demande des centres de données et des appareils IA croîtra plus vite que la production pendant dix ans. La HBM, la DDR5 pour serveurs et les SSD d’entreprise absorbent la capacité auparavant destinée aux ordinateurs et mobiles. Construire une usine prend plusieurs années, et une bonne partie de la capacité future est déjà réservée par des contrats de long terme. TrendForce partage cette tension à court terme, mais anticipe un allégement de la pénurie de NAND dès la seconde moitié de 2027.

Chen juge prématuré de parler de « bulle de l’intelligence artificielle » : à l’entendre, le marché se focalise trop sur les investissements immédiats des grands fournisseurs cloud, sans anticiper l’expansion à venir de l’IA dans les entreprises, les administrations, les foyers, les véhicules, les robots, les usines et les appareils en périphérie. Sa position offre une lecture précieuse des commandes et des prix en canal, mais mérite un contexte : ADATA est un fournisseur majeur de modules DRAM et de SSD de marque, sans produire elle-même les wafers de mémoire avancée qu’elle intègre ensuite. Sa prévision reflète donc l’avis d’un dirigeant à un maillon précis de la chaîne, pas une estimation indépendante de la capacité mondiale.

Contexte : l’IA ne consomme plus seulement de la HBM

Les discussions sur la pénurie se concentrent souvent sur la mémoire à haut débit, la HBM, qui accompagne les accélérateurs NVIDIA, AMD et autres. Un centre de données IA a pourtant besoin de bien plus de couches de mémoire et de stockage : les serveurs intègrent de grandes quantités de DDR5 et de modules RDIMM pour les processeurs, les modèles et bases vectorielles reposent sur des SSD d’entreprise, et les systèmes autonomes maintiennent des contextes plus longs qui génèrent encore plus de données à conserver.

TrendForce a revu à la hausse ses prévisions pour le marché mondial de la mémoire en 2027, qui dépasserait 1 280 milliards de dollars, dont 903,3 milliards pour la DRAM et près de 379,4 milliards pour la NAND Flash, des chiffres tirés autant par les volumes que par la forte hausse des prix. La fabrication de HBM ajoute sa propre pression : elle demande des puces plus grandes, des procédés d’empilement complexes et davantage de capacité de wafer par bit utile qu’une DRAM classique. TrendForce estime que la production dédiée à la HBM représentera environ 30 % de la capacité totale de wafers DRAM des trois principaux fabricants d’ici fin 2027, pour seulement 13 % environ des bits produits.

Ce décalage explique en partie pourquoi la croissance de la HBM réduit indirectement la disponibilité de DDR5, de LPDDR et des autres mémoires : les fabricants concentrent leurs procédés les plus avancés sur les produits les plus rentables, pendant que les clients d’ordinateurs, de mobiles et d’électronique industrielle se partagent la capacité restante. Le même mécanisme touche la NAND, où les fournisseurs priorisent les SSD d’entreprise de grande capacité, comme le décrit notre article sur SK hynix, qui revoit à la baisse sa promesse de DRAM face à l’appétit de l’IA.

Segment	Principale source de demande	Prévision
HBM	GPU et accélérateurs IA	Forte pression jusqu’en 2027
DDR5 et RDIMM	Serveurs et centres de données	Offre tendue, prix élevés
LPDDR	Mobile, portables, serveurs basse consommation	Concurrence directe avec les produits IA
NAND d’entreprise	SSD pour IA, analytique, cloud	Pénurie en 2026
NAND grand public	PC, mobiles, appareils	Priorité moindre pour les fabricants
SLC et MLC matures	Automobile, industrie, systèmes intégrés	Risque de pénurie structurelle

Les faits : de nouvelles usines qui n’arrivent pas tout de suite

Samsung, SK hynix et Micron augmentent leurs investissements, mais une usine de mémoire prend plusieurs années à construire, équiper, valider, puis à monter en rendement. En juillet, Micron a annoncé porter ses investissements prévus aux États-Unis à plus de 250 milliards de dollars d’ici 2035, avec une nouvelle usine en construction verticale à New York et l’objectif de produire environ 40 % de sa DRAM sur le sol américain à long terme. Cette capacité n’arrivera pourtant pas d’un coup sur le marché, et une partie de la production future est déjà sécurisée par des contrats de long terme avant même la mise en service complète des usines : Micron a signé des accords avec Ford et General Motors pour fournir DRAM et NAND sur plusieurs cycles, et SK hynix a conclu un accord pluriannuel avec NVIDIA pour les prochaines générations de mémoire IA.

Ces contrats améliorent la visibilité des fabricants et de leurs clients, mais réduisent d’autant la capacité disponible pour les achats ponctuels : une nouvelle usine augmente la production mondiale sans garantir une abondance immédiate si ses premières années sont déjà engagées. Chen pense aussi que les grands fabricants éviteront de répéter les expansions désordonnées des cycles précédents, la mémoire ayant déjà connu des phases de surcapacité, de chute des prix et de pertes lourdes. Les fabricants préfèrent donc augmenter prudemment leur production, par plus de couches en NAND 3D, de meilleurs rendements, la migration vers le QLC ou des nœuds DRAM plus denses, plutôt que de saturer le marché. Cette prudence a un coût visible ailleurs dans la chaîne, à l’image de la pression que la montée des puces d’IA exerce désormais sur le prix de l’acide fluorhydrique.

Analyse : une prévision à dix ans face à un possible soulagement de la NAND

La principale réserve à opposer à ADATA tient au mot « mémoire » lui-même, qui recouvre des marchés très différents : une pénurie de HBM peut coexister avec une disponibilité suffisante de NAND grand public, ou un excédent sur un produit avancé pendant qu’il manque encore des puces anciennes pour l’automobile et l’industrie. TrendForce confirme que 2026 restera tendu, mais sa perspective sur la NAND est moins extrême : la société table sur une offre en bits qui dépasserait la demande dès la seconde moitié de 2027, comme le détaille notre analyse sur le possible reflux de la pénurie de NAND. Cela ne contredit pas forcément Chen : un marché peut passer d’un déficit à un léger excédent tout en gardant des prix élevés, des stocks faibles et des difficultés dans certaines catégories, sans que la DRAM suive le même calendrier que la NAND.

Prévision	Horizon	Portée
ADATA	Environ dix ans	Mémoire dans son ensemble, tirée par le cloud et le edge
TrendForce sur DRAM	Tension et prix en hausse jusqu’en 2027	HBM, DDR5 et mémoire serveur
TrendForce sur NAND avancée	Amélioration possible dès le second semestre 2027	Équilibre mondial offre-demande en bits
TrendForce sur SLC, MLC et NOR	Pénurie prolongée	Produits matures pour industrie et automobile
Micron	Conditions tendues au-delà de 2026	DRAM et NAND, sans échéance décennale précise

Pour les produits matures, le problème pourrait durer plus longtemps encore. TrendForce estime que la capacité mondiale de NAND MLC diminuera de 41,7 % en 2026, plusieurs grands fournisseurs abandonnant ou limitant cette technologie : développer de la NAND avancée pour les SSD d’IA ne comble pas automatiquement l’absence de mémoires anciennes dont dépendent des équipements en production depuis des années. ADATA a d’ailleurs durci son discours en quelques mois : en mars, Chen se limitait à annoncer une rareté de la DRAM et de la NAND pour 2026, sans se prononcer sur 2027 ou 2028. Cette tension touche déjà d’autres marchés connexes, comme le montre la baisse du marché smartphone liée à la crise de la mémoire, dont profitent surtout Samsung et Apple.

Perspectives : diversifier plutôt qu’accumuler

Pour les entreprises et les centres de données, la meilleure stratégie n’est pas d’accumuler la mémoire sans limite, mais de garantir les capacités critiques, diversifier les fournisseurs, revoir les cycles de renouvellement et concevoir des systèmes qui ne dépendent pas d’une seule génération de modules ou de SSD. Les acheteurs devraient aussi distinguer les risques selon le produit : un serveur en DDR5 standard n’a pas les mêmes contraintes qu’une plateforme HBM4, un SSD d’entreprise QLC ou une mémoire SLC industrielle. Parler d’une seule « pénurie de mémoire » peut masquer des écarts notables de disponibilité, de prix et de substituabilité.

La prévision d’ADATA dessine un scénario où la mémoire et l’électricité deviendraient les principales limites physiques à l’expansion de l’IA, et la tension de 2026-2027 appuie cette lecture. Maintenir un déficit mondial jusqu’en 2036 supposerait néanmoins que la demande continue de croître plus vite que toutes les nouvelles usines, les gains d’efficacité et l’expansion des fabricants chinois réunis. Le scénario est envisageable, mais loin d’être acquis.

Questions fréquentes

ADATA a-t-elle vraiment annoncé dix ans de pénurie de DRAM et de NAND ?

Son président parle d’une pénurie prolongée de mémoire dans son ensemble, une hypothèse à dix ans, mais sans prévision quantitative distincte pour chaque catégorie de DRAM et de NAND.

Pourquoi la HBM réduit-elle l’offre de mémoire classique ?

La HBM utilise des puces volumineuses et des procédés complexes qui consomment plus de capacité de wafer par bit. En la privilégiant, les fabricants gardent moins de ressources pour la DDR5, la LPDDR et les autres mémoires.

Quand la disponibilité de la NAND pourrait-elle s’améliorer ?

TrendForce prévoit que la pression générale pourrait commencer à diminuer dès la seconde moitié de 2027, même si certaines catégories industrielles et matures resteront tendues plus longtemps.

Les nouvelles usines feront-elles baisser les prix ?

Elles augmenteront la capacité, mais leur mise en production prend des années et une partie du volume est déjà réservée par des contrats de long terme : une baisse immédiate des prix n’est donc pas garantie.

Source : ctee, déclarations de Chen Li-bai recueillies par des médias technologiques.