Le président d’ADATA, Chen Li-bai, prévoit que la demande mondiale de mémoire continuera à dépasser l’offre pendant la prochaine décennie, même si Samsung Electronics, SK hynix, Micron et les fabricants chinois augmentent leur capacité. Cette déclaration représente l’une des prévisions les plus ambitieuses de l’industrie, et ne doit pas être confondue avec une estimation consensuelle pour tous les types de DRAM et NAND Flash.

Les clés de la pénurie de mémoire en 30 secondes

• Selon ADATA, la demande en centres de données et en dispositifs avec intelligence artificielle (IA) croîtra plus rapidement que la production tout au long de la prochaine décennie.
• Les mémoire HBM, DDR5 pour serveurs et SSD d’entreprise supplantent la capacité destinée aux ordinateurs, mobiles et produits traditionnels.
• La construction de nouvelles usines nécessite plusieurs années avant d’entrer en production, et une partie de leur capacité est déjà réservée par des contrats à long terme.
• TrendForce partage cette tension à court terme, mais prévoit un allégement de la pénurie globale de NAND à partir de la seconde moitié de 2027.

Chen soutient qu’il est encore prématuré de parler d’une « bulle de l’intelligence artificielle ». Selon lui, le marché se concentre trop sur les investissements immédiats des grands fournisseurs cloud, sans anticiper l’expansion future de l’IA dans les entreprises, les administrations publiques, les foyers, les véhicules, les robots, les usines et les dispositifs périphériques.

La position d’ADATA offre une vision précieuse des commandes et des prix en canal, bien qu’elle nécessite un contexte. La société est l’un des principaux fournisseurs mondiaux de modules DRAM et SSD de marque, mais ne produit pas directement les wafers de mémoire avancée qu’elle intègre ensuite dans ses produits. Sa prévision reflète l’avis d’un dirigeant spécifique dans une étape particulière de la chaîne, plutôt qu’une estimation indépendante de la capacité mondiale.

L’IA n’utilise plus uniquement de la HBM

Les discussions sur la pénurie sont souvent centrées sur la mémoire à haut débit, connue sous le nom de HBM, qui accompagne les accélérateurs NVIDIA, AMD et autres fabricants. Cependant, un centre de données IA nécessite beaucoup plus de couches de mémoire et de stockage.

Les serveurs intègrent de grandes quantités de DDR5 et de modules RDIMM pour les processeurs centraux. Les modèles, jeux de données, bases vectorielles et caches sont stockés sur des SSD d’entreprise. De plus, les systèmes autonomes maintiennent des contextes plus longs, sollicitent à répétition des outils et génèrent des informations qui doivent être conservées.

TrendForce calcule que l’adoption de l’IA autonome entraîne une expansion structurelle de la demande. La société a revu à la hausse ses prévisions pour le marché mondial de la mémoire en 2027, qui dépasserait 1,28 billion de dollars, avec 903,3 milliards liés à la DRAM et près de 379,4 milliards à la NAND Flash. Ces estimations sont influencées autant par le volume que par la forte augmentation des prix, et non seulement par le nombre de puces vendues.

La fabrication de la HBM exerce une pression supplémentaire, car elle nécessite des puces de grande taille, des processus d’empilement complexes et une plus grande capacité de wafer par bit utile comparée à une DRAM classique. TrendForce prévoit que la production destinée à la HBM représentera environ 30 % de la capacité totale de wafers DRAM des trois principaux fabricants d’ici la fin 2027, mais ne contribuera qu’à hauteur d’environ 13 % des bits produits.

Ce décalage explique en partie pourquoi la croissance de la HBM peut, de manière indirecte, réduire la disponibilité de DDR5, LPDDR et autres mémoires. Les fabricants concentrent leurs procédés les plus avancés sur les produits à forte demande et rentabilité, tandis que les clients d’ordinateurs, mobiles et électroniques industrielles se disputent la capacité restante.

Un phénomène similaire se produit avec la NAND. Les fournisseurs priorisent les SSD d’entreprise de grande capacité pour centres de données. Au deuxième trimestre 2026, TrendForce anticipait une augmentation de 70 à 75 % des prix contractuels de la NAND par rapport au trimestre précédent, tandis que les fabricants de PC et de smartphones réduisaient leurs capacités pour contenir leurs coûts.

La demande périphérique renforce la thèse d’ADATA. Les véhicules intelligents, robots, maisons connectées, satellites, usines automatisées et équipements industriels nécessitent une mémoire locale, même si une partie du traitement est effectuée dans le cloud. Bien que tous ces marchés n’aient pas la même croissance que prévu par Chen, ils élargissent le problème au-delà des grands centres de données.

Construire de nouvelles usines ne résout pas la pénurie immédiate

Samsung, SK hynix et Micron accroissent leurs investissements, mais une usine de mémoire prend plusieurs années à construire, à installer et à valider, puis à atteindre un rendement satisfaisant.

En juillet, Micron a annoncé qu’elle augmenterait ses investissements prévus aux États-Unis jusqu’à plus de 250 milliards de dollars d’ici 2035. La société commence à construire verticalement sa nouvelle usine à New York, avec pour objectif de produire environ 40 % de sa DRAM aux États-Unis à long terme. Cependant, cette capacité n’arrivera pas soudainement sur le marché.

De plus, une partie de la production future est déjà sécurisée via des contrats à long terme avant la mise en service complète des usines. Micron a signé des accords stratégiques avec Ford et General Motors pour fournir DRAM, NAND et autres mémoires durant de longs cycles. SK hynix a également un accord pluriannuel avec NVIDIA pour développer et fournir les prochaines générations de mémoire pour leurs plateformes IA.

Ces contrats améliorent la visibilité des fabricants et des clients, mais réduisent la capacité disponible pour les achats ponctuels. Une nouvelle usine peut augmenter la production mondiale, mais ne garantit pas une abondance immédiate si ses premières années sont déjà engagées.

Chen pense également que les grands fabricants éviteront de répéter les expansions désordonnées des cycles précédents. La mémoire a historiquement connu des périodes de surcapacité, de chute des prix et de pertes importantes. Les entreprises ont tout intérêt à augmenter prudemment leur production pour protéger leurs marges plutôt que de saturer le marché.

Les innovations de procédé peuvent permettre d’obtenir plus de bits sans augmenter fortement le nombre de wafers. Par exemple, ajouter des couches à la NAND 3D, améliorer les rendements ou migrer vers des cellules QLC. En DRAM, passer à des nœuds plus denses. Ces actions augmentent la capacité mais nécessitent aussi d’interrompre et d’adapter les lignes, ce qui n’est pas instantané.

La prévision sur dix ans entre en conflit avec un potentiel soulagement de la NAND

La principale réserve concernant la déclaration d’ADATA est que la « mémoire » regroupe des marchés variés. Une pénurie de HBM peut coexister avec une disponibilité suffisante de NAND grand public. Il peut aussi y avoir un excédent d’un produit avancé pendant qu’il manque encore des puces anciennes pour l’automobile ou l’industrie.

TrendForce confirme que 2026 restera une année très tendue, mais sa perspective pour la NAND est moins extrême. La société prévoit que la croissance de l’offre en bits commencera à dépasser la demande dès la seconde moitié de 2027, grâce à des améliorations de procédé, à une augmentation progressive des lignes de production et à la faiblesse des smartphones et portables.

Cette prévision ne contredit pas forcément la thèse d’Chen. Un marché peut passer d’un déficit à un léger excédent tout en maintenant des prix élevés, des inventaires faibles, et en rencontrant des difficultés dans certaines catégories. De même, cela ne signifie pas que la DRAM suivra le même calendrier que la NAND.

Les différences peuvent se résumer ainsi :

Pour les produits matures, le problème pourrait durer plus longtemps. TrendForce estime que la capacité mondiale de NAND MLC diminuera de 41,7 % en 2026, car plusieurs grands fournisseurs abandonnent ou limitent cette technologie. Le développement de NAND avancée pour SSD IA ne résoudra pas automatiquement l’absence de mémoires anciennes nécessaires à des équipements en production depuis plusieurs années.

ADATA a également durci son discours en quelques mois. En mars, Chen déclarait que DRAM et NAND seraient rares tout au long de 2026, sans se prononcer sur 2027 ou 2028. La nouvelle prévision sur dix ans reflète à quel point les attentes de demande ont augmenté, tout en montrant l’incertitude face à une prévision à si long terme.

Pour les entreprises et les centres de données, la meilleure stratégie n’est pas d’accumuler la mémoire sans limite. Il est plus raisonnable de garantir des capacités critiques, de diversifier les fournisseurs, de revoir les cycles de renouvellement et de concevoir des systèmes qui ne dépendent pas d’une seule génération de modules ou SSD.

Les acheteurs devraient aussi distinguer les risques selon le produit. Un serveur utilisant du DDR5 standard n’a pas les mêmes contraintes qu’une plateforme avec de la HBM4, un SSD d’entreprise QLC ou une mémoire SLC industrielle. Parler d’une seule « pénurie de mémoire » peut dissimuler des différences notables en termes de disponibilité, prix et substituabilité.

La prévision d’ADATA esquisse un scénario où la mémoire et l’électricité deviendraient les principales limites physiques à l’expansion de l’IA. La tension en 2026 et 2027 appuie cette lecture. Maintenir un déficit mondial jusqu’en 2036 nécessiterait cependant que la demande continue à croître plus vite que toutes les nouvelles usines, les améliorations d’efficacité et l’expansion des fabricants chinois. Ce résultat est envisageable, mais loin d’être assuré.

Questions fréquentes

ADATA a-t-elle déclaré qu’il manquerait de la DRAM et de la NAND pendant dix ans ?

Son président parle d’une pénurie prolongée de mémoire dans son ensemble. La déclaration se résume souvent à une hypothèse d’une décennie de manque de DRAM, mais ne constitue pas une prévision quantitative distincte pour chaque catégorie de DRAM et NAND.

Pourquoi la HBM réduit-elle l’offre de mémoire classique ?

La HBM utilise des puces volumineuses et des procédés complexes qui consomment davantage de capacité de wafer par bit. En la favorisant, les fabricants disposent de moins de ressources pour produire de la DDR5, LPDDR et autres mémoires.

Quand la disponibilité de la NAND pourrait-elle s’améliorer ?

TrendForce prévoit que la pression générale pourrait commencer à diminuer à partir de la seconde moitié de 2027. Certaines catégories industrielles et matures pourraient cependant rester en tension plus longtemps.

Les nouvelles usines feront-elles baisser les prix ?

Elles augmenteront la capacité, mais leur entrée en production prendra des années, et une partie de leur volume est déjà réservée via des contrats à long terme. Une baisse immédiate des prix n’est donc pas certaine.

Sources :

• ctee et déclarations de Chen Li-bai sur l’évolution de la demande de mémoire, recueillies par des médias technologiques.