La Chine révolutionne la mémoire Flash avec le développement de la puce PoX : 400 picosecondes par opération

L’Université de Fudan établit un nouveau record avec une mémoire non volatiled’une rapidité ultralocalisée, idéale pour les applications en intelligence artificielle Des chercheurs de l’Université de Fudan, à Shanghai, ont annoncé le développement de la mémoire Flash la plus rapide au monde, marquant un jalon sans précédent dans l’histoire de l’informatique. Baptisée PoX (Phase-change Oxide), […]