La Chine accélère dans le GaN tandis que le SiC subit une guerre des prix
L’industrie chinoise des semiconducteurs à large bande interdite a entamé 2026 sur deux rythmes très contrastés. Alors que les entreprises liées au GaN de radiofréquence connaissent une croissance soutenue grâce au déploiement des stations 5G, aux terminaux d’internet satellite et à la demande dans la défense, une majorité de fabricants de SiC traverse un trimestre […]
Intel dévoile le chiplet GaN le plus fin au monde pour réseaux et data centers
Intel Foundry a développé le chiplet GaN le plus fin au monde : 19 micromètres d’épaisseur, sur wafers 300 mm en GaN sur silicium. Présenté à l’IEDM 2025, ce jalon marque la diversification d’Intel Foundry au-delà des nœuds logiques vers les matériaux spécialisés pour centres de données, télécoms et systèmes haute efficacité. L’approche s’inscrit dans […]
GlobalFoundries licence la technologie GaN de TSMC pour accélérer sa stratégie de puissance « made in USA » dans les centres de données, l’industrie et l’automobile
GlobalFoundries (GF) a conclu un accord de licence technologique avec TSMC pour les technologies de nitruro de galio (GaN) de 650 V et 80 V, dans le but de désenclaver sa nouvelle génération de dispositifs de puissance destinés à les centres de données, les environnements industriels et l’automobile. La fabrication de ces produits sera assurée […]
Imec accélère la transition du GaN à 300 mm : vers des dispositifs de puissance plus avancés et à coûts de fabrication réduits
Imec, le centre renommé de R&D en nanoélectronique et technologies numériques, a lancé une nouvelle étape dans son programme d’innovation ouverte dédiée à la technologie de nitrures de galium (GaN) sur wafer de 300 mm pour l’électronique de puissance à basse et haute tension. Cette initiative, intégrée dans le Industrial Affiliation Program (IIAP) de GaN, […]
Infineon renforce son leadership dans les semi-conducteurs avancés avec la production de tranches GaN de 300 mm
Infineon Technologies PRÉPARE UN NOUVEAU CAP DANS LA TECHNOLOGIE GaN L’entreprise allemande s’affirme comme un leader mondial dans la technologie du nitrure de gallium suite à l’annonce de TSMC concernant l’arrêt de sa production. Infineon Technologies AG a révélé que son plan de fabrication de semi-conducteurs en nitrure de gallium (GaN) sur des wafers de […]
NVIDIA s’associe à Navitas pour propulser sa nouvelle architecture de centres de données à 800 V avec GaN et SiC
NVIDIA et Navitas lancent une nouvelle architecture de centres de données à 800 V Dans une collaboration stratégique marquant une avancée majeure pour l’infrastructure des centres de données dédiés à l’intelligence artificielle, Navitas Semiconductor a annoncé son partenariat avec NVIDIA pour déployer une nouvelle architecture d’alimentation à 800 V HVDC. Cette architecture sera conçue pour […]