
CXMT accélère sa carrière dans la DRAM avancée avec la technologie HKMG
Le fabricant chinois CXMT (ChangXin Memory Technologies) aurait réussi à intégrer la technologie High-k Metal Gate (HKMG) dans son processus G4 de DRAM et dans ses produits LPDDR5X, marquant une avancée significative pour réduire les fuites électriques qui apparaissent à mesure que les transistors sont miniaturisés. La société continue ainsi de rattraper son retard face à Samsung, SK hynix et Micron tout en travaillant sur son prochain processus G5, situé autour de 15 nanomètres. Les clés de l’évolution de CXMT en 30 secondes CXMT aurait intégré HKMG à son processus G4 de 16 nm et LPDDR5X, une technologie utilisée depuis plusieurs années par les fabricants leaders. HKMG utilise des matériaux à constante diélectrique élevée et une porte métallique pour mieux




