Samsung amplía su estrategia de memorias NAND para inteligencia artificial con tres innovadoras líneas de desarrollo: Z-NAND-O, diseñada para IA en dispositivos, Z-NAND-T, centrada en incrementar el ancho de banda para centros de datos, y Z-NAND-I, creada para maximizar las operaciones de entrada y salida por segundo. Según ZDNet Corea, las dos últimas aún se encuentran en fases iniciales de desarrollo y Samsung no ha anunciado oficialmente sus especificaciones aún.

Las claves de las nuevas Z-NAND de Samsung en 20 segundos

• Samsung está trabajando, según fuentes del sector, en tres variantes de NAND adaptadas a distintas cargas de trabajo en IA.
• Z-NAND-O está orientada a la IA en dispositivos, empleando chips apilados mediante conexiones TSV.
• Z-NAND-T busca aumentar el ancho de banda, relacionándose con el concepto de memoria HBF (High Bandwidth Flash).
• Z-NAND-I está diseñada para maximizar los IOPS, es decir, las operaciones de entrada y salida por segundo.
• El objetivo es adaptar la memoria a las necesidades específicas de inferencia en IA y de centros de datos.

Esta estrategia responde a una necesidad creciente en infraestructura de IA: no todas las aplicaciones se benefician de la misma tecnología de memoria. Algunas requieren transferencias rápidas de grandes volúmenes de datos, mientras que otras realizan múltiples operaciones pequeñas y frecuentes. Samsung estaría explorando diferentes soluciones para abordar estas diversas demandas sin depender de una única configuración de memoria.

La información proviene de ZDNet Corea, que cita fuentes del sector. Por ello, conviene distinguir entre Z-NAND-O, cuya maqueta Samsung mostró en un evento de memorias en agosto de 2026, y las variantes Z-NAND-T y Z-NAND-I, cuyo desarrollo aún no ha sido confirmado oficialmente por la compañía.

Z-NAND-O, T y I: tres diseños para distintas necesidades

La primera de estas soluciones, Z-NAND-O, ya fue presentada públicamente mediante una maqueta. Samsung la exhibió en agosto de 2026 durante el evento Future of Memory and Storage (FMS), dedicado a memorias y almacenamiento en Estados Unidos. Su diseño está pensado para ejecutar IA directamente en dispositivos, incluyendo móviles y sistemas en el borde de la red.

Esta tecnología combina memoria NAND apilada verticalmente con conexiones a través de silicio, conocidas como TSV (Through-Silicon Vias). Samsung contempla configuraciones con cuatro u ocho capas apiladas en un mismo encapsulado. Al reducir la distancia que recorren los datos entre los chips, el diseño busca mejorar la velocidad de acceso y la eficiencia energética. Aún no se han divulgado cifras oficiales de rendimiento o consumo en los anuncios iniciales.

Fuente: ZDNet Corea

Z-NAND-T seguiría un enfoque similar en cuanto al apilamiento, pero priorizaría el aumento del volumen de datos transferidos por unidad de tiempo, es decir, su throughput, especialmente útil en sistemas de IA que necesitan alimentar aceleradores con grandes cantidades de información.

El sector emplea el término HBF (High Bandwidth Flash) para describir esta memoria flash de alto ancho de banda, que aprovecha el apilamiento vertical y las conexiones TSV para acercar las prestaciones de transferencia de NAND a las demandas actuales de arquitecturas de computación. Es importante no confundir HBF con HBM (High Bandwidth Memory), ya que ambas tecnologías buscan incrementar el ancho de banda, pero utilizan tecnologías distintas y tienen características diferentes.

Z-NAND-I, en cambio, apunta a mejorar los IOPS (operaciones de entrada y salida por segundo), una métrica que indica cuántas operaciones puede completar un dispositivo en ese tiempo. Memorias con altos IOPS son especialmente adecuadas para cargas de trabajo que acceden continuamente a pequeños bloques de datos, aunque no sean ideales para transferencias masivas en operaciones secuenciales.

ZDNet Corea sugiere que esta variante podría estar destinada a tareas de inferencia en IA que utilizan cachés tipo clave-valor (KV cache). Estos sistemas necesitan acceder frecuentemente a datos temporales durante la generación de respuestas. Sin embargo, no se conocen cifras concretas de IOPS, latencia o capacidad para Z-NAND-I, por lo que aún es pronto para comparar sus prestaciones con productos existentes.

La competencia también trabaja en memorias para inferencia

Samsung no es la única firma explorando memorias NAND adaptadas a las cargas de IA. Según ZDNet Corea, SK Hynix ha desarrollado su propia familia AIN (AI-NAND), con tres líneas: AIN P, enfocada en rendimiento; AIN D, orientada a la densidad y capacidad; y AIN B, centrada en ancho de banda.

El medio indica que SK Hynix trabaja en una variante AIN P con potencial de alcanzar hasta 100 millones de IOPS, y en una línea AIN D con capacidades de almacenamiento del orden de petabytes. La línea AIN B responde a un concepto similar a HBF, priorizando la transferencia de datos. Estas metas de desarrollo son informadas por el sector, y no obligaciones que deban cumplirse por igual en todos los productos.

La diferenciación es lógica dada la diversidad de tareas en IA. El entrenamiento y ciertas fases de inferencia pueden beneficiarse de un ancho de banda elevado, mientras que otros servicios necesitan acceso rápido a numerosos bloques pequeños. La capacidad total también resulta clave para mantener grandes bases de datos, estados de modelos o cachés.

Para Samsung, disponer de una familia de memorias especializadas permitiría adaptar mejor cada producto a su uso específico, en lugar de depender de una única solución NAND. Sin embargo, su éxito comercial dependerá todavía de aspectos no aclarados, como capacidad por encapsulado, latencia, consumo, costes de producción, disponibilidad y compatibilidad con las plataformas de sus clientes.

La información disponible aún no confirma si Z-NAND-I tendrá algún acuerdo con NVIDIA, ni si Samsung la ha designado oficialmente como memoria exclusiva para sus sistemas. Aunque la memoria de alto rendimiento puede ser relevante para plataformas de IA como las de NVIDIA y otros proveedores, atribuir un cliente concreto requeriría confirmación adicional.

Por ahora, Z-NAND-O es la única versión de la que existe una presentación pública documentada. Z-NAND-T y Z-NAND-I permanecen en fases iniciales del desarrollo, según fuentes del sector citadas por ZDNet Corea. Samsung aún no ha anunciado fechas de lanzamiento ni especificaciones definitivas para estos productos.

Preguntas frecuentes

¿Qué es Z-NAND-O de Samsung?

Es una memoria NAND de alto rendimiento diseñada para la IA en dispositivos. Samsung presentó una maqueta en FMS 2026, explicando que utiliza chips apilados verticalmente mediante conexiones TSV.

¿En qué se diferencia Z-NAND-T de Z-NAND-I?

Z-NAND-T se enfoca en incrementar el ancho de banda para transferir grandes volúmenes de datos, mientras que Z-NAND-I busca maximizar los IOPS, es decir, realizar más operaciones de entrada y salida por segundo.

¿Qué es HBF en memorias para IA?

HBF significa High Bandwidth Flash, una memoria flash de alto ancho de banda que, mediante apilamiento y conexiones TSV, busca acelerar las transferencias, aunque no es equivalente a la memoria HBM.

¿Samsung ha confirmado que Z-NAND-I será usada en productos de NVIDIA?

No aún. La información apunta al desarrollo de la variante, pero no hay confirmación oficial de Samsung que indique a NVIDIA como cliente. Se requiere información adicional para esa atribución.

fuente: ZDNet