Infineon et NVIDIA étendent leur partenariat dans les architectures électriques de 800 volts en courant continu (VDC) pour centres de données IA, avec un nouvel accent sur les convertisseurs en nitrure de galium (GaN) pour l’une des étapes les plus exigeantes de la chaîne d’alimentation. La société allemande l’a annoncé le 21/10/2026 à Munich, en marge de la conférence GTC Berlin de NVIDIA.
Les points clés d’Infineon, NVIDIA et du GaN pour 800 VDC en 30 secondes
- Infineon et NVIDIA se concentrent sur le convertisseur de bus intermédiaire (IBC), qui abaisse la tension avant d’atteindre les accélérateurs.
- Le GaN permet une commutation jusqu’à 1 MHz, avec des composants plus compacts et une densité de puissance accrue.
- Infineon couvre les conversions de 800 V à 50 V, 12 V et 6 V.
- C’est la troisième phase d’un partenariat annoncé en mai 2025, sans dates de commercialisation précises ni indicateurs d’efficacité pour le moment.
Les racks de traitement de l’IA consomment de plus en plus d’énergie, ce qui pousse l’industrie à augmenter la tension de distribution pour réduire les pertes. Dans cette transition, le convertisseur de bus intermédiaire (IBC) est la pièce centrale qui abaisse la tension du bus principal vers un niveau inférieur, à partir duquel d’autres étapes génèrent les tensions précises requises par les processeurs. Infineon décrit cette étape comme l’une des plus critiques de toute la chaîne d’alimentation.
Pourquoi choisir le nitrure de galium ?
Selon Infineon, par rapport au silicium, le GaN permet aux transistors de puissance de commuter beaucoup plus rapidement avec moins de pertes, ce qui autorise des fréquences allant jusqu’à 1 MHz en configuration IBC. Avec des fréquences plus élevées, les bobines et composants passifs peuvent être considérablement plus petits, réduisant l’espace nécessaire tout en augmentant la puissance disponible. Dans les centres de données IA, l’espace dans les racks devient de plus en plus précieux.
L’entreprise souligne que les faibles pertes en conduction et en commutation du GaN contribuent à limiter la chaleur générée, même lorsque la puissance par rack approche le mégawatt. Sa gamme couvre toutes les relations de conversion demandées dans cette étape — de 800 V à 50 V, 12 V et 6 V — complétée par ses familles de contrôleurs PSoC Control C3 et de pilotes de porte EiceDRIVER pour offrir une solution complète. Infineon produit également des solutions IBC utilisant le silicium et le carbure de silicium. Le communiqué ne fournit pas de chiffres précis sur l’efficacité ni de dates de disponibilité.
Jochen Hanebeck, PDG d’Infineon, a déclaré que l’IA modifie en profondeur les demandes en infrastructure électrique et que les semi-conducteurs jouent un rôle central dans cette révolution. Il a ajouté que les solutions en GaN sont essentielles pour la prochaine génération de centres de données.
Une collaboration en trois phases
Le partenariat entre les deux sociétés a débuté en mai 2025, avec l’annonce d’une coopération sur les architectures en 800 VDC. En octobre 2025, ce partenariat s’est étendu avec des solutions de protection du chemin d’alimentation, telles que des contrôleurs à insertion à chaud, permettant aux racks en 800 VDC d’être maintenus et de remplacer des composants sans interruption. L’annonce actuelle inclut l’intégration du convertisseur haute tension à base de GaN.
Infineon insiste sur le fait que la tension de 800 VDC s’inscrit en complément des architectures AC et DC de moindre tension déjà existantes, constituant une option supplémentaire pour le calcul à haute densité, sans remplacer immédiatement celles-ci. La revue Cloud expliquait en septembre comment l’IA pousse les centres de données vers une nouvelle architecture électrique de 800 V, et ce mois-ci, on apprend que Infineon acquiert C2i Semiconductors pour renforcer l’alimentation des centres de données IA. La société allemande se positionne comme un fournisseur intégral, depuis les alimentations connectées au réseau jusqu’aux points de charge adjacents aux processeurs.
Questions fréquentes
Qu’ont annoncé Infineon et NVIDIA ?
Une extension de leur partenariat dans les architectures en 800 VDC pour centres de données IA, centrée sur les convertisseurs de bus intermédiaire en GaN.
Qu’est-ce qu’un convertisseur de bus intermédiaire ?
Une étape qui réduit la tension du bus principal à un niveau inférieur, à partir duquel d’autres étapes génèrent les tensions nécessaires aux processeurs en IA.
Quels avantages offre le GaN par rapport au silicium ?
Selon Infineon, il commute plus rapidement avec moins de pertes, autorise des fréquences jusqu’à 1 MHz, et permet de réduire la taille des composants, augmentant ainsi la densité de puissance.
Quelles conversions couvre Infineon ?
De 800 V à 50 V, puis à 12 V et 6 V dans l’étape haute tension du convertisseur de bus intermédiaire.
Sources :