MACOM Technology Solutions Inc. (MACOM), fournisseur leader en produits semi-conducteurs, a été sélectionné pour diriger un projet de développement technologique qui se concentrera sur la conception de semi-conducteurs en nitrure de gallium sur carbure de silicium (GaN-on-SiC) pour des applications de radiofréquence (RF) et micro-ondes. Financé par la loi CHIPS et Sciences du gouvernement des États-Unis à travers le Département de la Défense (DoD), le projet vise à établir des processus de fabrication avancés pour des matériaux à base de GaN et des circuits intégrés monolithiques à micro-ondes (MMICs) qui opèrent à des tensions élevées et sur des fréquences d’ondes millimétriques (mmW).

Ce projet marque une étape importante dans les efforts de MACOM pour renforcer la production nationale de technologies de puissance RF et micro-ondes de dernière génération, essentielles pour des applications militaires comme le radar et les systèmes de détection, ainsi que pour le futur déploiement de réseaux de télécommunications de nouvelle génération. « Notre stratégie est d’augmenter la production nationale de technologies avancées de puissance RF et micro-ondes pour soutenir les applications militaires à radar et détection, en plus de permettre les réseaux de télécommunications du futur », a affirmé Stephen G. Daly, président et directeur exécutif de MACOM.

Collaboration avec des institutions académiques et militaires

Pour mener à bien cette initiative, MACOM collaborera avec l’Université de Caroline du Nord, Adroit Materials et le Laboratoire de Recherche de la Marine (NRL) dans le cadre du Hub de Microélectronique CLAWS (Commercial Leap-Ahead for Wide Bandgap Semiconductors). Le projet bénéficie d’un financement initial de 3,4 millions de dollars pour la première année, ce qui représente une expansion des activités de développement de technologie GaN que MACOM avait déjà établies avec le DoD ces dernières années.

Parmi ces collaborations précédentes, on note un accord de recherche et développement signé en 2021 avec le Laboratoire de Recherche de l’Armée de l’Air des États-Unis (AFRL), dans lequel MACOM a transféré avec succès le processus GaN-on-SiC MMIC de 0,14 micron de l’AFRL à sa fonderie de confiance située dans le Massachusetts. De plus, en 2023, MACOM a reçu un contrat de 4 millions de dollars pour développer des technologies GaN pour des applications d’ondes millimétriques, et une adjudication de la DARPA évaluée à jusqu’à 10,1 millions de dollars pour améliorer la dissipation de chaleur dans des applications de haute puissance.

MACOM et son leadership en technologie GaN

MACOM, avec une large gamme de produits couvrant des technologies de RF, micro-ondes, signaux analogiques et mixtes et semi-conducteurs optiques, s’est consolidé comme un acteur de premier plan dans l’industrie des semi-conducteurs. La compagnie, qui opère des installations aux États-Unis, en Europe et en Asie, a obtenu des certifications internationales telles que la norme automobile IATF16949, la norme de qualité ISO9001 et la norme de gestion environnementale ISO14001. Avec ces accréditations, MACOM se positionne comme un partenaire stratégique dans le développement de solutions technologiques de pointe qui renforcent à la fois le secteur de la défense ainsi que les communications et les centres de données.

Ce nouveau projet réaffirme l’engagement de MACOM à continuer d’innover et à contribuer au développement de technologies critiques pour la sécurité nationale et le progrès des télécommunications, dans un contexte où les États-Unis cherchent à renforcer leur leadership dans le domaine des semi-conducteurs.