GlobalFoundries (GF) se prepara para ampliar significativamente su capacidad de producción a nivel mundial ante la creciente demanda de chips de radiofrecuencia (RF) y otros semiconductores vinculados al auge de la inteligencia artificial. La compañía señala a Singapur como una pieza clave en esta estrategia de expansión, mientras que sus fábricas en Estados Unidos mantienen niveles de utilización elevados.

Las claves de la expansión de GlobalFoundries en 20 segundos

• GF impulsa una mayor capacidad global para fabricar chips RF y tecnologías relacionadas con la IA.
• Singapur jugará un papel destacado, junto con la optimización de sus líneas actuales de producción.
• Aún no se han detallado las cifras exactas de inversión ni la capacidad adicional prevista.
• La compañía está expandiendo tecnologías como RF-SOI, SiGe, fotónica de silicio y GaN.
• MIPS, su filial especializada en propiedad intelectual, planea incrementar su equipo de I+D en Taiwán hasta 100 ingenieros.

Este anuncio llega en un momento en que la demanda de semiconductores para inteligencia artificial trasciende las GPU y otros procesadores de cálculo tradicionales. Las infraestructuras de IA también requieren circuitos de radiofrecuencia, gestión de energía, conectividad, fotónica y otros componentes especializados. GlobalFoundries busca potenciar su capacidad en varias de estas áreas estratégicas.

Vincent Feng, responsable de GlobalFoundries en Asia-Pacífico, explicó en una conferencia en Hsinchu que la compañía está preparando una expansión significativa de su capacidad. Sin embargo, evitó precisar cifras, cronogramas o montos de inversión específicos. Según sus declaraciones recogidas por Taipei Times, las fábricas de GF en Estados Unidos presentan actualmente un alto nivel de utilización.

Singapur se consolida como centro estratégico de fabricación de GF

Singapur emerge como uno de los principales centros proyectados para responder a esta demanda creciente. La planta de GlobalFoundries en Woodlands combina fabricación en obleas de 300 y 200 milímetros, produciendo tecnologías especializadas para automoción, dispositivos móviles, industria, fotónica y conectividad.

Este complejo cuenta con aproximadamente 3.800 empleados y 87.000 metros cuadrados de salas limpias. GlobalFoundries estima su capacidad global en torno a 1,5 millones de obleas de 300 mm al año. Entre las tecnologías fabricadas allí se incluyen CMOS, Power BCD, RF-SOI, silicio-germanio (SiGe) y fotónica de silicio.

La compañía ya está realizando movimientos concretos en Singapur. En septiembre, anunció un acuerdo de fabricación con Monolithic Power Systems (MPS) para llevar su tecnología propia de gestión de energía a su planta avanzada de 300 mm, con producción en volumen prevista para 2027. Los chips resultantes se destinarán a centros de datos, automoción, electrónica de consumo y aplicaciones industriales.

Asimismo, está avanzando en la tecnología SLATE, un sistema de unión de obleas para integrar estructuras tridimensionales en aplicaciones de radiofrecuencia. GlobalFoundries ha indicado que SLATE, basado en su plataforma 9SW RF-SOI, está preparado para producción, con volumen de fabricación programado para la segunda mitad de 2027. Este diseño puede reducir hasta un 45 % el tamaño del dado en determinadas estructuras de RF.

La planta en Asia también se está reforzando en el campo de la fotónica. En 2025, GlobalFoundries adquirió Advanced Micro Foundry (AMF), con sede en Singapur, para ampliar sus capacidades en fotónica de silicio. La empresa se autodefine como la principal plataforma independiente de fabricación especializada en fotónica de silicio a nivel global.

El auge de la IA impulsa también la demanda de RF

Aunque la relación entre inteligencia artificial y radiofrecuencia puede parecer menos evidente que la vinculada a las GPU, GlobalFoundries apuesta fuerte por esta área. Considera que el crecimiento de centros de datos, redes inalámbricas y sistemas conectados genera nuevas necesidades de chips especializados.

Su catálogo de tecnologías RF incluye RF-SOI, SiGe y RF GaN. Estas tecnologías se emplean en aplicaciones que van desde teléfonos inteligentes y redes inalámbricas hasta comunicaciones satelitales, radares y conectividad en centros de datos.

En junio de 2026, GF anunció que está desarrollando RF GaN, basado en nitruro de galio sobre silicio, para usos en comunicaciones, defensa, satélites y centros de datos. Destaca que este enfoque permite fabricar GaN sobre obleas de silicio de 200 mm, combinando las propiedades del material con procesos de fabricación destinados a mayores volúmenes.

Además, ha fortalecido su tecnología de GaN mediante un acuerdo con TSMC. En noviembre de 2025, GlobalFoundries anunció que obtuvo una licencia para tecnologías GaN de 650 V y 80 V de TSMC, con el objetivo de impulsar una nueva generación de productos de GaN para centros de datos, industria y automoción, con fabricación en Estados Unidos en su planta de Burlington, Vermont.

Este acuerdo no implica que toda la producción de GaN se concentre en Singapur. GF mantiene la fabricación de RF GaN en Estados Unidos, mientras que Singapur participa en otras tecnologías RF y especializadas, dentro de una red de producción distribuida.

Más actividad en Taiwán y aumento del equipo de ingenieros en MIPS

La estrategia mostrada en Hsinchu también contempla una vertiente comercial y de ingeniería en Taiwán. Feng señaló que GF busca incrementar su presencia local tras años con una actividad relativamente discreta en el mercado taiwanés.

La proximidad geográfica a Singapur y la relevancia de Taiwán en el diseño de chips son factores clave que la compañía aprovecha para fortalecer sus relaciones con clientes. Ed Kaste, vicepresidente senior de CMOS en GlobalFoundries, mencionó que los principales proveedores de servicios en la nube de EE. UU. están aumentando la demanda, impulsando la necesidad de mayor fabricación en Estados Unidos.

La actividad de MIPS, la filial de propiedad intelectual de GF, también crecerá. Actualmente, cuenta con 35 ingenieros de I+D en Taiwán y tiene previsto incorporar más de 30 profesionales adicionales. El objetivo a largo plazo es alcanzar los 100 ingenieros en la isla, equiparando su tamaño con otros equipos de I+D en distintas regiones.

Este crecimiento refleja que la estrategia de GF no se limita a construir nuevas fábricas. La compañía combina aumento de capacidad,optimización de líneas existentes y desarrollo de procesos especializados para responder a diferentes tipos de demanda.

Por el momento, aún faltan detalles concretos sobre el alcance total de esta expansión global. GF no ha comunicado cifras de inversión, número de obleas adicionales ni un cronograma completo. Sin embargo, sí ratifica su intención de acelerar capacidades y de potenciar el rol de Singapur en esa estrategia, junto con las inversiones y acuerdos en marcha en sus diversas plantas.

Preguntas frecuentes

¿Por qué GlobalFoundries está ampliando su capacidad?

Por la creciente demanda de chips RF y otras tecnologías relacionadas con la expansión de la inteligencia artificial, centros de datos y conectividad. También por la alta utilización de algunas de sus fábricas en Estados Unidos.

¿Qué papel jugará Singapur en esta expansión?

Será uno de los principales centros de producción, fabricando tecnologías como RF-SOI, SiGe, fotónica de silicio y CMOS. Su capacidad se integrará en la estrategia global de incremento de producción de GF.

¿Qué tecnologías de GaN desarrolla GlobalFoundries?

GF desarrolla tecnologías basadas en nitruro de galio para aplicaciones RF y gestión de energía, incluyendo licencias obtenidas a través de TSMC para tecnologías GaN de 650 V y 80 V, con aplicaciones en centros de datos, industria y automoción.

¿Cuántos ingenieros tendrá MIPS en Taiwán?

Actualmente cuenta con 35 ingenieros y planea integrar más de 30 adicionales, con una meta a largo plazo de llegar a 100 profesionales en Taiwán.