ChangXin Memory Technologies (CXMT) prévoit d’investir 34 900 millions de yuans, soit environ 5,2 milliards de dollars, afin d’étendre ses capacités en recherche, fabrication et test de puces mémoire. Cette initiative intervient quelques jours seulement après que le fabricant chinois ait annoncé la production en masse de sa cinquième génération de DRAM, une plateforme G5 intégrant un design de 11,95 nanomètres de half-pitch et de nouvelles puces LPDDR5X de 24 Gb.

Les enjeux de l’expansion de CXMT en 20 secondes

• CXMT consacrera 24 100 millions de yuans à un nouveau projet de R&D, et 10 800 millions à la seconde phase d’une usine de tests de wafers.
• Près de 22 400 millions de yuans du budget R&D seront destinés à l’achat d’équipements, d’après la documentation citée par le South China Morning Post.
• La société vient de lancer en production de masse sa plateforme G5 de DRAM, avec un active-area half-pitch de 11,95 nm.
• Deux nouvelles puces LPDDR5X de 24 Gb, basées sur G5, sont désormais en production massive et offrent une capacité augmentée de 50 % par unité par rapport à la génération précédente.
• CXMT affirme également que G5 permet d’obtenir au moins 50 % de dies bruts en plus par wafer comparé à la plateforme antérieure.

Ce nouveau plan d’investissement arrive à un moment crucial pour CXMT. La société cherche à augmenter sa capacité de production de DRAM tout en réduisant sa dépendance envers des fournisseurs étrangers de matériel pour semi-conducteurs. Selon une source citée par le South China Morning Post, une part significative des nouvelles acquisitions de machines serait destinée à des fabricants chinois. La documentation financière confirme un budget important pour ces équipements, mais ne permet pas d’identifier précisément chaque fournisseur, ni de confirmer la substitution totale des équipements étrangers.

34 900 millions de yuans pour la R&D et les tests

Le plan prévoit deux enveloppes principales. CXMT envisage d’investir 24 100 millions de yuans dans un nouveau projet technologique de recherche et développement, tandis que 10 800 millions seront alloués à la deuxième phase d’une installation dédiée aux tests de wafers mémoire.

Ce découpage illustre à quel point la fabrication de DRAM avancée dépend fortement de machines spécialisées. Selon South China Morning Post, environ 22 400 millions de yuans, soit près de 93 % du budget R&D, seront consacrés à l’achat d’équipements.

Une partie des fonds proviendra également de la récente IPO de CXMT. La société a débuté sur le marché STAR de Shanghai en juillet 2026, récoltant au moins 57 900 millions de yuans, soit environ 8,6 milliards de dollars, selon Reuters. Cette levée de fonds s’est produite dans un contexte de forte demande pour la mémoire, alimentée notamment par l’intelligence artificielle.

Les documents financiers indiquent en outre que 18 000 millions de yuans de fonds excédentaires de l’IPO seraient investis dans ces nouveaux projets, avec 13 000 millions dédiés à la R&D et 5 000 millions à la seconde phase des installations de tests.

Ce plan ne se limite donc pas à une simple augmentation de capacité de production. CXMT alloue une large part de son capital au développement de nouvelles technologies et à l’extension de son infrastructure pour tester et valider ses puces.

G5 déjà en production de masse

Cette annonce financière coïncide avec un autre jalon technologique. Le 20 septembre, lors de la World Manufacturing Convention à Hefei, CXMT a confirmé que sa cinquième génération de technologie DRAM, baptisée G5 Platform, était entrée en production de masse. La société a également présenté deux nouveaux produits LPDDR5X fabriqués sur cette plateforme.

L’un des aspects techniques clés est le active-area half-pitch de 11,95 nanomètres. CXMT indique avoir atteint cette valeur grâce à la self-aligned quadruple patterning (SAQP), une technique de lithographie avancée permettant de fabriquer des structures mémoire plus petites.

La société annonce aussi un rapport d’aspect de 45:1 pour les condensateurs de la matrice et une hauteur de 6 762 nanomètres pour la zone centrale des cellules, utilisant un processus high-k metal gate (HKMG) optimisé pour la DRAM.

Il faut toutefois rester prudent dans l’interprétation de ces chiffres. La valeur de 11,95 nm précise le half-pitch de la zone active, et ne signifie pas que toute la technologie G5 peut simplement être qualifiée comme un procédé de 11,95 nm. Elle ne permet pas non plus d’établir une équivalence complète avec les processus de fabricants comme Samsung, SK Hynix ou Micron, car il manque des données comparables sur la performance, la consommation, le rendement (yield) et les coûts publics.

CXMT affirme en outre que G5 produit au moins 50 % de dies bruts supplémentaires par wafer par rapport à sa plateforme précédente, en se référant à une densité équivalente de 8 Gb. Il s’agit de gross dies per wafer, c’est-à-dire le nombre total de dies avant détection et élimination des défauts. La donnée ne doit pas être interprétée comme une augmentation automatique de 50 % en chips fins et commercialisables.

LPDDR5X de 24 Gb et chaîne d’approvisionnement plus locale

La plateforme G5 est également accompagnée de deux nouvelles puces LPDDR5X de 24 Gb par die. CXMT affirme qu’elles sont déjà en production de masse et utilisent des boîtiers de 496 et 245 balles, destinés respectivement aux smartphones et autres appareils électroniques portables.

La capacité de 24 Gb représente une augmentation de 50 % par rapport aux produits de 16 Gb de la précédente génération de CXMT. En capacité, cela équivaut à 3 Go par die, bien que la spécification commerciale continue d’utiliser le gigabit en mémoire, par souci d’unité.

La production de G5 et cette nouvelle allocation d’investissement s’inscrivent dans une stratégie plus large de CXMT pour renforcer sa position sur le marché mondial de la mémoire. Selon Reuters, l’entreprise était alors le quatrième fabricant mondial de DRAM, avec une part de marché de 7,7 % en juillet 2026, derrière Samsung, SK Hynix et Micron.

CXMT diversifie aussi son offre au-delà de la DRAM traditionnelle. En septembre, elle a lancé la production en masse de LPDDR6, annoncée dans le Xiaomi 18 Fold, et Reuters évoque également ses projets de développement d’une gamme NAND à Pékin.

Dans un contexte international où l’accès de la Chine à certains équipements avancés pour la fabrication de semi-conducteurs est limité par des restrictions américaines, CXMT cherche à progresser sur des technologies mémoire plus sophistiquées tout en développant une chaîne d’approvisionnement locale capable de fournir une partie plus importante des outils nécessaires. Reuters a souligné que le développement de G5 est explicitement lié à la collaboration avec des fabricants chinois de matériel.

Ce nouvel investissement ne garantit pas à lui seul que CXMT pourra remplacer complètement tous les équipements étrangers pour les procédés les plus avancés. En revanche, il témoigne de l’ampleur des capitaux que la société est prête à mobiliser pour renforcer sa capacité technologique et son infrastructure de production et de test.

La synergie entre G5, LPDDR5X de 24 Gb, nouvelles installations et la volonté d’approvisionnement nationale positionne CXMT à un stade supérieur dans son expansion. L’entreprise ne cherche plus uniquement à augmenter le volume de DRAM existante, mais à développer de nouvelles générations de procédés tout en construisant une filière industrielle intégrant davantage de fournisseurs locaux.

Questions fréquemment posées

Combien CXMT prévoit-elle d’investir dans cette nouvelle expansion ?

CXMT prévoit d’investir 34 900 millions de yuans, soit environ 5,2 milliards de dollars, répartis entre un projet de R&D technologique de 24 100 millions et une seconde phase d’extension des installations de tests de wafers pour 10 800 millions.

En quoi consiste la plateforme G5 de CXMT ?

Il s’agit de la cinquième génération de technologie DRAM de CXMT, annoncée comme déjà en production de masse en septembre 2026. Elle utilise la technique SAQP pour atteindre un active-area half-pitch de 11,95 nm, et intègre d’autres améliorations pour augmenter la densité mémoire.

Quelle est la capacité des nouveaux chips LPDDR5X ?

Les deux nouveaux produits LPDDR5X de G5 offrent 24 Gb par die, utilisant des boîtiers de 496 et 245 balles. CXMT indique qu’ils sont en production de masse pour smartphones et autres appareils portables.

CXMT fabriquera-t-elle tout avec des fournisseurs locaux ?

Les informations disponibles suggèrent que l’entreprise souhaite privilégier les fournisseurs domestiques. La source citée par le South China Morning Post évoque une préférence pour des fabricants chinois d’équipements, et la documentation financière confirme un budget important pour ces machines, sans toutefois identifier tous les fournisseurs ni garantir une substitution totale aux équipements étrangers.