
Samsung accélère avec HBM4E pour GPU d’IA : objectif 3,25 To/s en 2027 et un tournant pour retrouver la position de leader
La course à la mémoire à large bande passante (HBM) entre dans une nouvelle phase. Samsung Electronics a fixé une date et un objectif pour sa prochaine avancée : HBM4E avec une cible de 3,25 TB/s et une production en volume prévue pour 2027. La société a présenté cette avancée lors du OCP Global Summit 2025 à San José, en visant une vitesse d’au moins 13 Gbps par broche et 2 048 broches d’E/S pour atteindre ce débit, ≈2,5 fois supérieur à celui de la HBM3E actuellement en circulation. L’annonce intervient après une année durant laquelle SK hynix a pris une avance avec HBM3E et s’est positionnée comme la première à produire en volume de HBM4, tandis que Micron présentait




