
Recuit laser en semi-conducteurs : SiC, NAND 400 couches et nœuds 2 nm s’y convertissent
Le recuit laser change de statut dans la fabrication de semi-conducteurs. Ce qui relevait encore il y a peu d’une technique de niche s’impose désormais comme un outil essentiel dans trois segments en forte croissance : les puces de puissance en carbure de silicium (SiC), les mémoires NAND 3D de plus de 400 couches, et les processus logiques en dessous de 2 nm. La raison est directe : quand les matériaux deviennent plus difficiles à traiter et que les structures se miniaturisent, chauffer précisément, localement, pendant des temps très courts peut sauver un procédé que le recuit thermique classique rendrait inutilisable. Le recuit (annealing) est un traitement thermique standard depuis des décennies : réparer les dommages dans le réseau cristallin




