
Samsung déplace le capteur thermique vers le câblage du puce pour gagner en espace et en efficacité en 2 nm
Samsung Foundry a présenté lors de ISSCC 2026 une nouvelle IP de capteur de température conçue pour répondre à l’un des principaux défis des processus avancés : mieux gérer la dissipation thermique sans sacrifier l’espace utile à l’intérieur du puce. La solution consiste à déplacer le capteur depuis la zone FEoL, où résident les transistors, vers la couche supérieure d’interconnexions BEoL, en utilisant une résistance métallique à faible coefficient thermique. Dans le programme officiel du congrès, Samsung décrit cette solution comme un “capteur de température entièrement empilé basé sur RC” pour la technologie 2 nm Gate-All-Around, avec une superficie de 625 μm², fonctionnant à 0,6 V, avec une approche orientée vers une meilleure balance entre précision, consommation et encombrement. Ce




