NEO Semiconductor 3D X-DRAM : la mémoire 3D bascule du laboratoire au silicium
La course à la mémoire pour l’intelligence artificielle vient de gagner un nouveau prétendant crédible. NEO Semiconductor, jeune pousse californienne longtemps cantonnée aux présentations de laboratoire, vient d’annoncer une preuve de concept en silicium de sa technologie 3D X-DRAM, accompagnée d’une levée de fonds stratégique pilotée par Stan Shih, fondateur d’Acer et ancien administrateur de TSMC pendant plus de vingt ans. Au-delà du communiqué, c’est un signal que l’industrie attendait : la DRAM verticale commence à sortir de la simulation pour entrer en fabrication tangible, sur des équipements déjà déployés à grande échelle. L’argument central de NEO ne réside pas dans la prouesse de métrologie, mais dans une promesse industrielle : sa 3D X-DRAM pourrait être produite sur l’infrastructure existante




