
Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro dévoile une transformation majeure de son système de refroidissement
Une nouvelle fuite attribuée à @LaidBackDev_ révèle ce qui pourrait être une unité réelle du futur Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro et évoque un changement majeur dans l’encapsulation du prochain SoC de Qualcomm. L’image suggère que la mémoire DRAM ne serait plus placée directement au-dessus du processeur, comme c’est le cas dans les designs Package-on-Package (PoP), mais serait positionnée latéralement, permettant l’utilisation d’une solution thermique de type Heat Pass Block (HPB). Qualcomm n’a pas encore confirmé officiellement le design ni les spécifications du chip. Les points clés du Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro en 20 secondes Une fuite montre ce qui pourrait être l’encapsulation réelle du Snapdragon 8 Elite Gen 6 Pro. Le design semble séparer la DRAM


