
SK hynix progresse avec HBM par jonction hybride dans la course à l’IA
SK hynix a franchi une étape technique importante dans l’évolution de la mémoire HBM en vérifiant une pile de 12 couches assemblée par hybride bonding, une technologie d’emballage avancée qui pourrait jouer un rôle clé dans les prochaines générations de mémoire à haute bande passante. La société sud-coréenne n’a pas communiqué de chiffres précis sur les performances de fabrication, mais elle a reconnu travailler à augmenter le taux de rendement (yield) pour atteindre un niveau viable pour la production en masse. Annonce faite par Kim Jong-hoon, responsable technique de SK hynix, lors de la conférence Beyond HBM tenue à Séoul, cette avancée intervient dans un contexte de compétition accrue avec les générations HBM4 et HBM5. La demande croissante de puces




