
SK hynix accélère la course au NAND du futur : PLC à 5 bits, FeNAND 3D et une technologie CTI presque prête pour la production
La mémoire NAND revient au centre des débats technologiques, dynamisée par deux forces implacables : l’explosion des volumes de données liée à la Intelligence Artificielle et la pression du marché pour obtenir plus de capacité par euro sans compromettre la fiabilité. Dans ce contexte, SK hynix a profité de ses dernières présentations dans des forums techniques pour tracer une feuille de route articulée autour de trois axes distincts — mais interconnectés : NAND à 5 bits par cellule (PLC) via une architecture appelée Multi-Site Cell (MSC), recherche en FeNAND 3D axée sur la compute en mémoire, et une amélioration process plus « industrielle » nommée CTI, déjà démontrée sur un nœud de 176 couches. Le dénominateur commun est évident :



