
NEO rapproche la DRAM 3D de la réalité avec son premier 3D X-DRAM en silicium
La course à la mémoire pour l’Intelligence Artificielle ne se limite plus à exploiter la HBM ou à empiler toujours plus de couches dans la NAND. Une autre voie commence à prendre forme, longtemps considérée comme prometteuse uniquement en laboratoire plutôt qu’en chaine de production industrielle : la DRAM en 3D. Sur ce terrain, NEO Semiconductor vient de franchir une étape significative qui mérite toute notre attention. La société a annoncé des résultats prometteurs issus d’une preuve de concept en silicium pour sa technologie 3D X-DRAM, accompagnés d’une nouvelle levée de fonds stratégique dirigée par Stan Shih, fondateur d’Acer et ancien membre du conseil d’administration de TSMC pendant plus de vingt ans. Ce qui importe ici ne réside pas seulement




