Samsung remonte avec son procédé de 4 nm et décroche une commande de 100 millions de dollars pour une nouvelle puce d’IA
Samsung commence à tourner la page de l’un de ses plus grands défis dans le domaine des semi-conducteurs. Son procédé de fabrication en 4 nanomètres, qui pendant des années a souffert de problèmes de performance et de pertes de contrats face à TSMC, aurait désormais atteint des taux de rendement compris entre 60 et 70 […]
Samsung et SK Hynix ajustent leur stratégie de DRAM pour 2026 en pleine tempête des prix
Samsung Electronics et SK Hynix, deux géants sud-coréens de la mémoire, se préparent pour une année 2026 décisive. Selon des sources industrielles, les deux sociétés envisagent d’augmenter leurs objectifs de croissance en production de DRAM pour 2026, dans le but de répondre à la pénurie de puces mémoire qui affecte le marché des PC et […]
Samsung rectifie : réduit la HBM et mise à nouveau sur DDR5, LPDDR5 et GDDR7
Samsung a décidé de freiner dans la course à la mémoire HBM3E pour l’Intelligence Artificielle et reconsidère un domaine qu’elle connaît bien : la DRAM généraliste pour PC, ordinateurs portables et serveurs. Après plusieurs mois de transfert de ses lignes de fabrication vers la HBM afin de rivaliser directement avec SK Hynix, la société sud-coréenne […]
CXMT accélère : ainsi, elle réduit l’écart avec Samsung, SK Hynix et Micron dans la mémoire DDR5 et HBM
À la fin de 2025, la guerre des puces de mémoire se joue également à Hefei. Là, la société chinoise ChangXin Memory Technologies (CXMT), pratiquement inconnue il y a encore quelques années en dehors du pays, s’est consolidée comme le principal fabricant de DRAM en Chine et devient l’un des acteurs qui recollent le plus […]
La mémoire redevient plus chère : Samsung prévoit une hausse de 15 à 20 % en DRAM pour le quatrième trimestre 2025
Le marché du matériel informatique traverse une période paradoxale : alors que le prix de certaines cartes graphiques a connu des baisses, les modules de mémoire RAM et de nombreux SSD continuent de s’envoler. Après une année marquée par des tensions d’offre ayant entraîné des augmentations cumulées pouvant atteindre 60 % pour la mémoire, Samsung […]
Samsung resserre le marché de la mémoire : des hausses jusqu’à 60 % stimulées par la fièvre de l’IA
Le avertissement était sur la table depuis des mois, mais beaucoup d’utilisateurs croyaient encore que cela ne serait pas si grave. Pourtant, la réalité est maintenant là : la mémoire RAM et les modules DRAM ont connu une hausse des prix spectaculaire, et Samsung — le plus grand fabricant mondial de mémoire — vient de […]
Samsung prend la course aux 2 nm : fabriquera des puces GAA pour deux géants chinois du ‘minage’ de cryptomonnaies
Samsung Electronics a marqué un golpe estratégico en el mercado de semiconductores avanzados. Su división de foundry ha cerrado acuerdos para la fabricación de chips de 2 nanómetros con puerta completa (2 nm GAA) destinados a dos de los principales fabricantes chinos de equipos de minería de criptomonedas: MicroBT y Canaan. Esta noticia, publicada por […]
Musk renforce la « double fonderie » : Tesla fabriquera les puces AI5 et AI6 chez Samsung (Texas) et TSMC (Arizona)
Tesla a clarifié la situation : ses prochains puces de conduite autonome, AI5 et AI6, seront produites en parallèle par Samsung et TSMC. Ces versions physiques présenteront de légères différences, mais le comportement logiciel sera identique, selon la confirmation d’Elon Musk. Cette stratégie conforte une démarche de double fournisseur afin d’assurer les volumes, de réduire […]
Samsung redouble son pari sur le « DTCO » : ainsi, elle souhaite exploiter chaque nanomètre en combinant conception et procédé pour améliorer les performances, la surface et la consommation
Dans un secteur habitué à mesurer le progrès en nanomètres et à célébrer chaque saut de nœud comme un symbole de vitesse et d’efficacité, Samsung Foundry a mis en avant la levier qu’ils considèrent comme déterminante pour la prochaine décennie : DTCO (Design-Technology Co-Optimization), ou co-optimisation de la conception et de la technologie. Lors du […]
Samsung accélère avec HBM4E pour GPU d’IA : objectif 3,25 To/s en 2027 et un tournant pour retrouver la position de leader
La course à la mémoire à large bande passante (HBM) entre dans une nouvelle phase. Samsung Electronics a fixé une date et un objectif pour sa prochaine avancée : HBM4E avec une cible de 3,25 TB/s et une production en volume prévue pour 2027. La société a présenté cette avancée lors du OCP Global Summit […]