
Samsung prépare trois types de Z-NAND pour l’IA : plus large bande passante et plus d’opérations par seconde
Samsung amplía su estrategia de memorias NAND para inteligencia artificial con tres innovadoras líneas de desarrollo: Z-NAND-O, diseñada para IA en dispositivos, Z-NAND-T, centrada en incrementar el ancho de banda para centros de datos, y Z-NAND-I, creada para maximizar las operaciones de entrada y salida por segundo. Según ZDNet Corea, las dos últimas aún se encuentran en fases iniciales de desarrollo y Samsung no ha anunciado oficialmente sus especificaciones aún. Las claves de las nuevas Z-NAND de Samsung en 20 segundos Samsung está trabajando, según fuentes del sector, en tres variantes de NAND adaptadas a distintas cargas de trabajo en IA. Z-NAND-O está orientada a la IA en dispositivos, empleando chips apilados mediante conexiones TSV. Z-NAND-T busca aumentar el ancho




