Mémoire non binaire DDR5 : la nouvelle génération intermédiaire qui redéfinit la performance et la capacité.
Arrivée de modules de 24 Gbit : une révolution dans l’évolution de la mémoire RAM La mémoire RAM connaît une transformation significative avec l’introduction des modules de 24 Gbit. Cette avancée dépasse les modes passagères, offrant de nouvelles opportunités pour les passionnés de jeux vidéo, ainsi que pour les centres de données et l’intelligence artificielle. […]
Huawei accélère dans la course à l’IA avec son nouvel accélérateur Ascend 920C de 900 TFLOPS et mémoire HBM3
La société chinoise prépare le lancement d’un nouveau processeur destiné à l’entraînement de modèles d’intelligence artificielle, qui promet de rivaliser avec les solutions de NVIDIA dans des environnements de supercalcul. Huawei franchit une nouvelle étape dans son ambition de devenir un acteur clé dans le secteur de l’intelligence artificielle. Selon des informations publiées par DigiTimes, […]
La Chine révolutionne la mémoire Flash avec le développement de la puce PoX : 400 picosecondes par opération
L’Université de Fudan établit un nouveau record avec une mémoire non volatiled’une rapidité ultralocalisée, idéale pour les applications en intelligence artificielle Des chercheurs de l’Université de Fudan, à Shanghai, ont annoncé le développement de la mémoire Flash la plus rapide au monde, marquant un jalon sans précédent dans l’histoire de l’informatique. Baptisée PoX (Phase-change Oxide), […]
DRAM+ révolutionne la mémoire : vitesse de DRAM avec persistance Flash pour des applications critiques
Annonce d’une alliance stratégique entre Ferroelectric Memory Company et Neumonda pour le lancement de DRAM+ La Ferroelectric Memory Company (FMC) et Neumonda ont annoncé une collaboration novatrice pour commercialiser DRAM+, une architecture de mémoire révolutionnaire qui fusionne la rapidité fulgurante de la DRAM traditionnelle avec la persistance de la mémoire Flash. Cette technologie promet de […]
Samsung accélére la course pour la mémoire HBM3E : recherche l’approbation de NVIDIA pour mai
Samsung Electronics intensifie ses efforts sur le marché concurrentiel des mémoires à haute performance (HBM). Selon des médias sud-coréens tels qu’EBN, la société est en train de redessiner son produit HBM3E 12H de 36 Go, dans le but d’obtenir la validation de NVIDIA plus tôt que prévu, dès mai de cette année. HBM3E 12H : […]
Macronix et STMicroelectronics renforcent l’intelligence artificielle dans les microcontrôleurs avec la mémoire OctaFlash
Une collaboration pour une performance exceptionnelle dans les applications de vision par ordinateur et les expériences graphiques avancées Macronix International Co., Ltd., leader sur le marché des mémoires non volatiles (NVM), a annoncé que STMicroelectronics (ST) a sélectionné sa mémoire OctaFlash™ pour alimenter la nouvelle plateforme de microcontrôleurs haute performance STM32N6, dotée de l’Accélérateur Neural-ART™, […]
Comment réduire la consommation de mémoire dans MySQL pour améliorer la stabilité du système
MySQLTuner recommande de réduire la consommation globale de mémoire MySQL pour une meilleure stabilité du système : des solutions simples Lorsque MySQLTuner recommande de « réduire votre empreinte mémoire MySQL globale pour une stabilité du système », cela signifie que MySQL consomme trop de mémoire, pouvant ainsi affecter la stabilité de votre système. Afin d’améliorer […]
CXMT se confirme comme leader émergent sur le marché de la mémoire DRAM pour mobiles
CXMT dépasse SK Hynix en expéditions de DRAM mobile, marquant une percée significative dans l’industrie La domination traditionnelle de l’industrie des mémoires DRAM par trois géants – Samsung, SK Hynix et Micron – est actuellement mise à l’épreuve. En effet, la société chinoise ChangXin Memory Technologies (CXMT) a connu une croissance impressionnante ces dernières années, […]
Micron Leader de l’Industrie avec le Lancement de la Mémoire DRAM 1-gamma
Micron Technology Lance des Échantillons de Sa Nouvelle Génération de Mémoire DRAM 1γ Micron Technology a annoncé qu’elle devient la première entreprise de l’industrie à expédier des échantillons de sa nouvelle génération de mémoire DRAM basée sur le noeud 1γ (1-gamma), marquant une avancée significative dans la technologie de mémoire adaptée aux besoins informatiques de […]
La fin de la DDR3 et DDR4 : les modules de mémoire disparaîtront en 2025
Le marché de la mémoire DRAM subit une transformation majeure. La baisse de la demande et la chute des prix ont conduit des géants comme Samsung, SK Hynix et Micron à réorganiser leur production. En conséquence, la fabrication de DDR3 et DDR4 sera arrêtée d’ici fin 2025, ce qui pourrait entraîner une hausse significative des […]