Samsung dépasse la validation de NVIDIA pour le HBM3E à 12 couches et vise le HBM4 : voici le tableau de la mémoire pour la prochaine vague d’IA
Samsung Electronics a finalement obtenu la certification de qualification de NVIDIA pour sa HBM3E de 12 couches (12-Hi). Ce jalon intervient après 18 mois de développement et plusieurs tentatives infructueuses pour répondre aux critères exigeants de performance et de fiabilité du leader mondial en accélérateurs d’IA. L’approbation, confirmée par des sources du secteur, permet à […]
Un technicien russe présente un vérificateur de mémoire DDR5 SODIMM avec lecture SPD et écran de codes POST : un outil de niche qui pourrait devenir une norme
La transition vers DDR5 ne se limite pas à la conception de nouveaux ordinateurs portables et de leurs cartes mères; elle redéfinit également l’écosystème des outils de diagnostic utilisés dans les centres de service. Un technicien russe a conçu un testeur de mémoire DDR5 pour SODIMM intégrant des fonctionnalités jusque-là peu courantes dans ce type […]
Huawei montre sa puissance avec sa feuille de route pour les puces d’IA : mémoire HBM propriétaire, 1 PFLOPS en FP8 et un plan par étapes jusqu’en 2028
Dans une démarche qui renforce son ambition de réduire sa dépendance extérieure et de gagner du terrain sur le marché national des accélérateurs, Huawei a dévoilé lors de Huawei Connect 2025 une feuille de route pour ses puces d’intelligence artificielle s’étendant jusqu’en 2028. Selon un rapport de MyDrivers sur la présentation, ce plan comprend plusieurs […]
SK hynix achève le développement du HBM4 et se prépare à dominer la mémoire à large bande passante à l’ère de l’IA
La entreprise sud-coréenne SK hynix a franchi une étape historique dans l’industrie des semi-conducteurs en annonçant la finalisation du développement et la mise en préparation pour la production massive du HBM4, la quatrième génération de mémoires à haute bande passante (High Bandwidth Memory). Avec cette avancée, la société se positionne à la tête d’un marché […]
D-Matrix présente 3DIMC : la mémoire 3D empilée qui veut détrôner HBM dans l’inférence d’IA
La startup affirme que sa technologie sera jusqu’à 10 fois plus rapide et efficace que la mémoire HBM pour les charges d’inférence, marquant ainsi un changement de paradigme dans la relation entre calcul et mémoire. La mémoire à large bande passante (HBM) est devenue la référence incontournable en intelligence artificielle et calcul haute performance. Utilisée […]
SK hynix installe le premier système commercial High NA EUV pour révolutionner la mémoire DRAM
SK hynix a annoncé le lancement du premier système de lithographie EUV à haute ouverture numérique (High NA EUV) destiné à la production de masse sur son site M16 à Icheon, en Corée du Sud. L’équipement, le modèle TWINSCAN EXE:5200B d’ASML, représente une avancée majeure dans l’industrie mondiale des semi-conducteurs, ouvrant la voie à des […]
La carte SD fête ses 25 ans : de 8 Mo à 128 To en une mémoire flash
Il y a vingt-cinq ans, en l’an 2000, lorsque les téléphones mobiles ne pouvaient stocker que quelques messages texte et que les appareils photo numériques commençaient à gagner en popularité, trois géants de la technologie — SanDisk, Panasonic et Toshiba — ont lancé une nouvelle norme de stockage portable : la carte Secure Digital (SD). […]
SK hynix révolutionne la mémoire mobile avec une DRAM qui dissipe la chaleur 3,5 fois mieux pour les smartphones avec IA
SK hynix, l’un des géants mondiaux des semi-conducteurs, a annoncé le lancement de fournitures de mémoire DRAM pour appareils mobiles intégrant un système de dissipation thermique hautement efficace, rendu possible grâce à l’utilisation d’un nouveau matériau innovant nommé High-K Epoxy Molding Compound (EMC). La société devient ainsi le premier acteur du secteur à appliquer cette […]
Huawei entre en la course mondiale de la mémoire pour l’IA avec son nouveau SSD AI
Le géant technologique chinois se prépare à lancer le 27 août une unité de stockage à mémoire solide spécialement conçue pour les centres de données traitant des charges de travail en intelligence artificielle, visant à dépasser les limitations de la mémoire HBM. Huawei revient à l’avant-scène de l’innovation technologique. Quelques semaines seulement après avoir annoncé […]
UltraRAM : la mémoire qui promet de combiner stockage et RAM en une seule puce
Des avancées majeures dans le domaine de la mémoire informatique pourraient prochainement transformer l’architecture des appareils électroniques. Une nouvelle technologie, baptisée UltraRAM, développée par des chercheurs britanniques, promet de combiner la rapidité de la RAM avec la persistance de la mémoire flash dans un seul et même composant. Ce projet, issu d’une collaboration entre l’Université […]