Samsung accélère avec HBM4E : dépasser 70 % de rendement, son contre-attaque dans la mémoire pour l’IA
Samsung Electronics redobla sus esfuerzos en la carrera por la memoria para inteligencia artificial. Después de comenzar a mediados de año la producción comercial de HBM4, la compañía surcoreana habría logrado que el rendimiento de fiabilidad de HBM4E, su próxima generación, supere ya el 70 %, según datos del sector difundidos en Corea. Aunque esta […]
SK Hynix accélère la course à la HBM4E avec des mémoires de 48 Go et 4 To/s
SK Hynix a profité de Computex 2026 pour présenter la trajectoire de la prochaine génération de mémoire dédiée à l’intelligence artificielle. La société sud-coréenne a dévoilé une solution HBM4E capable d’atteindre 48 GB en une pile de 12 couches, avec un débit maximal allant jusqu’à 4 TB/s, anticipant ainsi les besoins futurs des accélérateurs de […]
Micron accélère la mémoire pour l’IA avec HBM4E et conceptions personnalisées
Micron place la mémoire au cœur de sa stratégie pour l’intelligence artificielle. La société prépare le saut vers la HBM4E en 2027, progresse dans la DRAM 1-gamma, accélère son nœud NAND G9 et commence à parler plus clairement de conceptions de mémoire personnalisées pour les plateformes d’IA. Le message est clair : dans la prochaine […]
Samsung HBM5E D1d : la feuille de route mémoire IA vacille
Samsung Electronics aurait pris une décision lourde de conséquences pour l’industrie des semi-conducteurs : revoir, et reporter sans date précise, la mise en fabrication de la D1d DRAM, septième génération de mémoire DRAM de classe 10 nm. Selon un rapport publié par IT Chosun, les performances internes n’auraient pas atteint les objectifs fixés, et la […]
Samsung accélère son HBM « sur mesure » et entre dans la phase backend du base die de HBM4E
Samsung Electronics a franchi une étape importante dans sa feuille de route pour la mémoire à large bande passante : la société a entamé la phase de conception backend de son base die personnalisé pour la HBM4E (7e génération), un jalon qui, dans le développement de silicium, est généralement interprété comme ayant dépassé la « […]
TSMC déclenche la course à la mémoire IA : HBM4E personnalisée, logique à 3 nm et doublement efficace énergétiquement
TSMC a profité de son récent forum Open Innovation Platform (OIP) organisé à Amsterdam pour adresser un message clair au marché : la prochaine grande bataille de l’intelligence artificielle ne se jouera pas uniquement sur les GPU, mais aussi dans la mémoire à haut débit. La société taïwanaise a dévoilé sa stratégie pour la génération […]
SK hynix dessine la décennie de la mémoire : HBM4E aujourd’hui, HBM5 et DDR6 à partir de 2029, SSD PCIe 7.0 et UFS 6.0… et une « mémoire avec IA » pour clôturer le cycle
SK hynix a dévoilé sa feuille de route la plus ambitieuse à ce jour lors du SK AI Summit 2025. Ce n’est pas simplement un calendrier avec plus de couches et plus de MHz : c’est une vision axée sur l’IA qui couvre la mémoire à large bande passante (HBM), la DRAM conventionnelle, le NAND/SSD […]
Samsung accélère avec HBM4E pour GPU d’IA : objectif 3,25 To/s en 2027 et un tournant pour retrouver la position de leader
La course à la mémoire à large bande passante (HBM) entre dans une nouvelle phase. Samsung Electronics a fixé une date et un objectif pour sa prochaine avancée : HBM4E avec une cible de 3,25 TB/s et une production en volume prévue pour 2027. La société a présenté cette avancée lors du OCP Global Summit […]